Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

Abstrak :
Investigate the optical properties and structures of CdS thin film as functions of deposition rate and annealing process, it was made the CdS thin film on the substrate glass by thermal co-evaporation CdS+S methode.To investigate the optical properties and structures of CdS thin film as functions of deposition rate and annealing process, it was made the CdS thin film on the substrate glass by thermal co-evaporation CdS+S methode. The deposition rates were adjusted to 4 A/s, 8 A/s, 12 A/s and 16 A/s and the annealing temperatures were to 200 °C, 300 °C and 400 °C- The thickness of thin films were around 7000 A. The optical constant and band gap energy were calculated from the Reflectance ( R ) and Tansmittance (T) by using O.S. Heavens formula. The value of R and T were obtained from UV-VIS Spectrofotometre with the wavelength from 400 inn to 800 run. From the calculations it was found that the deposition rate affected the optical properties and structures. At wave length 550 nm, the deposition rates 4 A/s, 8 A/s, 12 A/s and 16 A/s give the real refractive index n 2.534; 2.503; 2.46; 2.505 respectively and the absorption coefficient a 1.15 x 103, 5.96 x 103, 4.38 x 103, 7.33 x 103 /cm respectively and the band gap energy 2,46 eV, 2,44 eV, 2,42. eV, 2.40 eV respectively and the grain sizes 816 4 A, 291.5 A, 256.7 A, 251.1 A respectively. The annealing process to 200 °C, 300 0C and 400 0C also affected the optical properties and structures. At deposition rate 4 A/s the process without annealing, annealing to 200 °C, 300 °C and 400 °C give the real refraction index 2.513, 2.56, 2.54, 2.53 respectively and the absorption coefficient l .15x 103, 6 x 103, 7 x 103, 4 x 103 /cm respectively and the band-gap energy 2.46 eV, 2,43 eV, 2,40 eV, 2,42 eV respectively. At deposition rate 8 A/s the process without annealing, annealing to 200 °C, 300 °C and 400 0C give the real refraction index n 2.503, 2.527, 2.504, 2.505 respectively and the absorption coefficient 5.96x103, 6.5 x I03, 7.17 x l03 , 3-37 x 103 /cm respectively and the band gap energy 2,44 eV, 2,43 eV, 2.40 eV, 2,41 eV respectively. At deposition rate 12 A/s the process without annealing, annealing to 200 °C, 300 °C and 400 0C give the real refraction index n 2.46, 2.546, 2.495, 2.485 respectively and the absorption coefficient 4.38 x 103, 1.27 x 103, 0.15 x 103, 0.23 x 103 /cm respectively and the band gap energy 2.42 eV, 2,42 eV, 2,43 eV, 2,44 eV respectively. At deposition rate 16 A/s the process without annealing, annealing to 200 °C. 300 °C and 400 0C give the real refraction index n 2.505, 2.498, 2.499, 2.497 respectively and the absorption coefficient 7.33 x 103, 2.9 x 103, 1.7 x 103, 1.95 x 103 1cm respectively and the band gap energy 2,40 eV, 2,41: eV, 2,4.2 eV, 2,43 eV respectively. The c3-stall structures of thin film are found to be hexagonal with preferred orientation (002). The annealing processes affect the grain size. At the deposition rate 4 A's, the annealing process to 400 °C changed the grail? size from 816 A to 193,5 A. At the deposition rate 8 A/s, the amtealing process to 400 0C changed the grain size from 291,5 A to 168 A. At the deposition ratel2 A/s, the annealing process to 400 °C changed the grain size from 256,7 A to 198,2 A. At the deposition rate 16 A/s, the annealing process to 400 °C also changed the grain size from 251,1 A to 235,9 A.

---

Guna mengetahui perubahan sifat optis dan struktur terhadap laju deposisi pembuatan lapisan tipis dan juga terhadap anil, dibuat lapisan Cds dengan co-evaporasi termal CdS dan S diatas substrat kaca. Laju deposisi dibuat pada 4 A/s, 8 A/s, 12 As dan 16 A/s. Anil dilakukan pada setiap laju deposisi dengan 3 macam teinperatur yaitu: 200 0C, 300 oC dan 400 0C_ Ketebalan lapisan yang dibuat berkisar 7000 A. Konstanta optis yaitu koefisien absorpsi dan indek bias dihitung dari reflektansi R dan transmisi T berdasarkan metode fungsi minimal dengan menggunakan persamaan O.S. Heavens. Dad kurva koefisien abrsoipsi terhadap energi foton dibuat lebar pita terlarang CdS. Pengukuran nilai R dan T dilakukan dengan alat UV-VIS Spektrofotometer pada panjang gelombang 400 nm - 800 nm. Dari penelitian didapatkan bahwa laju deposisi mempengaruhi sifat optis material. Didapatkan nilai indek bias nyata pada laju deposisi 4 Als, 8 A/s, 12 A/s dan 16 A/s pada panjang gelombang 550 nm masing masing 2,534; 2,503; 2,46; 2,505 dan koefisien absorpsi masing-masing adalah 1,15 x 103; 5,96 x 103; 4,38 x I03; 7,33. x 103 /cm dan lebar pita terlarang masing-masing adalah 2,46 eV, 2,44 eV, 2.42 eV dan 2,40 eV. Besar butir menurun dengan meningkatnya laju deposisi. Besar butir pada laju deposisi 4 Als. 8 A/s, 12 AN dan 16 A/s berturut-turut adalah 816 A , 291,5 A, 256,7 A dan 251,1 A. Proses anil memberikan basil bahwa dari suhu 200 0C sampai 400 oC terjadi perobahan sifat optis dan struktur. Pada laju deposisi 4 A/s berturut-turut untuk proses tanpa anil, anil 200 0C, 300 oC dan 400 oC indek bias nyata n adalah 2,513; 2,56; 2,54 dan 2.53 dan nilai koefisien absorpsi adalah 1,15x103; 6 x 103; 7 x 103; 4 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2.46 eV, 2,43 eV, 2,40 eV dan 2,42 eV. Piida laju deposisi 8 A/s berturut-turut untuk proses tanpa anil, anil 200 0C, 300 oC dan 400 oC indek bias nyata n adalah 2,503; 2,527; 2,504 dan 2,505 dan nilai koefisien absorpsi adalah 5.96x 103; 6,5 x 103; 7,17 x 103; 3,37 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2,44 eV, 2,43 eV, 2,40 eV dan 2,41 eV. Pada laju deposisi 12 A/s berturut-turut tmtuk proses tanpa anil, anil 200 0C, 300 'DC dan 400 oC indek bias nyata n adalah 2,46; 2,546: 2,495 dan 2,485 dan nilai koefisien absorpsi adalah 4,38 x 103; 1,27 x 103; 0,15 x 103; 0,23 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2.42 eV, 2,42 eV, 2,43 eV dan 2,44 eV. Pada laju deposisi 16 A/s berturut-turut untuk proses tanpa aril, aril .200 0C, 300 oC dan 400 0C indek bias nyata n adalah 2,505; 2,498; 2,499 dan 2.497 dan nilai koefisien absorpsi adalah 7,33 x 103; 2,9 x 103; 1,7 x 103; 1,95 x 103 /cm dan lebar pita terlarang adalah 2,40 eV, 2,41 eV, 2,42 eV dan 2,43 eV. Stniktur kristal lapisan tipis CdS yang terbentuk adalah heksagonal dengan prefi-'rred 0i-lank-Ilion (002). Proses anil inerubah besar ukuran butir. Pada sampel dengan laju deposisi 4 A/s anil 400 oC inerubah besar butir dart 816 A ke 193,5 A. Sampel dengan laju deposisi 8 A/s anil 400 oC merubah besar butir dari 291,5 A ke 168 A. Sampel dengan laju deposisi l2 A/s anil 400 oC merubah besar butir dari 256,7 A ke 198,2 A. Sampel dengan laju deposisi 16 A/s anif 400 oC merubah besar butir dari 251,1 Ake 235,9 A.

Abstrak :
ABSTRAK
Untuk meneliti perubahan sifat optis lapisan tipis ZnS terhadap anil, telah dibuat lapisan ZnS setebal ± 6.000 dan ± 12.500 Angstrom yang dideposisikan di atas substrat kaca dengan proses evaporasi termal. Konstanta optis, yaitu koefisien absorpsi dan indeks bias, dihitung dari data reflektansi R dan transmisi T berdasarkan metode yang dikembangkan oleh Y. Hishikawa. sari kurva koefisien absorpsi terhadap energi foton dihitung lebar pita terlarang ZnS. Nilai R dan T pada 350 nm s ? 800 nm diukur menggunakan UV-VIS Spektrofotometer. Hasil penelitian menunjukkan bahwa lapisan ZnS setebal 6.000 dan 12.500 A memberikan reaksi yang berbeda terhadap proses anil yang diberikan. Koefisien absorpsi lapisan 12.500 Angstrom mengalami penurunan terbesar pada temperatur 300°C yaitu sebesar - 9000/cm, sedangkan nilai koefisien absorpsi lapisan 6.000 Angstrom dapat dikatakan tidak berubah. Indeks bias lapisan 12.500 Angstrom dan 6.000 Angstrom turun sebesar 0,3 dan 0,2 pads 400°C. Lebar pita terlarang pada kedua macam ketebalan adalah sama dan tidak berubah karena proses anil. Secara umum indeks bias dan koefisien absorpsi lapisan 6.000 A lebih tinggi daripada 12.500 A. Jadi indeks bias dan koefisien absorpsi ZnS tergantung pada tebal sampel dan proses anil yang telah dilalui.

Abstrak :
Pada eksperimen ini telah dibuat lapisan tipis CuInSe2 pada substrat kaca (n=1,51) dengan temperatur substrat 150°C dan 200°C deagan variasi ketebalan sekitar 0,2-0,45 un dengan metode evaporasi thermal dalam vakum. Kemudian dilakukan pengukuran sifat optik dan listriknya. Dari nilai-nilai transmitansi dan reflektansi yang diperoleh digunakan untuk menghitung indeks bias, koefisien absorbsi dan energi gap dari lapisan tipis CulnSe2. Pada eksperimen ini didapatkan hasilnya sebagai berikut; Indek bias ( n) sekitar 2,6 - 4,7, koefisien absorbsi (a) sekitar ( 2 - 9 ) x 104/cm dan energi gap sekitar ( 1,02 - 1,45 ) av. Untuk sifat listriknya ternyata resistivitas listrik dari lapisan tipis ini merupakan fungsi dari ketebalan. Yaitu semakin tipis ketebalan lapisan, semakin besar harga resistivitas listriknya. Harga resistivitas listrik dari lapisan tipis CulnSe2 ini sekitar 1,4 - 3,4 ohm cm dan semua sampel ternyata mempunyai type ? n. Kesimpulan yang diperoleh dari hasil penelitian ini, bahwa lapisan tipis CuInSe2 ini merupakan bahan semikonduktor yang potensial untuk dapat dikembangkan, terutama penggunaannya sebagai bahan penyerap sinar matahari pada solar sel.

Abstrak :
Indonesia merupakan Negara maritim dengan 70% wilahnya adalah perairan, namun krisis air bersih menjadi masalah utama yang belum terselesaikan. Teknologi fototermal merupakan upaya untuk memperoleh air bersih dengan material yang dapat mengkonversi cahaya matahari menjadi panas untuk menguapkan air, material yang digunakan adalah MoS2. Molibdenum disulfide (MoS2) memiliki struktur kristal berlapis dengan fasa utama 2H-MoS2 dan memiliki bentuk morfologi lembaran-lembaran yang membentuk nanoflowers dengan struktur heksagonal. Sebagai material semikonduktor, MoS2 mampu memanen cahaya pada spektrum luas dalam rentang cahaya tampak. Pada penelitian ini, MoS2 dibuat menggunakan metode hidrotermal dengan variasi durasi waktu sintesis 8, 12, dan 16 jam untuk mengamati efek efisiensi serta laju evaporasi yang optimal. Sampel MoS2-8jam menunjukkan laju evaporasi mencapai 3,31 kg/m2h dan efisiensi sebesar 104,87% yang menunjukkan bahwa mendapati hasil lebih tinggi dari dua sampel lainnya. Durasi waktu sintesis MoS2 yang singkat, dengan ukuran partikel yang kecil memiliki kemampuan penyerapan cahaya yang baik. Dimana hal ini menunjukkan bahwa MoS2 dapat meningkatkan kinerja fototermal untuk memperoleh air bersih yang efisien ......Indonesia is a maritime country, with 70% of its territory being water, but the clean water crisis is a major unresolved problem. Photothermal technology is an attempt to obtain clean water with a material that can convert sunlight into heat to evaporate water, the material used is MoS2. Molybdenum disulfide (MoS2) has a layered crystal structure with the main phase 2H-MoS2 and has a sheet morphology that forms nanoflowers with a hexagonal structure. As a semiconductor material, MoS2 can harvest light on a broad spectrum in the visible light range. In this study, MoS2 was prepared using the hydrothermal method with variations of synthesis time of 8, 12, and 16 hours to observe the effect of efficiency and optimal evaporation rate. The MoS2-8 hour sample showed an evaporation rate of 3.31 kg/m2h and an efficiency of 104.87%, which indicated that the yield was higher than the other two samples. The duration of the synthesis of MoS2 is short. With a small particle size, it has good light absorption ability, showing that MoS2 can improve photothermal performance to obtain efficient, clean water.

Abstrak :
Air murni (H2O) terdiri darl senyawa isotop-isotop oksigen C^O, dan ^"O) dan hidrogen (^H, dan ^H) yang merupakan isctop yang stabil. Terjadinya traksinasi isotop melalui proses evaporasi sebagai akibat penyinaran langsung sinar matahari akan membawa konsekuensi terhadap komposisi isotop aiam pada suatu perairan yang terbuka. Proses fraksinasi tersebut berakibat isotop ringan seperti dan akan menguap terlebih dahulu dan pada air waduk akan tertinggal isotop berat seperti dan dengan kata lain air waduk mengalami pengkayaan isotop berat. Penelitian dilakukan pada 7 lokasi keramba yang berbeda di waduk Jatiiuhur. Berdasarkan hasil data diperoleh bahwa pada keramba 1, 2, dan 3 mempunyai nilai isotop aiam yang lebih kaya (enrich) dibandingkan yang iainnya, hal ini membuktikan bahwa pada keramba tersebut mempunyai karakteristik sebagai air yang diam sehingga kurang baik untuk dijadikan tempat budidaya ikan jaring apung

Abstrak :
Evaporasi air merupakan sistem penguapan dengan memanfaatkan sinar matahari untuk memberikan solusi keterbatasan air bersih karena dampak lingkungan minimal. Sistem evaporasi fototermal menggunakan material fototermal mengkonversi sinar matahari menjadi panas untuk menguapkan air kemudian uap air mengalami kondensasi untuk menghasilkan air bersih. Pada sistem evaporasi fototermal ini menggunakan material Molybdenum Disulfide (MoS2) karena memiliki karakteristik memiliki spektrum penyerapan luas pada cahaya tampak yang ditumbuhkan di atas Carbon Cloth (CC) untuk mengoptimalkan performa fototermal melalui metode hidrotermal. Pengembangan MoS2 dilakukan dengan mengubah rasio prekursor Na2MoO4∙ 2H2O dan CS(NH2)2. Berdasarkan ini diamati pengaruh rasio prekursor terhadap fasa, morfologi, absorbansi, dan kinerja MoS2 dalam proses evaporasi air. Hasil pengujian kinerja fototermal sistem evaporasi air sampel MoS-15 memiliki laju evaporasi air tertinggi, yaitu 1.62 kg/m2h. Berdasarkan hasil ini dapat disimpulkan bahwa peningkatan rasio prekursor CS(NH2)2 yang sesuai dapat meningkatkan kinerja MoS2 sebagai material fototermal yang dapat menyerap cahaya matahari sehingga memiliki potensi untuk pemerolehan air bersih. ......Water evaporation is a system that utilizes solar energy to address the clean water crisis with minimal environmental impact. The photothermal evaporation system uses photothermal materials to convert sunlight into heat, causing water to evaporate and subsequently condense to produce clean water. In this photothermal evaporation system, Molybdenum Disulfide (MoS2) is used as the material of choice due to its broad absorption spectrum in visible light. It is grown on Carbon Cloth (CC) to optimize the photothermal performance using a hydrothermal method. The development of MoS2 is carried out by varying the precursor ratio of Na2MoO4 ∙ 2H2O and CS(NH2)2. Based on this, the influence of the precursor ratio has been observed on the phase, morphology, absorbance, and performance of MoS2 in the water evaporation process. The performance testing of the photothermal water evaporation system shows that the MoS-15 exhibits the highest water evaporation rate, reaching 1.62 kg/m2h. From these results, it can be concluded that an appropriate increase in the CS(NH2)2 precursor ratio enhances the performance of MoS2 as a photothermal material capable of absorbing sunlight, thus showing potential for obtaining clean water.