Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Telah dilakukan penumbuhan polikristal A1B111Cv12 untuk senyawa ternary AgInSe2 menggunakan tungku sederhana model vertikal dengan temperatur zona tunggal yang telah dimodifikasi. Sifat-sifat polikristal yang dihasilkan kemudian dikarakterisasi menggunakan XRF, XRD dan SEM/EDX masing-masing untuk komposisi, struktur kristal dan struktur mikronya. Difraktogram sinar-X yang dianalisis menggunakaan paket program kristalografi GSAS memperlihatkan bahwaAglnSe2 dengan group ruang 142d merupakan fasa utama dengan parameter kisi a dan c masing-masingnya 6, 1234 A dan 11,7200 A dengan struktur kristal I Center Tetragonal (Chalcopyrite) Selain fasa utama, juga terdapat fasa lain yaitu AglnsSee dengan group ruang P42m dan Se dengan group ruang P3121. Hasil dari XRD ini sesuai dengan data yang didapat dari XRF dan SEM/EDX. Hal ini memberikan arti bahwa tungku sederhana model vertical dengan temperatur zona tunggal yang telah dimodifikasi tersebut bisa digunakan untuk penumbuhan polikristal AgInSe2 akan tetapi untuk mendapatkan fasa tunggal AglnSe2 tungku tersebut perlu lebih disempurnakan.

---

The growing of polycrystals A1B111C2 vr for ternary compounds of AglnSe2 by using modified simple vertical single zone temperature furnace has been carried out. The properties of obtained polycrystals were then characterized by XRF, XRD and SEM/EDX for composition, crystal structure and microstructure respectively. X-ray diffractogram, which have been analysed by using crystallographic software Q_ackage GSAS, showed that AglnSe2 was the main phase with the space group 142d and lattice parameters a and c of 6, 1234 A and 11 , 7200 6 respectively. The other coexisting phases as AglnsSea with the space group P42m and Se with the space group P3121 , however, were also identified. These phases were in agreement with compositional and microstructural analysis obtained by XRF and SEM/EDX. The results imply that the modified simple vertical single zone temperature furnace can be used to grow polycrystals AglnSe2, yet to obtain single phase of AglnSe2, the furnace needs to be improved."

"Ingot GaSb dibuat dengan teknik "melt growth" yang menggunakan ampul kuarsa yang divakumkan. Temperatur fusi kira-kira 760°C dan ditahan selama 12 jam. Karakterisasi dengan spektroskopi fluoresensi sinar-x (XRF) menunjukkan fraksi atom Ga sekitar 37% dan Sb 60% untuk setiap irisan ingot. Hal ini menunjukkan bahwa ingot ini adalh uniform dan multifasa. Tetapi hasil analisis dengan spektroskopi difraksi sinar-x (XRD) menunjukkan puneak-puneak (peak) XRD didominasi oleh puneak karakteristik GaSb yang mempunyai struktur fee dan berorientasi pada bidang [111 ] yang terjadi pada 2 0 = 29,4° , sehingga diperkirakan bahwa atom-atom Sb yang berlebihan bukan dalam bentuk non kristalin atau berfasa amorf. Pengujian dengan mikroskop optik tidak menampakkan seeara jelas adanya butir-butir kristal atau batas butir, kemungkinan disebabkan oleh ukuran-ukuran butir yang sangat keeil. Karakterisasi listrik memberikan harga resistivitas dalam rentang ( 1,3 - 7, 1 ) x 104 nm. Untuk penelitian lebih lanjut dianjurkan agar Ga ditambah untuk mengkompensasi Ga yang hilang pada saat terjadi fusi."

"Pembuatan polikristal Copper Galium Diselenide (CuGaSe2) telah dilakukan dengan menggunakan tungku horizontal zona temperatur tunggal. Unsur-unsur penyusun dicampur, dilelehkan dan selanjutnya didinginkan sehingga menghasilkan polikristal. Kristal yang dihasilkan dikarakterisasi meliputi identifikasi struktur menggunakan XRD (X Ray Diffraction), analisis reaksi kimia selama penumbuhan menggunakan DTA (Differensial Thermal Analysis) dan komposisi unsur menggunakan SEM (Scanning Electron Microscopy).Kristal yang dihasilkan secara visual cukup baik dan tidak menempel pada dinding ampoule. Struktur kristal sampel adalah chalcopyrite. Berdasarkan pengukuran diperoleh nilai parameter kisi ingot a=b, secara berurutan untuk ingot bagian atas, tengah dan bawah adalah 5,613 A; 5,612 A dan 5,615 A; dan nilai c adalah 11,014 A; 10,992 A dan 11,013 A."