Lapisan tipis Barium Zirkonium Titanat (BaZrxTi1-xO3) dengan doping lantanum telah berhasil ditumbuhkan diatas substrat Pt/Si denga metode sol gel yang dilanjutkan dengan spin coating. Proses yang dilakukan dalam pembuatan lapisan tipis terdiri dari tiga tahap yaitu, pembuatan larutan, proses spin coating, dan proses annealing. Beberapa parameter ditetapkan untuk mendapatkan optimalisasi proses pembuatan lapisan tipis yang meliput jenis substrat, jumlah lapisan, dan temperatur annealing. Optimalisasi didapatkan pada lapisan tipis yang tumbuh pada susbtrat Pt/Si dengan temperatur annealing 800°C. Tingkat kekristalan dan polarisasi listrik spontan optimal pada lapisan tipis BZT didapatkan pada komposisi BaZr0.1Ti0.9O3. Pada variasi jumlah mol dopan didapatkan polarisasi listrik spontan optimum pada 1% mol dopan dengan nilai polarisasi listrik spontan 25 μC/cm2.
Barium Zirconium Titanate thin films (BaZrxTi1-xO3) doped by lanthanum have been developed in Pt/Si substrates by using sol gel method followed by spin coating. Process was done by three steps which are solvent preparation, spin coating, and annealing process. Optimum parameters were done by varying substrate, quantity of layers, and annealing temperature. The optimum parameters of BZT thin film was found on 800°C for temperature of annealing process, the optimum crystalline film and electrical spontaneous polarization was found on BaZr0.1Ti0.9O3 and doped by 1% mol of lanthanum. |
