Ditemukan 6 dokumen yang sesuai dengan query
Artikel Jurnal Universitas Indonesia Library
Ahmad Tossin Alamsyah, author
Disain geometri dengan kombinasi lateral dan vertikal berhasil dirancang , disimulasikan pada devais Silicon Germanium Heterojunction Bipolar Transistor (HBT SiGe). Terbukti menghasilkan beberapa kelebihan terutama pada noise figure yang rendah seperti diuraikan pada disertasi ini. Riset ini bertujuan untuk mendapatkan devais dengan noise figure (Fn) yang rendah pada operasi frekuensi...
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2010
D999
UI - Disertasi (Open) Universitas Indonesia Library
Muhammad Machbub Rochman, author
Tren teknologi sistem komunikasi nirkabel saat ini adalah menuju multi layanan atau multi standar, termasuk sistem gelombang radio (RF) yang di dalamnya terdapat perangkat mixer sebagai pentranslasi frekuensi. Namun dalam implementasinya membutuhkan lebih banyak komponen, karena setiap perangkatnya membutuhkan lebih banyak divais. Maka diperlukan perancangan sistem RF yang setiap divaisnya...
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2011
T 28360
UI - Tesis (Open) Universitas Indonesia Library
Muhammad Machbub Rochman, author
Tren teknologi sistem komunikasi nirkabel saat ini adalah menuju multi layanan atau multi standar, termasuk sistem gelombang radio (RF) yang di dalamnya terdapat perangkat mixer sebagai pentranslasi frekuensi. Namun dalam implementasinya membutuhkan lebih banyak komponen, karena setiap perangkatnya membutuhkan lebih banyak divais. Maka diperlukan perancangan sistem RF yang setiap divaisnya...
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2011
T40895
UI - Tesis (Open) Universitas Indonesia Library
Pada artikel ini dibahas mengenai pengaruh mole fraction (x) dan profit germanium pada basis SiGe HBT terhadap unjuk kerja frekuensi dan noise figure (fn) devais...
UI-JURTEK 23:1 (2009)
Artikel Jurnal Universitas Indonesia Library
Engelin Shintadewi Julian, author
Heterojunction bipolar transistor Silikon Germanium (HBT SiGe) adalah transistor bipolar yang emiter dan kolektornya terbuat dari bahan Si sedangkan basisnya terbuat dari bahan SiGe. Frekuensi cutoff (ft) dan frekuensi osilasi maksimum (fmax) merupakan ukuran yang umum digunakan untuk menilai kemampuan transistor bipolar. Frekuensi cutoff dan frekuensi osilasi maksimum sangat penting...
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2004
D557
UI - Disertasi (Membership) Universitas Indonesia Library
