Ditemukan 1 dokumen yang sesuai dengan query
Jamal A. Rachman, author
SiO2 merupakan lapisan yang sensitif dan aktif dalam komponen-konponen semikonduktor. Dalam proses oksidasi pembuatan komponen KOSFET, dapat terjadi pencemaran lapisan isolator ini karena kontaminasi. Pencemaran menyebabkan terjadinya ion-bergerak di dalam lapisan oksida, sehingga mengganggu kestabilan sifat listrik. Dengan menggunakan Trichloroethylene (TCE) sebagai ambient pada proses oksidasi, diharapkan jumlah ion-bergerak dapat...
Depok: Universitas Indonesia, 1989
T-Pdf
UI - Tesis (Membership) Universitas Indonesia Library
