Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Sejak ditemukannya material Carbon Nanotube pada tahun 1998, berbagai pihak mulai mengaplikasikan Carbon Nanotube pada divais elektronika. Hal ini dilalcukan karena Carbon Nanotube mempunyai karakteristik elektris dan karalcteristik termal yang lebih baik dibandingkan dengan material Iainnya.Aplikasi Carbon Nanotube sebagai channel menyebabkan terjadinya fenomena ballistic transport pada CN TFET karenajarak source dan drain yang kecil. .Pada penelitian ini dilakukan simulasi bertujuan melihat pengaruh parameter gate insulator dielectric constant, gate insulator' thickness dan temperatur terhadap besar arus drain-source dan terjadinya fenomena ballistic transport.Simulasi menghasilkan nilai arus drain-source CNTFET optimal sesuai variasi keti ga parameter tersebut.Hasil simulasi menunjukkan parameter gate insulator dielectric constant dan temperatur berbanding lurus dengan besar arus drain source, sedangkan parameter gate insulator thickness berbanding terbalik dengan besar arus drain source. Arus drain-source optimal didapatkan pada koniigurasi gate insulator thickness 3nm, gate insulator dielectric constant 25 dan temperatur 600K, sebesar 3.lxl0`5A dengan VD5=0,6V dan VG=0,6V."

"Heterojunction bipolar transistor Silikon Germanium (HBT SiGe) adalah transistor bipolar yang emiter dan kolektornya terbuat dari bahan Si sedangkan basisnya terbuat dari bahan SiGe. Frekuensi cutoff (ft) dan frekuensi osilasi maksimum (fmax) merupakan ukuran yang umum digunakan untuk menilai kemampuan transistor bipolar. Frekuensi cutoff dan frekuensi osilasi maksimum sangat penting dalam perancangan baik untuk aplikasi analog maupun digital. Dari studi literatur yang dilakukan, diketahui bahwa HBT SiGe yang dirancang untuk memperoleh f maksimal akan menghasilkan yang jauh dibawah nilai f tersebut, demikian pula sebaliknya. Salah satu contoh HBT SiGe yang dirancang untuk menghasilkan ft dan fmax sama tinggi adalah HBT SiGe IBM dengan ft maksimum 90 GHz dan fmax maksimum 90 GHz, yang dibuat dengan teknologi 0,18 µm.Pada penelitian ini dilakukan perancangan 1-BT SiGe agar dapat memberikan ft dan fmax lebih dari 130 GHz untuk teknologi 0,18 µm. Perancangan dilakukan dengan bantuan program simulasi divais Bipole3v4.6E.Setelah penelusuran jurnal terkait yang terbaru dilakukan, model parameter fisika bahan semikonduktor pada program simulasi Bipole3 dikalibrasi dengan parameter fisika Si dan SiGe yang diperoleh dari berbagai jurnal dan telah digunakan secara luas. Setelah itu dilakukan kalibrasi dengan data pengukuran HBT SiGe yang telah difabrikasi oleh grup IBM untuk mengetahui perbedaan hasil simulasi dengan hasil fabrikasi. Kemudian dilakukan perancangan dimensi divais, profit doping pada emiter, basis dan kolektor serta profit Ge pada basis agar dapat diperoleh divais yang mempunyai ft dan fmax lebih dari 130 GHz.Dari hasil penelitian yang diperoleh terbukti bahwa: HBT SiGe dengan luas emitter 0,18 x 5 µm2, lebar emiter 9 nm, konsentrasi doping emitter maksimum 102 cm-3 pada sisi kontak menurun ke arah basis, lebar basis antara 27,7 - 31,5 nm, konsentrasi doping basis maksimum antara 8,5x1018 - 1019 cm-3 pada sisi emitter menurun ke arah kolektor, profit Ge segiempat dengan fraksi Ge 0,2, dan lebar kolektor 360 nm dengan profil selective implanted collector dapat menghasilkan frekuensi cutoff antara 130 - 134 GHz dan frekuensi osilasi maksimum antara 136 - 150 GHz."