:: UI - Tesis Membership :: Kembali

UI - Tesis Membership :: Kembali

Rancang bangun concurrent multiband inductive degeneration low noise amplifier dengan resonator LC = Design of concurrent multiband inductive degeneration low noise amplifier with LC resonator / Puspita Sulistyaningrum

Puspita Sulistyaningrum; Gunawan Wibisono, supervisor (Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2013)

 Abstrak

ABSTRAK
Concurrent multiband LNA merupakan salah satu tipe multiband LNA yang
mampu bekerja pada beberapa frekuensi berbeda secara simultan dalam satu
waktu. Pada tesis ini dirancang concurrent multiband LNA yang bekerja pada
empat frekuensi tengah yaitu 950 MHz, 1.85 GHz, 2.35 GHz, dan 2.65 GHz.
LNA yang dirancang menggunakan transistor HJ-FET NE3210S01 dengan bias
jenis self bias, topologi input matching inductive degeneration yang ditambahkan
resonator LC paralel, dan ditambah transistor yang dipasang cascode. Simulasi
dilakukan dengan menggunakan perangkat lunak Advance Design System (ADS),
layout dibuat dengan perangkat lunak altium designer dan kemudian difabrikasi di
atas PCB.
Hasil simulasi dari rancangan LNA menunjukkan bahwa pada keempat frekuensi
tengah 950 MHz, 1.85 GHz, 2.35 GHz, dan 2.65 GHz, S21 mencapai 21.77 dB,
17.88 dB, 16.71 dB, dan 15.85 dB untuk keempat frekuensi tengah. S11 sebesar -
23.23 dB, -20.46 dB, -17.93 dB, dan -19.69 dB. NF sebesar 0.73 dB, 0.69 dB,
0.68 dB, dan 0.75 dB.
Hasil pengukuran menunjukkan frekuensi tengah yang bergeser menjadi 665 MHz
dengan S11 -14.57 dB dan S21 -4.56 dB, 1.07 GHz dengan S11 -13.42 dB dan S21 -
5.79 dB, 1.34 GHz dengan S11 -13.34 dB dan S21 -2.01 dB, dan 2.84 GHz dengan
S11 -24.49 dB dan S21 -14.79 dB.

ABSTRACT
Concurrent multiband LNA is one type of multiband LNA that works at several
frequency bands one time simultaneously. This project presents a design of
Concurrent multiband LNA that works at four frequency centers namely 950
MHz, 1.85 GHz, 2.35 GHz, and 2.65 GHz. The simulated LNA uses HJ-FET
NE3210S01 with self bias, inductive degeneration topology added with resonator
LC, and added with cascode transistor. Simulation performed with Advance
Design System (ADS), layout is designed with altium designer software than
fabricated on PCB.
The simulation result of the LNA shows that, at four frequency centers 950 MHz,
1.85 GHz, 2.35 GHz, and 2.65 GHz, S21 achieves 21.77 dB, 17.88 dB, 16.71 dB,
and 15.85 dB respectively, S11 achieves -23.23 dB, -20.46 dB, -17.93 dB, and -
19.69 dB respectively, NF achieves 0.73 dB, 0.69 dB, 0.68 dB and 0.75 dB
respectively.
The measurement result shows that frequency centers shift, they are 665 MHz
with S11 -14.57 dB and S21 -4.56 dB, 1.07 GHz with S11 -13.42 dB and S21 -5.79
dB, 1.34 GHz with S11 -13.34 dB and S21 -2.01 dB, and 2.84 GHz with S11 -24.49
dB and S21 -14.79 dB.

 File Digital: 1

Shelf
 T35228-Puspita Sulistyaningrum.pdf :: Unduh

LOGIN required

 Metadata

No. Panggil : T35228
Entri utama-Nama orang :
Entri tambahan-Nama orang :
Entri tambahan-Nama badan :
Subjek :
Penerbitan : [Place of publication not identified]: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2013
Program Studi :
Bahasa : ind
Sumber Pengatalogan : LibUI ind rda
Tipe Konten : text
Tipe Media : unmediated ; computer
Tipe Carrier : volume ; online resource
Deskripsi Fisik : xiii, 56 pages : illustrasi ; 28 cm + appendix
Naskah Ringkas :
Lembaga Pemilik : Universitas Indonesia
Lokasi : Perpustakaan UI, Lantai 3
  • Ketersediaan
  • Ulasan
No. Panggil No. Barkod Ketersediaan
T35228 TERSEDIA
Ulasan:
Tidak ada ulasan pada koleksi ini: 20348973