Ditemukan 122 dokumen yang sesuai dengan query
Waskito Nugroho Pringgopranoto, author
Depok: Fakultas Ekonomi dan Bisnis Universitas Indonesia, 1969
S16311
UI - Skripsi Membership Universitas Indonesia Library
Agung Wahjono, author
1986
S-Pdf
UI - Skripsi Membership Universitas Indonesia Library
Achmad Fadhol, author
Heterojunction adalah sambungan yang dibentuk antara dua material semikonduktor dengan bandgap yang barbeda. Sambungan tersebut dapat berupa sambungan yang abrupt atau graded. Heterojunction Bipolar Transistor merupakan bipolar transistor yang mempunyai ketipisan di bawwh 50nm yang menumbuhkan lapisan campuran Si1.xGex sebagai basis. Kandungan Ge sampai 50% dapat digabungkan dengan Si standard...
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2002
T1881
UI - Tesis Membership Universitas Indonesia Library
Aj. Yusuf Sadana, author
HBT Pengganda Frekwensi adalah HBT yang menghasilkan keluaran frekwensi dua kali lipat dari pada frekwensi masukan. Prinsip kerja dari HBT pengganda frekwensi adalah memanfaatkan sifat tak linier dari divais aktif, yaitu divais aktif yang diberi masukan sinyal sinusoid akan menghasilkan sinyal sinusoid dengan frekwensi sama dengan sinyal masukan dan sinyal...
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2002
T8129
UI - Tesis Membership Universitas Indonesia Library
Triarman, author
Tunnel Solar Cells (TSC) merupakan kombinasi efek tunnel pada Passivated Emitter of Rear Location (PERL) silikon solar sel, penelitian terhadap TSC dilakukan sebagai upaya untuk meningkatkan performansi dan efisiensi silikon solar sel.
Pada tests ini dilakukan peraneangan dan analisa TSC, dengan menitikberatkan proses tunneling pada solar sel. Proses tunneling pada solar...
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2003
T9374
UI - Tesis Membership Universitas Indonesia Library
Engelin Shintadewi Julian, author
Jika dua bahan semikonduktor yang tidak sama digabungkan, sambungannya disebut heterojunction. Karena kedua bahan semikonduktor tersebut mempunyai bandgap yang berbeda, akan terjadi diskontinuitas energi pada persambungannya. Sambungan yang terbentuk dapat berupa sambungan abrupt atau graded. Sambungan abrupt terjadi jika perubahan dari satu bahan ke bahan lainnya terjadi secara tiba-tiba, sedangkan...
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 1999
T-Pdf
UI - Tesis Membership Universitas Indonesia Library
Nji Raden Poespawati, author
Salah satu usaha untuk meningkatkan kapasitas transmisi dan/atau memperpanjang jarak transmisi pada komunikasi serat optik, yaitu dengan dikembangkannya diode laser yang dapat diatur panjang gelombangnya (tunable laser diode). Diode laser ini dapat dibuat dengan 2 cara, yaitu memfabrikasi langsung laser mode tunggal (single mode laser) atau laser mode jamak (multimode...
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 1997
T5727
UI - Tesis Membership Universitas Indonesia Library
Surya Alimsyah, author
ABSTRAK
Pada tesis ini dibahas suatu MOSFET yang mendapat tambahan floating-Gate, dengan potensialnya dikendalikan oleh Gate-masukan jamak. Multiple-input floating-Gate MOSFET ini (disingkat uMOS), memberikan kemampuan fungsional yang tinggi berbasiskan karakteristik-dasar operasi penjumlahan level tegangan-gate yang mendapat pembobotan dan operasi threshold.
Menggunakan 6 buah C-uMOS serta sebuah C-MOS biasa, pada tesis ini telah...
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 1997
T-Pdf
UI - Tesis Membership Universitas Indonesia Library
Nani Suryani, examiner
ABSTRAK
Dalam Tesis ini dirancang dan dibuat suatu struktur CCD jenis buried channel (BCCD) 3 gate, menggunakan bahan silikon dengan gate dari bahan alumunium, yang dianalisis dan disimulasikan melalui program simulasi pada perangkat lunak SSUPREM dan MATLAB.
Pabrikasi dilakukan di Laboratorium TELKOMA LIPI Bandung, menggunakan teknologi difusi planar, kemudian dilakukan pengukuran kedalaman...
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 1997
T-Pdf
UI - Tesis Membership Universitas Indonesia Library
Rachman Soleman, author
Pada penelitian ini dilakukan rancangan dan fabrikasi pernbuatan diode laser (DL) GaInAsP/InP ë. = 1300 µm, yang pelaksanaan nya dilakukan di LP3FT-LIPI Serpong. Dari hasil penumbuhan terdapat pergeseran sebesar 20 nm dari panjang gelombang yang diinginkan, dan untuk mendapatkan hasil yang diinginkan diadakan koreksi berat InAs terhadap In. Proses penumbuhan...
Depok: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 1997
T-Pdf
UI - Tesis Membership Universitas Indonesia Library
