Ditemukan 26 dokumen yang sesuai dengan query
Ahmad Fikri, author
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 1992
S37980
UI - Skripsi Membership Universitas Indonesia Library
Deddy Sujatman, author
Pada dasarnya alai penguji yang dibuat melakukan pengujian dengan menguji faktor penguatan DC dari transistor yang diuji (device under test). Hal ini dilakukan dengan membandingkan arus basis basil pengujian untuk tegangan Vcr.: dan arcs kolektor tertentu dengan batas atas dan bawah anus basis yang ditentukan. Pengaturan acuan-acuan pengujian dilakukan melalui...
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2004
S40143
UI - Skripsi Membership Universitas Indonesia Library
Kristian Wahyudi, author
Penggunaaan Single Electron Transistor SET merupakan salah satu pendekatan yang dilakukan untuk menggantikan penggunaan transistor. Meskipun SET memiliki ukuran divais dan konsumsi daya yang lebih kecil dibanding transistor biasa, suhu operasionalnya masih sangat rendah dibawah 50 Kelvin. Keterbatasan temperatur operasional pada SET ini menjadi salah satu masalah yang masih didiskusikan...
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2017
S67025
UI - Skripsi Membership Universitas Indonesia Library
Schure, Alekander
New York: John F. Rider, 1961
621.381 SCH b
Buku Teks Universitas Indonesia Library
Coblenz, Abraham
New York : McGraw-Hill, 1955
621.38 COB t
Buku Teks Universitas Indonesia Library
Blicher, Adolph, author
New York: Academic Press, 1981
621.381 5 BLI f
Buku Teks Universitas Indonesia Library
Achmad Fadhol, author
Heterojunction adalah sambungan yang dibentuk antara dua material semikonduktor dengan bandgap yang barbeda. Sambungan tersebut dapat berupa sambungan yang abrupt atau graded. Heterojunction Bipolar Transistor merupakan bipolar transistor yang mempunyai ketipisan di bawwh 50nm yang menumbuhkan lapisan campuran Si1.xGex sebagai basis. Kandungan Ge sampai 50% dapat digabungkan dengan Si standard...
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2002
T1881
UI - Tesis Membership Universitas Indonesia Library
Aj. Yusuf Sadana, author
HBT Pengganda Frekwensi adalah HBT yang menghasilkan keluaran frekwensi dua kali lipat dari pada frekwensi masukan. Prinsip kerja dari HBT pengganda frekwensi adalah memanfaatkan sifat tak linier dari divais aktif, yaitu divais aktif yang diberi masukan sinyal sinusoid akan menghasilkan sinyal sinusoid dengan frekwensi sama dengan sinyal masukan dan sinyal...
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2002
T8129
UI - Tesis Membership Universitas Indonesia Library
R. Ali Akbar, author
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 1996
S41178
UI - Skripsi Membership Universitas Indonesia Library
Niki Fadhliyah, author
ABSTRAK
Single Electron Transistor (SET) merupakan sebuah transistor yang memanfaatkan pergerakan satu buah elektron. Salah satu aplikasi dari single elektron transistor adalah single electron memory. Pada skripsi ini, dilakukan desain memori berbasis floating dot dan difokuskan pada analisa pergerakan elektron dalam divais SEM dengan mengatur kapasitansi pada tunnel junction antara...
Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2015
S58687
UI - Skripsi Membership Universitas Indonesia Library
