Rancangan surface-channel charge coupled devices dan buried-channel charge coupled devices dalam satu substrat
Riza Kurniawan;
Djoko Hartanto, supervisor
(Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 1996)
|
| Dalam penelitian ini Surface-Channel Charge Coupled Devices (SCCD) dan Burred-Channel Charge Coupled Devices (SCCD) yang memiliki karakteristik dan penerapan aplikasi yang berbeda dirancang di dalam satu substrat dengan konsentrasi impurity yang sama dan dapat difabrikasi dengan menggunakan sebuah wafer silikon saja. Rancangan ini dibuat di dalam wafer silikon tipe-p dan lapisan epitaksi tipe-n setebal 1,45 _m, panjang gate untuk SCCD dibuat 9 _m sedangkan untuk BCCD dibuat 12 um. Hasil simulasi divais pada pencatuan tegangan multifasa 13,33 MHz menghasilkan efisiensi pada SCCD dalam orde -9 dan untuk BCCD dalam orde -11 pada perpindahan elektron tiap elektroda. Simulasi divais dilakukan dengan menggunakan perangkat lunak S-PISCES 213 dari SILVACO International. |
 S38972-Riza Kurniawan.pdf :: Unduh
|
| No. Panggil : | S38972 |
| Entri utama-Nama orang : | |
| Entri tambahan-Nama orang : | |
| Entri tambahan-Nama badan : | |
| Penerbitan : | Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 1996 |
| Program Studi : |
| Bahasa : | ind |
| Sumber Pengatalogan : | LibUI ind rda |
| Tipe Konten : | text |
| Tipe Media : | unmediated ; computer |
| Tipe Carrier : | volume ; online resource |
| Deskripsi Fisik : | x, 54 pages : illustration ; 28 cm + appendix |
| Naskah Ringkas : | |
| Lembaga Pemilik : | Universitas Indonesia |
| Lokasi : | Perpustakaan UI, Lantai 3 |
| No. Panggil | No. Barkod | Ketersediaan |
|---|---|---|
| S38972 | 14-22-33523309 | TERSEDIA |
| Ulasan: |
| Tidak ada ulasan pada koleksi ini: 20243472 |
