Disain dan simulasi pengganda frekwensi Fmax 120 GHz dengan heterojunction bipolar transistor silikon germanium.

Perancangan 196 GHz-fmax Si/Si1-XGex/Si heterojunction bipolar transistor

Analisis penskalaan lateral dan vertikal dari rancangan silicon germanium haterojunction bipolar transistor (HBT'S SIGE) =Lateral and vertical scaling analysis of the silicon germanium heterojunction bipolar transistor's design (HBT's SiGe)

Field effect and bipolar power transistor physics

Studi pengaruh penambahan fraksi volum penguat multi wall carbon nano tubes (MWCNT) dan tembaga (Cu) terhadap konduktivitas listrik dan sifat mekanis material pelat bipolar berbasis nano komposit MWCNT/PP-Cu