Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Dalam Skripsi ini dirancang sebuah SSIMT (Suppressed Sidewall Injection Magnetotransistor) dengan kolektor berbentuk L, dilengkapl dengan analisa teoritis dan analisa basil simulasi dengan program komputer serta karakteristik kerjanya. Studi yang masih teibatas di bidang sensor magnetik Magnetotransistor lnl mendorong perlunya dlambll beberapa asumsi untuk menyederhanakan proses anallsa.Hasil analisa teoritis yang disimulasikan dengan program Komputer MathCad Plus 6 menunjukkan bahwa disain SSIMT Ini memililh sensitivitas tinggi untuk medan magnet kecil, sampai sekitar 800 mT untuk arus basis 7mA. Untuk jangkauan sampai 30 mT, sensitivitas alat dapat mencapai 2300 %/Tesla, suatu nilai yang tinggi untuk sensor medan magnet.Dalam skripsi ini dibahas parameter yang menentukan sensitivitas divals dan daerah Jangkauan medan magnet yang diukur. Perbandingan disain SSIMT dengan kolektor L IN dengan acuan lain menunjukkan bahwa sensor IN memiliki sensitivitas relatif yang lebih rendah namun daerah kerja linier yang lebih luas."

"Spintronik dan orbitronik merupakan bidang penelitian yang sedang berkembang pesat. Kedua bidang ini berusaha memanfaatkan derajat kebabasan spin dan orbital untuk menyimpan informasi biner atau mengontrol arus listrik. Belakangan ini, lapisan tipis Chromium (Cr) and Ruthenium (Ru) digunakan pada beberapa eksper imen yang berkaitan dengan orbitronik. Beberapa penelitian teoritis sudah mem pelajari sifat transpor spin dan orbital dari Cr and Ru dengan mempertimbangkan struktur kristal yang paling stabil pada bulk. Namun, lapisan tipis dapat memi liki struktur kristal yang berbeda dengan bulk dan sifat transpor spin dan orbital nya masih belum dieksplorasi. Penelitian ini bertujuan untuk menginvestigasi sifat transpor spin dan orbital dari struktur kristal Cr and Ru yang berbeda dengan struk tur yang stabil pada bulk. Kami fokus ke sifat transpor dari fenomena yang berkaitan dengan efek Hall dan Nernst pada struktur kristal berikut: Cr bcc (struktur bulk), Cr fcc, Cr hcp, Cr orthorhombic, Ru hcp (struktur bulk), dan Ru fcc. Kami meng gunakan teori respon linier dan relasi Mott untuk menghitung konduktivitas. Perhi tungan kami menunjukkan adanya peningkatan pada konduktivitas yang berkaitan dengan transpor orbital relatif terhadap konduktivitas tersebut pada struktur yang stabil pada bulk, terutama Cr orthorhombic yang memiliki konduktivitas Hall or bital hingga 6454 (ℏ/e).(Ω.cm)−1 dan konduktivitas Nernst orbital mencapai 4.674 (ℏ/e).(A/K.m). Hal ini mengindikasikan bahwa fabrikasi lapisan tipis dengan vari asi struktur kristal ini dapat meningkatkan performa lapisan tipis bila digunakan sebagai perangkat orbitronik.

---

Spintronics and orbitronics are promising emerging fields in which spin and orbital degrees of freedom are utilized to encode the binary information or control electrical current. Recently, Chromium (Cr) and Ruthenium (Ru) thin films have been used in experiments related to orbitronics. Previous theoretical studies have analyzed the spin and orbital transport properties of Cr and Ru by considering the crystal struc ture that is most stable in bulk. However, thin films may have a different crystal structure compared to their bulk counterparts, and their spin and orbital transport properties have not been explored. This research aims to investigate the spin and orbital transport properties of the Cr and Ru crystal structures that differ from the bulk stable structure. We focus on the spin and orbital transport properties related to the family of Hall and Nernst phenomena on the following crystal structures: Cr bcc (bulk stable), Cr fcc, Cr hcp, Cr orthorhombic, Ru hcp (bulk stable), and Ru fcc. We implement linear response theory combined with the Mott formula to calculate the conductivities. Our results indicate an improvement in orbital-related conductivities in several structural variations compared to the respective bulk stable structures, es pecially Cr orthorhombic, for which the orbital Hall conductivity and orbital Nernst conductivity energy could reach 6454 (ℏ/e).(Ω.cm)−1 and 4.674 (ℏ/e).(A/K.m), respectively. We suggest that fabricating thin films with such various structures could enhance the performance of the thin films as orbitronics devices."