Pemodelan energi bandgap (Eg) berdasarkan model fraction (X) dan konsentrasi doping (Nb), pada Si/Si Ge, HBT
Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2000
 UI - Tugas Akhir
Implementasi pemodelan energi bandgap (Eg) pada rancangan braded junction HBT Si/Si1-x Gex dengan mole fraction (x) sampai 30%
Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2000
 UI - Tesis (Membership)
Studi tentang pengaruh doping tinggi terhadap resistansi basis dan bandgap narroeing pada Si/Si 1-2 Gex/Si heterojunction bipolar transistor
Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2002
 UI - Tugas Akhir
Achmad Fadhol, author
Studi tentang pengaruh doping tinggi terhadap resistansi basis dan bandgap narrowing pada Si/Si1-xGex /Si HBT
Lembaga Penelitian Universitas Indonesia, 2003
 Artikel Jurnal
Ahmad Tossin Alamsyah, author
Pengaruh mole fraction (X) dan profil germanium terhadap unjuk kerja frekuensi respon dan noise figure ( F n ) pada sige HBT?s
Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2009
 Artikel Jurnal
<<   1 2 3   >>