Abstract
Sebagai bahan semikonduktor. CuInSe2 yang berbentuk serbuk ( powder ) telah dibuat menjadi lapisan tipis dengan menggunakan metode evaporasi thermal. Lapisan yang dihasilkan, didapat dari dua kali evaporasi dengan temperatur substrat yang berbeda masing-masing 150 °C dan 200 °C. Untuk lapisan tipis dengan temperature substrat 150 °C diannealing pada atmosfir Selenium. sedangkan lapisan tipis dengan temperatur substrat 200 °C diannealing dalam ruang vakum selama 10 menit pada temperatur 200 °C.
Selanjutnya pengukuran sifat optik dan sifat listrik dilakukan terhadap ketiga bagian sampel. antara lain; sampel lapisan tipis yang belum diannealing dalam ruang vakum/diannealing pada atmosfir Selenium, yang diannealing dalam ruang vakum dan yang diannealing pada atmosfir Selenium yaitu untuk dikarakterisasi.
Dari hasil pengkarakterisasian dilaporkan bahwa, dengan proses annealing pada atmosfir Se dan ruang vakum bentuk spektrum transmisi dan reflektansi terlihat lebih halus. Kedua lapisan tipis ini baik yang diannealing dalam ruang vakum maupun diannealing pada atmosfir Selenium memiliki resistivitas sekitar ( 2.2 s/d 2.5 ) ohm cm dengan type konduktivitasnya cenderung lebih banyak type - N dari pada type - P.
