Hasil Pencarian  ::  Kembali

Hasil Pencarian

Ditemukan 1 dokumen yang sesuai dengan query
cover
Ahmad Tossin Alamsyah, author
Analisis penskalaan lateral dan vertikal dari rancangan silicon germanium haterojunction bipolar transistor (HBT'S SIGE) =Lateral and vertical scaling analysis of the silicon germanium heterojunction bipolar transistor's design (HBT's SiGe)
Disain geometri dengan kombinasi lateral dan vertikal berhasil dirancang , disimulasikan pada devais Silicon Germanium Heterojunction Bipolar Transistor (HBT SiGe). Terbukti menghasilkan beberapa kelebihan terutama pada noise figure yang rendah seperti diuraikan pada disertasi ini. Riset ini bertujuan untuk mendapatkan devais dengan noise figure (Fn) yang rendah pada operasi frekuensi...
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2010
D999
UI - Disertasi (Open)  Universitas Indonesia Library