Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

Abstrak :
Sampel Nd2Fe14B yang berupa bubuk dan berwama hitam telah diperiksa dengan difraksi sinar-x pada temperatur 299,7 K. Data hasil difraksi sinar-x tersebut dianalisis dengan analisis Rietveld untuk memperhalus parameter-parameter mikronya. Sebanyak 25 parameter telah diperhalus, yaitu: koordinat atom (12), koefisien puncak FWHM (3), konstanta kisi (2), faktor skala (I), titik nol (1), latar belakang (4), orientasi yang disukai (1) dan bentuk puncak (1). Struktur kristal Nd2Fe14B adalah tetragonal (grup ruang P42/mnm) dengan konstanta kisi a = b = 8,782 Ǻ , dan c = 12,146 Ǻ , orientasi yang disukai pada bidang refleksi (331) di 2θ = 52°. Dengan koordinat atom hasil penghalusan tersebut dicari jarak rata-rata atom tetangga terdekat (rave) setiap posisi, hasil tersebut digunakan untuk menghitung momen magnetik lokal (mi), diperoleh m Nd(4f) = 1,81 µB, m Nd(4g) = 2,79 µB, m Fe(16k1)=1,89 µB, m Fe(16k2) = 2,03 µB, m Fe(8j1)= 1,87 µB, m Fe(8j2) = 2,34 µB, m Fe(4e)=1,87 dan m Fe(4c)=1,64 µB, Sedangkan besaran intrinsik energi maksimum (BH)max adalah 64,18 MGOe atau 510,87 kJ/m3.

Abstrak :
Telah dibuat program komputer dalam lingkungan Delphi untuk analisis kualitatif material menggunakan metode Hanawalt. Data difraksi sinar-x dipcroleh dari XRD Phillips yang ada di program studi Ilmu Material Universitas Indonesia. Hasil analisis program dibandingkan dengan database yang ada pada PDF (Powder Diffraction File) dari ICDD (International Centre for Diffraction Data) . Untuk jarak kisi ternyata memiliki kesesuaian yang baik. Kesemua data kemudian diproses lebih lanjut dengan GSAS (General Structure Analysis System). DiperoIeh konsistcnsi antara program Delphi yang dibuat dengan analisis dengan GSAS.

---

A Computer Program in Delphi environment has been completed to qualitative analyze using Hanawalt Method. The x-ray diffraction data were obtained by XRD Phillips machine in the Material Science program University of Indonesia. The Delphi result were compared by the database in the PDF (Powder Diffraction File) of ICDD (International Centre for Diffraction Data) , good agreement was found for the d space. All the data were subject to be analyzed further by the GSAS (General Structure Analysis System).

Abstrak :
Film Ba0,5Sr0,5TiO3 doping Ga2O3 (BGST) telah berhasil dibuat di atas substrat Si(111) dengan proses penumbuhan larutan kimia 1 M larutan BGST [(BaxSr1-xTi1-yGay) O3-y/2] dan dilanjutkan dengan spin coating pada kecepatan putar 3000 rpm selama 30 detik. Karakterisasi yang dilakukan berupa struktur mikro menggunakan XRF, XRD dan SEM serta uji sifat ferroelektrik. Hasil XRF menunjukkan unsur-unsur pembentuk BST telah terdeposit. Sementara hasil XRD pada substrat Si(111) didapatkan nilai parameter kisi untuk BST, BGST (1%, 2% dan 4%) berturut-turut sebesar 3,9469Å, 3,9354Å, 3,8617Å dan 3,7550Å. Adapun bidang hkl yang muncul yaitu (100) untuk sampel BST dan BGST1M1%Si serta bidang (100) dan (110) untuk sampel BGST1M2%Si dan BGST1M4%Si. Hasil analisa SEM menunjukkan bahwa permukaan film BST maupun BGST dengan variasi doping masih heterogen. Hasil uji histerisis menunjukkan adanya hubungan yang linear antara nilai polarisasi dengan nilai medan listrik yang diberikan. Nilai polarisasi spontan memiliki hubungan yang berbanding terbalik dengan nilai parameter kisi suatu bahan. Polarisasi spontan hasil perhitungan berdasarkan posisi atom diperoleh untuk BGST1M1%Si, BGST1M2%Si dan BGST1M4%Si berturut-turut 51,6550(µC/ cm2 ) , (µC/ cm2 ) dan 56,7375 (µC/ cm2 ). A film of Ga2O3 doped Ba0.5Sr0.5TiO3 (BGST) is successfully make on silicon substrate (111) using chemical solution deposition process 1M BGST (BaxSr1-xTi1-yGay)O3-y/2 solution followed by spin coating process with spin velocity 3000 rpm for 30 second. Characterizations conducted are micro structure characterization using XRF, XRD and SEM and ferroelectric property. The result of XRF shows that the BST forming elements are already deposited. Where as the result of XRD on silicon substrate (111) shows the lattice parameter for BST, BGST (1%, 2% and 4%) are respectively as follow: 3.9469 Å , 3.9354 Å , 3.8617 Å and 3.7550 Å . In addition, the XRD result also show that the hkl plane observed is (100) plane for BST sample and BGST1M1%Si, and (100) and (110) planes for BGST1M2%Si and BGST1M4%Si. The result of SEM shows that the films surface of BST as well as BGST with various doping concentration are still heterogeneous. The result of hysterisis test shows the existence of directly proportional relationship between the polarization value and electric field value. The spontaneous polarization value is conversely proportional to the lattice parameter value of material. The spontaneous polarization value obtained from calculation based on atomic position for BGST1M1%Si, BGST1M2%Si and BGST1m4%Si are respectively as follow: 51.6550, 53.6454 and 56.7375 (µC/ cm2 ).

Abstrak :
Film BST 1M dan BST 1M doping Nb2O5 dengan variasi % doping (1%, 2%, 4%) dideposisikan pada substrat Si (111) dan gelas corning dengan metode penumbuhan CSD (chemical solution deposition) dengan teknik spin-coating pada kecepatan putar 3000 rpm selama 30 detik. Film yang terbentuk dilanjutkan dengan proses sintering pada temperatur 450ºC untuk substrat corning dan 850ºC untuk substrat Si (111) selama 3 jam. Sistem kristal dan orientasi film BST dan BNST diuji dengan difraksi sinar-X dan dilakukan penghalusan (refinement) dengan analisa Rietveld yaitu menggunakan GSAS. Hasil penghalusan dengan GSAS diperoleh fasa BST yang terkandung pada film BST 1M, BNST 1M 1%, 2% dan 4% (substrat silikon) bersesuaian dengan Ba0,5Sr0,5TiO3 (ICDD) dengan sistem kristal kubik dan parameter kisi (a) berturut-turut 3,944Å, 3,949Å, 3,950Å, 3,904Å. Sedangkan untuk film BNST 1M 1%, 2% dan 4% (substrat corning) bersesuaian dengan BaTiO3 (ICDD) dengan sistem kristal tetragonal dan parameter kisi (a=b) berturut-turut 3,997Å, 3,987Å, 3,996Å, parameter kisi (c) 4,051Å, 4,041Å, 4,058Å. Hasil SEM film BST dan BNST 1M menunjukkan bahwa morfologi permukaan belum merata dan belum homogen. Harga polarisasi spontan film pada substrat Si (111) untuk BNST 1M 1% adalah 72,100µC.cm-2, BNST 1M 2% adalah 71,680µC.cm-2 dan BNST 1M 4% adalah 51,440µC.cm-2. Sedangkan harga polarisasi spontan film pada substrat corning untuk BNST 1M 1% adalah 121,440µC.cm-2, BNST 1M 2% adalah 121,450µC.cm-2 dan BNST 1M 4% adalah 119,690µC.cm-2. ......1M BST film and 1M Nb2O5 doped BST film with various Nb2O5 content (1%, 2% and 4%) are deposited on both silicon substrate and corning glass substrate, using CSD (chemical solution deposition) growth method by means of spin-coating technique with spin velocity 3000 rpm for 30 second. The resulted film is then followed by sintering process at 450ºC for corning glass substrate and 850ºC for silicon substrate for 3 hours. The crystal system and orientation of BST and BNST film are observed with X-ray diffraction and then the results are refined using Rietveld analysis feature in GSAS. After refinement process using GSAS, the BST phase contained within the 1M BST film and 1M Nb2O5 doped BST films (Nb2O5 content: 1%, 2% and 4%) on silicon substrate is found to be equal to Ba0.5Sr0.5TiO3 phase (ICDD) with cubic crystal system and lattice parameter (a) respectively as follow: 3,944Å, 3,949Å, 3,950Å, 3,904Å. Whereas for 1M BNST films (Nb2O5 content: 1%, 2% and 4%) on corning glass substrate, the BST phase contained is found to be equal to BaTiO3 phase (ICDD) with tetragonal crystal system and lattice parameter (a=b) respectively as follow: 3,997Å, 3,987Å, 3,996Å and lattice parameter (c) respectively as follow: 4,051Å, 4,041Å, 4,058Å. The SEM result of 1M BST and 1M BNST films show that the surface morphologies are not yet smooth and still heterogen. The spontaneous polarization value of the film on silicon substrate for BNST 1M 1% is 72,100µC.cm-2, BNST 1M 2% is 71,680µC.cm-2 and BNST 1M 4% is 51,440µC.cm-2. Whereas the spontaneous polarization value of the film on corning glass substrate for BNST 1M 1% is 121,440µC.cm-2, BNST 1M 2% is 121,450µC.cm-2 and BNST 1M 4% is 119,690µC.cm-2.

Abstrak :
Pencarian bahan pengganti material dielektrik SiO2 sebagai bahan penelitian cukup lama dilakukan para peneliti. Bahan yang menjadi alternatifnya adalah Ba0.5Sr0,5TiO3, memiliki sifat yang cukup dipengaruhi oleh microstructure. Lapisan tips BST Ba0.5Sr0,5TiO3 dengan variasi molaritas 0,25M , 0,5M , dan 1 M telah berhasil dibuat di atas substrat Si. Penulis mengamati pelebaran puncak sinar x dan menggunakan pelebaran tersebut untuk mencari ukuran butir dan strain mikro non homogen dengan menggunakan metode Williamson-Hall.

---

Substitution material dielectric SiO2 searching as material studies have been done by many researches. Alternative material, Ba0.5Sr0,5TiO3, have characters which influenced by microstructure. Thin layer of Ba0.5Sr0,5TiO3 with molarities variation 0,25 M , 0,5 M , and 1 M have been made on Si substrate. We observed the X-Ray Diffraction peak width at half maximum (FWHM) and using them as input of Williamson-Hall method to get the grain size and non homogeneous micro strain in the materials.