Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Color matching ( CM ) is a process to get a color of sample from mixing primaries color until result color difference less than 0.5 (AE < 0.5 ). In this research, a colorant is water based ink ( fexography) on white craft. We use red, blue, yellow, black and white as primaries. As a standard we use illuminant CIE A with color temperatur ( T ) 2854 K and standard observer CIE 1931 with observer angle 2°. Primaries color and their combination have been measured with spectrophotometer UV -VIS in the range of wavelength 400 - 700 run. Spectrophotometry (R Vs X ) data convert to tristimulus value ( X, Y, Z ), chromaticity value ( x,y,z ) and CIE L* a* b* by color calculation software. Diagram chromaticity ( x and y coordinates) from primaries color has function as color chart. First stage on color matching is to plot sample on color chart and determine a component of primaries that build a sample. Second stage is concentration calculation of component by approximation Kubelka - Munk equation and COMIX approximation by Davidson. Last stage is color difference calculation use CIE L* a* b* equation, color resulted from CM is a match with color of sample if has AE < 0.5. Method of CM tested on three sample color from ICI Stahl and a result are sample with code PP1813 (maroon) has AE = 0.1858, sample PPI859 (light brown) has AE = 01299 and sample PP1824 (dark brown) has AE = 0.3086. From this research, it is concluded that color resulted by this method has color difference less than color which resulted by colorist who have been worked 10 years in color mixing who only capable make a color which has AE = 0.9 - 1.2 ( not comply with international standard ).

---

Color matching (CM) merupakan suatu proses mendapatkan warna dari sampel melalui proses pencampuran warna-warna dasar sampai diperoleh perbedaan warna ( DE ) yang lebih kecil dari 0.5. Pada penelitian ini digunakan bahan pewarna tinta water based (flexography ) yang dicetak pada karton putih . Warna yang digunakan adalah merah, biru, kuning, hitam dan putih. Illuminant yang digunakan adalah illuminant CIE A dengan T = 2854 K. Sebagai standar observer digunakan CIE 1931 ( 2° ). Sampel warna diukur dengan spektrofotometer UV -VIS pada daerah panjang gelombang 400 -- 700 nm. Data spektrofotometri ( R Vs k ) dikonversi menjadi nilai tristimulus (X, Y, Z ), nilai kromatisitas ( x,y,z) dan CIE L* a* b* dengan menggunakan software color calculation. Peta warna ( diagram kromatisitas ) dibuat dari nilai x dan y . Tahap awal dari proses CM adalah memetakan sampel warna pada diagram kromatisitas dan menentukan komponen warrna penyusunnya. Tahap kedua adalah perhitungan konsentrasi komponen warna dengan menggunakan approksimasi persamaan Kubelka-Munk dan persamaan approksimasi COMIX oleh Davidson. Tahap akhir dan proses CM adalah perhitungan perbedaan warna dari data CIE L* a* B*, warna dinyatakan match jika AE < 0.5. Metode CM diuji pada tiga buah sampel warna dari ICI Stahl. Hasilnya adalah untuk sampel PP1813 diperoleh AE = 0.1858, sampel PP 1859 dengan AE = 0.1299 dan sampel PP 1824 dengan AE = 0.3086, Metode CM menghasilkan perbedaan warna yang jauh lebih kecil dibandingan dengan pekerjaan seorang colorist dengan pengalaman 10 tahun yang hanya menghasilkan DE = 0.9 -1.2."

"Film tipis PbSe dengan tebal 8500 A. dibuat dengan metode evaporasi termal pada tekanan < 10-5 mbar. Dari hasil Difraksi Sinar-X ternyata film menunjukkan karakteristik film tipis polikristalin dengan prefered orientation pada arah <200> yang mengindikasikan Struktur Kolumnar. Pada arah tumbuh yang disukai tidak diamati perubahan ukuran butir dan kerapatan film sebagai akibat proses anil selama 45 dan 90 menit, tapi secara umum diamati penurunan FWHM pada kondisi dianil 90 menit. Pengukuran konduktivitas listrik dilakukan dengan menggunakan metode Four Point Probe pada temperatur 11-300 K. Ketergantungan konduktivitas listrik terhadap temperatur memperlihatkan karakteristik Semikonduktor Ekstrinsik yang jelas dengan besar Pita Larangan masih ada pada harga yang diberikan oleh literatur. Juga terlihat harga konduktivitas semakin tinggi sebagai akibat proses anil yang diyakini disebabkan oleh perubahan mobilitas pada bidang-bidang lain sebagai akibat hilangnya fasa-fasa amorf yang biasanya mengelilingi butir."

"Telah dilalailan penyempurnaan metode perhitungan untuk menjelaskan proses trsanfer muatan hingga emisi cahaya pada perangkat lapisan tipis electrolumirnescence yang dikendalikan oleh tegangan bolak--balik (ACTFEL), dengan berlandaskan pada kerangka pemikiran yang diusulkan oleh Bringuier. Penyempurnaan terhadap model ini dilakukan dengan memperhitungkan faktor temperatur pada fungsi distribusi Fermi-Dirac bagi elektron-elektron pada antarmuka insulator-phosphor. Di samping itu, peristiwa rekombinasi elektron-hole yang menyertai proses multiplikasi elektron dibahas lagi dengan lebih lengkap, dengan memodelkan perhitungan laju rekombinasi yang melibatkan parameter waktu rekombinasi secara eksplisit Dengan model yang disempurnakan tersebut, dapat dijelaskan bahwa temperatur dapat berperan meningkatkan jumlah muatan maksimum yang ditransfer dan intensitas cahaya rata-rata. hanya pada daerah tegangan yang relatif rendah di atas "threshold'. Sedangkan pada tegangan tinggi, temperatur sedikit menurunkan intensitas cahaya. Proses multiplikasi elektron yang ditunjang dengan waktu rekombinasi elektron-hole yang lambat dapat meningkatkan jumlah muatan yang ditransfer serta intensitas cahaya dan menghasilkan gejala "field clamping". Namun dalam kaitan dengan besarnya muatan yang ditransfer, ukuran "cepat" atau "lambar'-nya rekombinasi ternyata adalah relatif terhadap besarnya frekuensi tegangan sumber. Efektifitas peran faktor multiplikasi dan lambatnya waktu rekombinasi dalam meningkatkan jumlah muatan yang ditranafer serta intensitas cahaya rata-rata menjadi berkurang apabila fungsi rapat keadaan makin "menyempit" (mendekati bentuk tingkat energi tunggal)."

"Telah dibuat kapasitor lapisan tipis dengan ketebalan bervariasi antara 3000 - 10.000 A. Pembuatan dilakukan dalam ruang vakum dengan metoda termal evaporasi. Lapisan Aluminium terlebih dahulu didepositkan pada substrat kaca sebagai elektroda bawah, kemudian dengan lapisan tipis Silikon monoksida sebagai bahan dielektrik, dan dilapisi lagi dengan Aluminium sebagai elektroda atas, sehingga terbentuk struktur kapasitor Al-SiO-Al. Karakterisasi dilakukan terhadap kapasitansi sehingga diperoleh konstanta dielektrik er = 6,2 + 0,4 , dan faktor disipasi sebesar 0,07% pada 1 kHz, Berta nilai kuat dielektrik dari 0,14 - 0,36 10° V cm-4. Harga kuat dielektrik terjadi penurunan dari harga standart, Ed = 1 3 10¢ V hal ini diperkirakan akibat impurity gas residu yang terjebak maupun yang teroksidasi sehingga terbentuk lapisan tipis campuran antara SiO dan SiO2. Peristiwa ini erat hubungannya dengan parameter deposisi seperti tekanan gas 02 dalam ruang vakum dan laju deposisi."

"Telah dibuat lapisan tipis In2O3: Sn (ITO) dengan metode DC Magnetron Sputtering diatas substrat soda-lime yang mudah diperoleh dan murah. Hasil pengujian menunjukkan bahwa nilai resistivitas tidak homogen pada suatu permukaan lapisan tipis. Resisitivitas minimum diperoleh bernilai 1.6 x 10-4 Ω cm. Resistivitas minimum ini umumnya diperoleh pada titik pengukuran yang berjarak 40 mm sumbu x negatif, 27 mm sumbu y negatif dari titik pada sampel yang berada tepat di atas titik pusat target. Struktur mikro menunjukkan preferred orientation pada (400). Ukuran batas butir lebih mempengaruhi resistivitas. Umumnya grain yang besar akan memiliki nilai resistivitas yang kecil.......In2O3 :Sn (ITO) thin film has been using DC Magnetron Sputtering method on soda-lime substrate which is easy to get and the price is cheap. The result show the inhomogeniety of resistivity value on the surface of thin fim. The minimum resistivity is 1.6 x 10 -4Ω cm. This value is generally obtained at the point of which is 40 mm to the left, 27 mm down of a point at the sample which is exactly on top of the target center point. The microstructure shows preferred orientation at (400), but resistivity is not depend on this. This value is determined more of the size of grain boundary. Generally, a bigger grain will result in a smaller value of resistivity. It is hypothesized that the conductivity process is caused by donors which are localized at grain boundaries. This hypothesis explained which shows the amount of grain is increase, resistivity will decrease."