Deskripsi Lengkap

Sumber Pengatalogan: LibUI ind rda
Tipe Konten: text (rdacontent)
Tipe Media: computer (rdamedia)
Tipe Carrier: online resource (rdacarrier)
Deskripsi Fisik: 14 pages : illustration ; 28 cm
Catatan Umum:
Lembaga Pemilik: Universitas Indonesia
Lokasi: Perpustakaan UI, Lantai 3
 
  •  Ketersediaan
  •  File Digital: 0
  •  Ulasan
  •  Sampul
  •  Abstrak
No. Panggil No. Barkod Ketersediaan
LP-pdf 09-21-353471987 TERSEDIA
Tidak ada ulasan pada koleksi ini: 20288600
 Abstrak
ABSTRAK
CMOS OP-AMP Unbuffered dua tingkat merupakan OP-AMP dengan output resistance tinggi yang terdiri dari 7 buah MOSFET. Kestabilan dari OP-AMP tersebut ditentukan oleh panjang dan lebar kanal MOSFET-MOSFET tersebut, tail current dan second stage current. Untuk memudahkan desain, panjang kanal (L) dari MOSFET-MOSFET tersebut digandeng. Pada penelitian ini dianalisis pengaruh dari perubahan panjang kanal dalam daerah cakupan l?L?20um terhadap parameter-parameter seperti slew-rate, device area, gain, gain-bandwidth, power disipasi, tegangan saturasi drain-source pada MOSFET 6 dan 7, output resistance, tegangan offset, unity gain-bandwidth dan phase-margin. Hasil rancangan CMOS OP-AMP Unbuffered dua tingkat pada panjang kanal 10 um diperoleh phase-margin 48,15°, tegangan offset -470,356 nVolt, unity gain-bandwidth 1,9307 Mhz, sedangkan parameter lainnya dibandingkan dengan referensi [2] masing-masing slew-rate +240%, gain-AV -38%, gain-bandwidth +331% dan power disipasi +125%. Selanjutnya parameter-parameter hasil rancangan tersebut dibuat konstan kecuali panjang kanalnya yang divariasikan sesuai daerah cakupan di atas. Diperoleh hasil analisis slew-rate, power disipasi, tegangan offset dan phase-margin tidak dipengaruhi oleh panjang kanal, sedangkan gain-bandwidth dan unity gain-bandwidth meningkat hingga masing-masing 8 x 107 radian dan 19,307 Mhz bila panjang kanal diperkecil. Parameter-parameter lainnya menunjukkan kecenderungan menurun bila panjang kanal diperkecil.