Deskripsi Lengkap

Bahasa : ind
Sumber Pengatalogan :
Tipe Konten :
Tipe Media :
Tipe Carrier :
Deskripsi Fisik : viii, 53 hlm. : ill. ; 28 cm
Naskah Ringkas :
Lembaga Pemilik : Universitas Indonesia
Lokasi : Perpustakaan UI, Lantai 3
 
  •  Ketersediaan
  •  File Digital: 0
  •  Ulasan
  •  Sampul
  •  Abstrak
No. Panggil No. Barkod Ketersediaan
S28875 TERSEDIA
Tidak ada ulasan pada koleksi ini: 20177050
 Abstrak
ABSTRAK Telah berhasil dihitung nilai polarisasi spontan Ps bulk dan lapisan tipis PZT beserta PZT doping Vanadium PVZT (Soft Doping). Lapisan tipis PZT dan PVZT dibuat dengan metode pelapis putar (Spin Coating) dengan variasi doping Vanadium pada dua macam substrat yaitu Pt(200)/Si(100) dan Corning. Hasil penelitian manunjukkan bahwa nilai parameter kisi kristal PZT bulk, yaitu: a = 4,0323 ? dan c = 4,1838 ?, dengan nilai polarisasi spontan Ps = 0,5545 C/m2, hasil ini tidak jauh berbeda dengan nilai parameter kisi pada ICDD, yaitu: a = 4,036 ? dan c = 4,146 ?. Pemberian doping Vanadium yang semakin besar akan merubah struktur kristal PZT (parameter kisi) menjadi mendekati kubus. Dengan berubahnya parameter kisi kristal mengakibatkan perubahan nilai polarisasi spontan Ps. Peningkatan doping Vanadium (V) akan menghasilkan nilai Ps yang semakin membesar. Hal ini sesuai dengan karakteristik soft doping. Kata Kunci : PZT, PVZT, bulk, spin coating, lapisan tipis, Vanadium, polarisasi spontan Ps