Perancangan struktur HBT Si/SiGe yang optimal untuk memperoleh frekuensi transit dan penguatan arus yang tinggi dengan model HBT yang memperhitungkan mekanisme difusi, drift dan emisi termionik

Pengaruh mole fraction (x) dan profit germanium terhadap unjuk kerja frekuensi respon dan noise figure (fn) pada Sige HBT's

Pengaruh variasi jumlah siklus pencelupan menggunakan metode successive ionic layer adsorption and reaction silar terhadap struktur dan sifat optis lapisan tipis cu2znsns4 czts = the effect of immersion cycle variation using successive ionic layer adsorption and reaction silar method on cu2znsns4 czts thin film s structural and optical properties

Fisika dan teknologi semikonduktor

Fisika dan teknologi semikonduktor