Sifat listrik dan optik dari lapisan tipis ZnO: B yang ditumbuhkan dengan metode metalorganic chemical vapor deposition
([Publisher not identified]
, [Date of publication not identified]
)
|
| Telah ditumbuhkan lapisan tipis ZnO dengan metode metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) yang menggunakan gas pereaksi dimethylzinc (DMZ) dan H2O. Gas B2H6 digunakan sebagai gas doping tipe-n dan diperoleh lapisan tipis dengan sheet resistivity sebesar 2,42 ohm/sqr pada ketebalan 4,47 pm. Diperoleh bahwa penambahan laju aliran B2H6 lebih lanjut dapat menurunkan sheet resistivity. Sifat optik lapisan tipis ZnO diamati dari pengukuran data transmitansi pada panjang gelombang mulai dari daerah ultraviolet, tampak sampai daerah infra-merah dekat. Celah pita optik diperoleh sebesar 3,10 eV. Diperoleh juga bahwa dengan penambahan laju aliran B2H6,, transmitansi pada panjang gelombang di atas 1100 rim menurun karena absorpsi pembawa muatan bebas |
| No. Panggil : | JURFIN 7:20 (2003) |
| Subjek : | |
| Sumber Pengatalogan : | |
| ISSN : | 14102994 |
| Majalah/Jurnal : | Jurnal Fisika Indonesia 7 (20) April 2003. Hal. : 43-49 |
| Volume : | |
| Tipe Konten : | |
| Tipe Media : | |
| Tipe Carrier : | |
| Akses Elektronik : | |
| Institusi Pemilik : | Universitas Indonesia |
| Lokasi : | Perpustakaan UI, Lantai 4 R. Koleksi Jurnal |
| No. Panggil | No. Barkod | Ketersediaan |
|---|---|---|
| JURFIN 7:20 (2003) | TERSEDIA |
| Ulasan: |
| Tidak ada ulasan pada koleksi ini: 20426231 |
