:: UI - Skripsi Open :: Kembali

UI - Skripsi Open :: Kembali

Konsep dasar memristor analisis kurva 1 - V titanium dioxide (Ti02) memristor = Basic fundamental of memristor: analyzing I-V curve from titanium dioxide (TiO2) memristor

Franciskus Arthur M.; Djoko Hartanto, supervisor (Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2009)

 Abstrak

Skripsi ini membahas mengenai konsep dasar memristor dan analisis kurva I-V dari Titanium Dioxide (TiO2) memristor. Memristor merupakan kelas element sirkuit pasif dua terminal yang menghubungkan fungsi integral dalam waktu terhadap arus dan tegangan. Fungsi ini disebut memristansi, dimana menyerupai hambatan variabel. Secara spesifik, memristor mampu mengontrol besar nilai resistansinya, namun divais yang demikian tidak secara komersial tersedia secara masal. Definisi dari memristor secara tunggal didasarkan atas fundamental variabel sirkuit, dimana serupa dengan resistor, kapasitor dan induktor. Tidak seperti ketiga elemen dasar tersebut, dimana hanya bekerja pada linear timeinvariant atau teori LTI sistem, memristor bekerja secara nonlinear dan dapat didefinisikan oleh variasi apapun atas fungsi dari time varying atas muatan total. Pada sirkuit ini dilakukan pembuktian kurva I-V dari Titanium Dioxide memristor dengan membuat penurunan rumus yang selanjutnya disimulasikan dengan menggunakan program Simulink pada MATLAB. Salah satu hasil analisis dari kesimpulan menyatakan bahwa bentuk karakteristik kurva I-V didapatkan serupa dengan hasil experimental divais memristor dengan elektroda platina.

In this final project discusses about basic fundamental of memristor and analyzing I-V curve from Titanium Dioxide (TiO2) memristors works. Memristors are a class of passive two-terminal circuit elements that maintain a functional relationship between the time integrals of current and voltage. This function, called memristance, is similar to variable resistance. Specifically engineered memristors provide controllable resistance, but such devices are not commercially available. The definition of the memristor is based solely on fundamental circuit variables, similarly to the resistor, capacitor, and inductor. Unlike those three elements, which are allowed in linear time-invariant or LTI system theory, memristors are nonlinear and may be described by any of a variety of timevarying functions of net charge. In this circuit curve I-V from Titanium Dioxide can be proved by derive the formula, thus being simulated by using program Simulink from MATLAB. One of the conclusion stated that the characteristic from I-V curve is similar with the result from experimental device memristor using platinum as the electrode.

 File Digital: 1

Shelf

 Metadata

No. Panggil : S51464
Entri utama-Nama orang :
Entri tambahan-Nama orang :
Penerbitan : Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2009
Program Studi :
Bahasa : ind
Sumber Pengatalogan :
Tipe Konten :
Tipe Media :
Tipe Carrier :
Deskripsi Fisik : ix, 30 hlm. ; ill. ; 30 cm. + lamp.
Naskah Ringkas :
Lembaga Pemilik : Universitas Indonesia
Lokasi : Perpustakaan UI, Lantai 3
  • Ketersediaan
  • Ulasan
No. Panggil No. Barkod Ketersediaan
S51464 14-22-72019850 TERSEDIA
Ulasan:
Tidak ada ulasan pada koleksi ini: 20248966