Deskripsi Lengkap

Bahasa : ind
Sumber Pengatalogan : LibUI ind rda
Tipe Konten : text (rdacontent)
Tipe Media : computer (rdamedia)
Tipe Carrier : online resource (rdacarrier)
Deskripsi Fisik : xi, 49 pages : illustration ; 28 cm + appendix
Naskah Ringkas :
Lembaga Pemilik : Universitas Indonesia
Lokasi : Perpustakaan UI, Lantai 3
 
  •  Ketersediaan
  •  File Digital: 1
  •  Ulasan
  •  Sampul
  •  Abstrak
No. Panggil No. Barkod Ketersediaan
T-Pdf 15-17-571787628 TERSEDIA
Tidak ada ulasan pada koleksi ini: 81145
 Abstrak
Telah dibuat kapasitor lapisan tipis Ta205 dengan evaporasi berkas elektron Tantalum, yang dilanjutkan dengan elektrolisa oksidasi anodik secara arus konstan dalam elektrolit Amonium Borat ( 0,25 M, pH 8,2 ). Laju oksidasi pada rapat arus 0,33 mA cm-2 adalah sebesar 0,5 Ås-1. Dibuat beberapa sampel dengan leas berbeda ( 50, 100 dan 150 mm2 ), juga ketebalan yang bervariasi dart 229.67 --414,70 nm. Pengukuran kapasitansi dilakukan dengan tiga Cara yaitu 1.) RCL Bridge, 2.) Arus AC / Reaktansi Kapasitif dan 3.) Muatan tersimpan. Kapasitansi bervariasi antara 21,88 s/d 151,22 nF dan konstanta dielektrik 23,62 ( ± 5 % ). Faktor disipasi dapat bervariasi antara 0,01 s/d 0,39 dalam interval frekuensi 50 sampai 40.000 Ha. Kuat dielektrik salah satu sampel mencapai 0,6 MV cm-1. Kemasan kapasitor dalam resin ditemukan mengalami degradasi. Walaupun menunjukan sifat-sifat kapasitor yang baik, masih dapat disempurnakan pada eksperimen mendatang, terutama dalam usaha mengurangi porositas lapisan Tipis yang terbentuk.