Abstrak
Telah dilakukan preparasi lapisan tipis p-n junction CulnSe2 - CdS - ZnO multi layer dengan metode RF sputtering dengan penumbuhan kristal CulnSe2 menggunakan metode bridgman pada suhu 600 C. Dari pengamatan XRD memperlihatkan bahwa kristal CulnSe2 memiliki struktur tetragonal khalkopirit dengan parameter kisi a= 5,7727 A dan c= 11,6032 A, sedangkan lapisan tipis CdS mempunyai struktur heksagonal dengan parameter kisi a=4,1439 A dan c=6,72 A. Hasil pengamatan SEM menunjukkan ketebalan CdS sebesar 3,8 x 10 A mampu memberikan efek fotovoltaik optimal dengan tegangan sebesar 101 mV dan arus 0,99 A.
