Ditemukan 5 dokumen yang sesuai dengan query
Ahmad Tossin Alamsyah, author
Disain geometri dengan kombinasi lateral dan vertikal berhasil dirancang , disimulasikan pada devais Silicon Germanium Heterojunction Bipolar Transistor (HBT SiGe). Terbukti menghasilkan beberapa kelebihan terutama pada noise figure yang rendah seperti diuraikan pada disertasi ini. Riset ini bertujuan untuk mendapatkan devais dengan noise figure (Fn) yang rendah pada operasi frekuensi...
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2010
D999
UI - Disertasi (Open) Universitas Indonesia Library
Rizqy Pratama Rahman, author
Skripsi ini bertujuan untuk merancang sel surya dengan menggunakan struktur dasar Triple Junction Solar Cell (TJSC) nc-Si:H/a-Si:H/a-SiGe:H. Lapisan a-SiGe:H pada TJSC tersebut yang merupakan semikonduktor berbahan jenis compound diganti dengan alloy Si1-xGex agar konsentrasi germaniumnya dapat direkayasa untuk mendapatkan sifat lapisan yang lebih baik dan menambah efisiensi sel surya. Setelah...
Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2015
S62139
UI - Skripsi (Membership) Universitas Indonesia Library
Pada artikel ini dibahas mengenai pengaruh mole fraction (x) dan profit germanium pada basis SiGe HBT terhadap unjuk kerja frekuensi dan noise figure (fn) devais...
UI-JURTEK 23:1 (2009)
Artikel Jurnal Universitas Indonesia Library
Engelin Shintadewi Julian, author
Heterojunction bipolar transistor Silikon Germanium (HBT SiGe) adalah transistor bipolar yang emiter dan kolektornya terbuat dari bahan Si sedangkan basisnya terbuat dari bahan SiGe. Frekuensi cutoff (ft) dan frekuensi osilasi maksimum (fmax) merupakan ukuran yang umum digunakan untuk menilai kemampuan transistor bipolar. Frekuensi cutoff dan frekuensi osilasi maksimum sangat penting...
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2004
D557
UI - Disertasi (Membership) Universitas Indonesia Library
Si-Ge HBTs is an electronic device having important role in developing Information and Telecommunication Technology. It can be shown by the superior performance of threshold frequency (fr) oscillation frequency (fosc) current gain (B) and minimum noise figure (Fn)......
Artikel Jurnal Universitas Indonesia Library
