Analisa stress induced leakage current (SILC) dengan model trap assisted dan perbandingannya dengan fowler nordheim (FN) tunneling
(Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2002)
|
| Stress Induced Leakage C urren! (SILC) telah menjadi suatu fenomena tersendiri dalam perkembangan divais MOSFET. SILC yang lbih dikenal dengan nama arus bocor ini, hadir setting dengan berkembangnya teknologi mikron dalam sebuah divais MOSFET. Berbagai penelitian telah dilakukan demi memperoleh suatu pengertian baku yang mampu menjelaskan keseluruhan fenomena SILC ini, Diharapkan dari pengetahuan dan penelitian yang ada, arus SILC dapat diatasi, walaupun sebenarnya hal ini masih menjadi tanda tanya besar. Sejauh ini SI]_.C dqelaskan dalam bebempa model, di antaranya adalah model _field enhancement dan model trap-assisted.SILC juga dimsakan mengganggu proses kenja sebuah divais memori. Dalam proses write dan erase sebuah divais memori, SILC seringkali menyertai perpindahan muatan yang disimpan dalam sebuah divais memori. Hal ini dapat menyebabkan terganggunya besar muatan yang disimpan oleh divais tersebut_ Divais memori dalam proses kerjanya menggunakan fenomena Fowler-Nordheim (FN) tunneling, sebagai fenomena penyimpanan muamn.Dalam skripsi ini dilakukan penelitian perbandingan antara arus SILC dan arus FN. Hasil perbandingan tersebut memberi hasil bahwa, antara arus SI]..C dan ams FN terdapat sam buah titik potong, yang kemudian dinamakan titik balik. Pada saat nilai pembengkokan pita energi bemilai % dari smj`aee potential, titik balik terletak pada tegangan gate -1.633 V dan -1.733 V untuk hasil LOGEST. Pada saat nilai pembengkokan pita energi bemilai % dari surface potential, titik balik terletak pada tegangan gate -1_524 V dan -1.575 V untuk hasil LOGEST_Berdasarkan analisa yang dilakukan, juga diperoleh bahwa saat tegangan gate belum menqapai nilai titik balik, maka ants yang mengalir melalui lapisan gme-oksida-silikon, sama besar dengan nilai arus SILC.itu sendiri. |
 S39826-Verdy Veronico J.pdf :: Unduh
|
| No. Panggil : | S39826 |
| Subjek : | |
| Penerbitan : | [Place of publication not identified]: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2002 |
| Program Studi : |
| Bahasa : | ind |
| Sumber Pengatalogan : | |
| Tipe Konten : | |
| Tipe Media : | |
| Tipe Carrier : | |
| Deskripsi Fisik : | xvii, 70 hlm.il.30 cm. + lamp. |
| Naskah Ringkas : | |
| Lembaga Pemilik : | Universitas Indonesia |
| Lokasi : | Perpustakaan UI, Lantai 3 |
| No. Panggil | No. Barkod | Ketersediaan |
|---|---|---|
| S39826 | TERSEDIA |
| Ulasan: |
| Tidak ada ulasan pada koleksi ini: 20242184 |
