Pengaruh tekanan parsial oksigen terhadap konduktivitas listrik pada lapisan tipis In203 : Sn yang dibuat secara Dc Magnetron sputtering
Muslimin;
Na, Peng Bo, supervisor; Dedi Suyanto, examiner; Muhammad Hikam, examiner
(Universitas Indonesia, 1998)
|
| Telah dibuat lapisan tipis Indium Tin Oxide (In2O3 : SnO2 ; ITO) pada substrat kaca dengan cara dc magnetron sputtering. Perbandingan gas Argon dan oksigen dalam sputter divariasikan dari 3.1%, 5.1%, 8.0% dan 8.9%. Sampel yang dibuat digunakan untuk mempelajari pengaruh tekanan parsial oksigen terhadap sifat listrik lapisan tipis Indium Tin Oxide, pengukuran resistivitas listrik lapisan tipis dilakukan di luar vakum dengan metode four point probe untuk rentang temperatur 11°K sampai 300°K, sedangkan penentuan jumlah pembawa muatan dilakukan dengan metode efek Hall pada lapisan tipis. Energi aktivasi sebagai fungsi temperatur pada lapisan tipis ITO yang diperoleh pada penelitian ini berkisar antara 9.6 x 10.3 eV sampai 1.5 x 10-5 eV. Jika tekanan partial oksigen makin besar maka resistivitas listrik lapiasa tipis ITO makin besar sedangkan jumlah pembawa muatannya makin kecil. |
 T4659-Muslimin.pdf :: Unduh
|
| No. Panggil : | T-Pdf |
| Entri utama-Nama orang : | |
| Entri tambahan-Nama orang : | |
| Entri tambahan-Nama badan : | |
| Subjek : | |
| Penerbitan : | Depok: Universitas Indonesia, 1998 |
| Program Studi : |
| Bahasa : | ind |
| Sumber Pengatalogan : | LibUI ind rda |
| Tipe Konten : | text |
| Tipe Media : | computer |
| Tipe Carrier : | online resource |
| Deskripsi Fisik : | iiii, 41 pages : illustration ; 28 cm + appendix |
| Naskah Ringkas : | |
| Lembaga Pemilik : | Universitas Indonesia |
| Lokasi : | Perpustakaan UI, Lantai 3 |
| No. Panggil | No. Barkod | Ketersediaan |
|---|---|---|
| T-Pdf | 15-18-246913072 | TERSEDIA |
| Ulasan: |
| Tidak ada ulasan pada koleksi ini: 77864 |
