|
Keadaan transien dart arus dan tegangan pada PWM inverter I(D full-bridge transistor bipolar dihasilkan oleh operasi transistor bipolar saat komutasi turn-on dan turn-off. Komutasi turn-on transistor bipolar dtikuti oleh arus lebih, sedangkan pada komutasi tum-off dikuti oleh tegangan lebih. Arus lebih dan tegangan lebih yang ter adt akan menyebabkan daya dissipasi pada transistor bipolar. Daya dissipasi kemudian akan menyebabkan stress pada transistor bipolar sehingga dapat merusak transistor bipolar dan komponen lainya. Untuk mengurangi daya dissipasi, maka aplikasi PWM inverter 1(D full-bridge transistor bipolar digunakan rangkatan snubber untuk mendapatkan operasi yang aman dan andal bagi transistor bipolar. Rangkaian snubber terdiri dart dioda dan elemen pasif seperti resistor, induktor dan kapasitor. Fungsi dari rangkaian snubber ini adalah untuk mengurangi arus lebih dan tegangan lebih pada transistor bipolar sehingga daya dissipasi dapat dikurangi. Pemilihan elemen rangkaian snubber (resistor, induktor dan kapasitor) adalah berdasarkan kompromi antara tingkat pengurangan arus lebih dan tegangan lebih yang diinginkan terhadap daya dissipasi yang akan dihasilkan transistor bipolar. Karakteristik konfigurasi rangkaian snubber yang akan digunakan pada PWM inverter i(D full-bridge transistor bipolar dibahas berdasarkan rangkaian ekivalen dalam komutasi tum-on dan turn-off transistor bipolar. Rangkaian ekivalen ini kemudian dianalisa, sehingga dapat memperki rakan semua arcs dan tegangan yang ada dalam komutasi turn-on dan turn-on. |
