Studi tentang pengaruh doping tinggi terhadap resistansi basis dan bandgap narroeing pada Si/Si 1-2 Gex/Si heterojunction bipolar transistor
(Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2002)
|
Jenis Koleksi : | UI - Tugas Akhir |
No. Panggil : | TA3327 |
Program Studi : | |
Subjek : | |
Penerbitan : | [Place of publication not identified]: Fakultas Teknik Universitas Indonesia, 2002 |
Bahasa : | ind |
Sumber Pengatalogan : | |
Tipe Konten : | |
Tipe Media : | |
Tipe Carrier : | |
Deskripsi Fisik : | viii, 42 hlm. : ill. ; 28 cm. + lamp. |
Naskah Ringkas : | |
Lembaga Pemilik : | Universitas Indoensia |
Lokasi : | Perpustakaan UI, Lantai 3 |
No. Panggil | No. Barkod | Ketersediaan |
---|---|---|
TA3327 | TERSEDIA |
Ulasan: |
Tidak ada ulasan pada koleksi ini: 20384243 |