Studi awal pemanfaatan lapisan SiO2 sebagai sensor PH
([Publisher not identified]
, [Date of publication not identified]
)
|
| Telah dibuat studi awal pembuatan sensor pH berdasarkan prinsip kerja FET, yang terdiri atas silikon tipe-p, tebal 0.1 mm yang dilapisi dengan Si02 dan alumunium (Si02/Si/A1). Permukaan Si02 adalah permukaan kontak sensor dengan cairan. Pelapisan Si02 dilakukan dengan cara meletakkan wafer Si pada udara luar selama 24 jam dan 48 jam setelah wafer dibersihkan dan dilapisi Al. Tanggap waktu sensor berkisar 40-50 detik, sedangkan sensitifitas sensor (4.7 ± 0.1) mV/pH |
| No. Panggil : | JURFIN 6:19 (2002) |
| Subjek : | |
| Sumber Pengatalogan : | |
| ISSN : | 14102994 |
| Majalah/Jurnal : | Jurnal Fisika Indonesia 19 (6) Desember 2002 Hal. : 41-46 |
| Volume : | |
| Tipe Konten : | |
| Tipe Media : | |
| Tipe Carrier : | |
| Akses Elektronik : | |
| Institusi Pemilik : | Universitas Indonesia |
| Lokasi : | Perpustakaan UI, Lantai 4 R. Koleksi Jurnal |
| No. Panggil | No. Barkod | Ketersediaan |
|---|---|---|
| JURFIN 6:19 (2002) | TERSEDIA |
| Ulasan: |
| Tidak ada ulasan pada koleksi ini: 20436629 |
