Desain dan simulasi single electron transistor berbasis metode multiple quantum dot pada temperatur tinggi dengan perangkat lunak simon 2.0 = Design and simulation of single electron transistor based on multiple quantum dot method in high temperature using simon 2.0

Alat penguji transistor

Field effect and bipolar power transistor physics

Perancangan 196 GHz-fmax Si/Si1-XGex/Si heterojunction bipolar transistor

Disain dan simulasi pengganda frekwensi Fmax 120 GHz dengan heterojunction bipolar transistor silikon germanium.