::  Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

Hasil Pencarian

 
Ditemukan 3 dokumen yang sesuai dengan query
cover
Ahmad Tossin Alamsyah, author
Analisis penskalaan lateral dan vertikal dari rancangan silicon germanium haterojunction bipolar transistor (HBT'S SIGE) =Lateral and vertical scaling analysis of the silicon germanium heterojunction bipolar transistor's design (HBT's SiGe)
Disain geometri dengan kombinasi lateral dan vertikal berhasil dirancang , disimulasikan pada devais Silicon Germanium Heterojunction Bipolar Transistor (HBT SiGe). Terbukti menghasilkan beberapa kelebihan terutama pada noise figure yang rendah seperti diuraikan pada disertasi ini. Riset ini bertujuan untuk mendapatkan devais dengan noise figure (Fn) yang rendah pada operasi frekuensi...
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2010
D999
UI - Disertasi (Open)  Universitas Indonesia Library
cover
Pengaruh mole fraction (x) dan profit germanium terhadap unjuk kerja frekuensi respon dan noise figure (fn) pada Sige HBT's
Pada artikel ini dibahas mengenai pengaruh mole fraction (x) dan profit germanium pada basis SiGe HBT terhadap unjuk kerja frekuensi dan noise figure (fn) devais...
UI-JURTEK 23:1 (2009)
Artikel Jurnal  Universitas Indonesia Library
cover
Simulasi model : Heterojunction bipolar transistor silikon - germanium (HBT SiGe) berdasarkan pengaturan lebar stripe emiter (We)
Si-Ge HBTs is an electronic device having important role in developing Information and Telecommunication Technology. It can be shown by the superior performance of threshold frequency (fr) oscillation frequency (fosc) current gain (B) and minimum noise figure (Fn)......
Artikel Jurnal  Universitas Indonesia Library