Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"ABSTRAKKrisis air bersih di daerah berair payau belakangan ini semakin memprihatinkan. Teknologi yang banyak digunakan saat ini yaitu distilasi dan Reverse Osmosis RO tidak bekerja secara maksimal karena kebutuhan energi dan biaya yang relatif besar. Teknologi capacitive deionization CDI yang ditemukan untuk menggantikan teknologi RO dan distilasi juga belum menjadi solusi yang baik, karena berdasarkan penelitian yang dilakukan sebelumnya tentang pemurnian air payau, didapatkan tingkat penurunan kadar garam hanya sebesar 13,1 . Hal tersebut mendorong pengembangan penelitian pemurnian air lebih lanjut dengan menggunakan teknologi membrane capacitive deionization MCDI agar dapat membantu mengatasi masalah krisis air bersih daerah air payau secara aplikatif. Prinsip dasar MCDI adalah dengan mengionisasi ion yang kemudian akan teradsorp ada elektroda. Hal yang membedakan MCDI dan CDI adalah penambahan membran yang diletakan di depan tiap elektroda dengan kutub yang berlawanan, sehingga dapat menghalangi ion yang sejenis dengan elektroda memenuhi pori elektroda, sehingga meningkatkan kemurnian dari produk. Pada penelitian ini didapatkan hasil penurunan kadar garam sebesar 23,9 , untuk 2 sel MCDI, dan 18 untuk 1 sel MCDI. Selain meningkatkan kemampuan penyerapan ion, pada 2 sel MCDI juga mengalami penyerapan ion yang lebih cepat jika dibandingkan dengan 1 sel MCDI, dari 50 menjadi 30 menit.

---

ABSTRACTRecently, clean water crisis in brackish water area is increasing, particularly during the dry season. Technology that widely used today which are distillation and reverse osmosis RO do not work optimally because energy requierments and costs are relatively large. Capacitive deionization CDI , which is projected to replace RO and distillation is not a good solution, based on previous research using CDI to purify the brackish water, it can provide only 13,1 decrease in salinity level, encourages the study of water purification using membrane capacitive deionization MCDI in order to overcome the water crisis problem. The base principle of MCDI is by ionizing the brackish water, and electrodes will adsorp ion. Membrane capacitive deionization is different from capacitive deionization because the membrane capacitive deionization using membrane to help the counter ion filling the electrodes to increase the purity of the product. In this research, salinity reduction are 23,9 for 2 cells of MCDI, and 18 for 1 MCDI cell. In addition to improving the ability of ion adsorption, in 2 MCDI cells also experience faster ion adsorption compared with 1 cell of MCDI, 30 minutes in 2 MCDI cells and 50 minutes in 1 cell of MCDI."

"Skripsi ini membahas mengenai optimisasi rangkaian charge amplifier yang digunakan untuk membaca output dari sensor kelembaban kapasitif. Simulasi dilakukan untuk beberapa nilai dari tiap-tiap komponen yang terdapat pada rangkaian dengan menggunakan aplikasi Multisim. Data yang didapat dari simulasi kemudian dianalisis dan diujicobakan pada rangkaian fisik untuk mendapatkan perbandingan antara simulasi dengan rangkaian sebenarnya. Hasil yang didapat dari penelitian adalah sebuah rangkaian charge amplifier dengan sinyal output yang baik dan penguatan tegangan yang sesuai dengan spesifikasi sensor yang diinginkan.

---

Main focus of this study is how to optimize a charge amplifier circuit that used to read output from capacitive moisture sensor. Simulation is done with Multisim application for several values on each component contained in the circuit. The simulation data is analyzed afterwards and tested on the real circuit to compare both result. The outcome of this research is a charge amplifier circuit with good output signal and gain amplifier appropriate for desired specification."

"ABSTRAKGelombang Terahertz THz merupakan gelombang dari bagian spektrum gelombang elektromagnetik yang terletak pada rentang frekuensi di antara 0,3 THz sampai 10 THz. Gelombang THz memiliki banyak potensi kegunaan dalam berbagai aplikasi, seperti pencitraan, spektroskopi, dan komunikasi nirkabel. Salah satu metode untuk merancang antena pada frekuensi THz adalah dengan menggunakan antena planar melalui metode fabrikasi photolithography atau electron-beam lithography. Tujuan dari penelitian ini adalah merancang sebuah antena Planar dengan karakteristik Broadband pada frekuensi 1 THz. Silikon resistivitas tinggi digunakan sebagai substrat antena dan lapisan emas digunakan sebagai elemen peradiasi patch antena. Desain awal antena ini adalah Bow-Tie, kemudian dikombinasikan dengan capacitive bar dekat feed gap antena untuk memperbagus return loss dan memperlebar bandwidth, tetapi gain dan efisiensi radiasi yang dihasilkan rendah. Penggunaan dielectric silicon lens dapat meningkatkan nilai gain dan efisiensi radiasi. Peningkatan ketebalan substrat pada dielectric silicon lens digunakan untuk meningkatkan nilai gain pada ketebalan substrat optimal. Antena Bow-Tie awal memiliki return loss = -11 dB, dan bandwidth = 114,6 GHz pada frekuensi 1 THz, setelah dikombinasikan dengan capacitive bar memiliki return loss = -40,029 dB, bandwidth = 457,47 GHz, gain = -3,378 dB, efisiensi radiasi sebesar -16,22 dB 2,38 ,. Setelah menggunakan dielectric silicon lens memiliki nilai gain sebesar 10,16 dB, efisiensi radiasi sebesar -1,589 69,3 , beamwidth horizontal phi=90o sebesar 43,5o, beamwidth vertical phi=0o sebesar 30,1o dan bentuk pola radiasi directional. Peningkatan ketebalan substrat yang optimal tercapai pada ketebalan substrat 1000 ?m dengan nilai gain sebesar 31,29 dB, beamwidth horizontal phi=90o sebesar 3,1o, beamwidth vertical phi=0o sebesar 2o dan efisiensi radiasi sebesar -1,567 dB 69,7 . Pada penelitian ini menunjukkan capacitive bar dapat memperbagus return loss dan memperlebar bandwidth antena planar pada frekuensi 1 THz. Penggunaan Dielectric silicon lens dapat meningkatkan nilai gain, dan efisiensi radiasi. Peningkatan ketebalan substrat pada dielectric silicon lens dapat meningkatkan gain antena sampai pada ketebalan substrat optimal.

---

ABSTRACTThe terahertz wave THz is a wave of the electromagnetic wave spectrum that lies in the frequency range between 0.3 THz to 10 THz. The THz wave has many potential uses in various applications, such as imaging, spectroscopy, and wireless communications. One method to design an antenna at THz frequency is by using a planar antenna with photolithography or electron beam lithography fabrication method. The purpose of this research is to design a planar antenna with Broadband characteristics at frequency resonant 1 THz that can be fabricated. High Resistivity Silicon is used as an antenna substrate and the gold layer is used as an antenna patch radiating element. The initial design is a bow tie antenna, then combined with a capacitive bar near the antenna feed gap to increase the return loss and widen the bandwidth, but gain and radiation efficiency are low. Use of dielectric silicon lens can increase the gain and radiation efficiency. Increasing the thickness of the substrate on a silicon dielectric lens is used to increase the value of the gain on the optimal substrate thickness. Initial bow tie antenna has return loss 11 dB, and bandwidth 114,6 GHz at 1 THz frequency, after combined with capacitive bar has return loss 40,029 dB, bandwidth 457,47 GHz, gain 3,378 dB, radiation efficiency of 16,22 dB 2.38 . After using dielectric silicon lens, the gain value is 10.16 dB, radiation efficiency is 1.589 69.3 , horizontal beamwidth phi 90o is 43,5o, vertical beamwidth phi 0o is 30,1o and form of directional radiation pattern. The optimal substrate thickness was achieved at 1000 m with a gain value is 31,29 dB, horizontal beamwidth phi 90o is 3,1o, vertical beamwidth phi 0o is 2o and radiation efficiency is 1,567 dB 69,7 . This research shows that the capacitive bar can improve the return loss and widen the bandwidth at a frequency resonant 1 THz. The use of dielectric silicon lens can increase the gain and radiation efficiency. Increasing the thickness of the substrate on a silicon dielectric lens can increase the antenna gain until optimum substrate thickness. "

"Pada penelitian ini dirancang sebuah sensor dari rangkaian elektronik yang dinamakan osilator. Rangkaian osilator adalah suatu rangkaian elektronik yang dapat menghasilkan osilasi tanpa diberikan sinyal secara eksternal. Sinyal tersebut timbul karena adanya noise pada setiap komponen yang digunakan. Osilasi tersebut timbul juga karena adanya rangkaian resonator yang menyebabkan sinyal tersebut beresonansi dan amplifier yang menguatkan sinyal tersebut sehingga tidak teredam. Osilator yang digunakan adalah jenis LC dimana rangkaian penyusun resonatornya yaitu induktor dan kapasitor. Dengan mengubah nilai induktansi dan kapasitansi pada resonatornya, maka frekuensi osilasinya akan berubah. Perubahan frekuensi terhadap perubahan nilai komponen induktor dan kapasitor tersebut dijadikan sebagai karakteristik sensor induktif dan kapasitif dalam hal sensitivitas, range, dan linieritas dari perubahan tersebut. Osilator yang digunakan yaitu tipe Colpitts dan Hartley, dimana setiap tipe memiliki konfigurasi resonator yang berbeda dengan amplifier yang sama. Karakteristik dari setiap tipe osilator akan dibandingkan sehingga akan didapat karakteristik sensor yang baik dalam penggunaannya. Dari hasil penelitian, didapat karakteristik sensor induktif yang baik pada tipe Colpitts dengan nilai sensitivitas yaitu -78 kHz/μH pada range perubahan induktansi 2-40 μH dan perubahan frekuensi sekitar 3.889-0.921 MHz. Untuk sensor kapasitif memiliki karakteristik yang baik pada tipe Hartley dengan sensitivitas yaitu -1.983 MHz/nF pada range perubahan kapasitansi 0.05-1.5 nF dan perubahan frekuensi 3.695-0.819 MHz.

---

In this research was design an electronic sensor is called oscillator. Oscillator circuit is an electronic circuit produce oscillation without signal from external. Signal exist in this circuit because the noise signal from the components of the circuit. Signal will resonance because the resonator and will amplify by the amplifier. Oscillator circuit using LC oscillator. When the inductive and capacitive components are changed, oscillation frequency will change. Change of frequency and component value will be taken for sensor characteristic. Type of oscillators will be used are Colpitts and Hartley. Each of type is different in resonator configuration but same in amplifier. Each of characteristic is compared which is one better. Colpitts has a good characteristic in inductive sensor with sensitivity value is -78 kHz/μH at inductive range 2-40 μH and frequency range is 3.889-0.921 MHz. For capacitive sensor, Hartley has a good characteristic with sensitivity value is -1.983 MHz/nF at capacitive range is 0.05-1.5 nF and frequency range is 3.695-0.819 MHz."