Hasil Pencarian  ::  Kembali

Hasil Pencarian

Ditemukan 1 dokumen yang sesuai dengan query
cover
Threshold voltage Vr merupakan salah satu parameter MOS Transistor yang dipengaruhi oleh temperatur (temperature dependence parameter), Dengan karakteristik yang demikian, secara teoretis VT dapat digunakan sebagai parameter untuk pengukuran temperatur. Konfigurasi transistor yang mampu mengekstraksikan tegangan threshold adalah array transistor. Dengan demddan array transistor dapat digunakan sebagai transducer temperatur-tegangan yang...
Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 1997
S38739
UI - Skripsi (Membership)  Universitas Indonesia Library