Simulasi perancangan GaAs MESFET subquartermicrometer dengan frekuensi cutoff sebesar 90 GHz dan transkonduktansi sebesar 550 ms/mm dengan pengaturan konsentrasi doping active channel

Perancangan regulator tegangan generator sinkron 3 fasa berbasis model matching

Perancangan Sistem Perlindungan Elektronika Terhadap Surja Internal Pada Jaringan Arus Bolak-Balik Tegangan Rendah

Perancangan struktur HBT Si/SiGe yang optimal untuk memperoleh frekuensi transit dan penguatan arus yang tinggi dengan model HBT yang memperhitungkan mekanisme difusi, drift dan emisi termionik

Simulasi model : Heterojunction bipolar transistor silikon - germanium (HBT SiGe) berdasarkan pengaturan lebar stripe emiter (We)