ABSTRAK
Telah dilakukan pembuatan lapisan tipis Barium Zirkonium Titanat denganmenggunakan metode CSD (Chemical Solution Deposition) pada substrat Pt.Perbandingan komposisi Zr : Ti, temperatur annealing, tebalnya lapisan, danwaktu penahanan temperatur annealing menjadi variabel untuk mendapatkan filmtipis BZT yang terbaik. BZT dengan variasi perbandingan Zr : Ti sebesar 0,1 : 0,9,temperatur annealing 800°C, dan jumlah lapisan sebanyak 5 lapis didapatkansebagai variabel terbaik. Variabel BZT terbaik digunakan sebgai variabel untukpendopingan dengan Indium, kemudian hasilnya dianalisa dan diperhitungkansecara teoritik polarisasi spontan dari BZT yang didoping dengan Indium yangnilainya sebesar 22.93 μC/cm
Abstract
Experimental study on making of Barium Zirconium Titanate thin films using theCSD (Chemical Soulution Deposition) method on Pt substrate is reported. Theratio between Zr : Ti, annealing termperature, film thickness, and annealingtemperature holding time are the variable to achieve best BZT thin films. BZTwith Zr : Ti ratio 0,1 : 0,9, annealing temperature 800°C, and layer number 5 arethe best result acquired. The best BZT result is used as variable for doping withIndium, then the result will be analyzed and calculated the spontaneouspolarization teoritically from BZT doped by Indium and the spontaneouspolarization is 22.93 μC/cm2.; |
