Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Sampai saat ini studi tentang efek individualitas dopant terhadap karakteristik piranti berdimensi nanometer, hanya dilakukan pada piranti berstruktur MOSFET, tetapi tidak dilakukan pada struktur pn junction. Tujuan dari riset ini adalah menginvestigasi efek dari sebuah atom dopant (individualitas dopant) terhadap karakteristik arus-tegangan pada piranti pn junction Silikon berdimensi nanometer. Dua macam piranti pn junction dengan konsentrasi doping yang berbeda telah berhasil difabrikasi. Karakteristik arus-tegangan kemudian diobservasi pada berbagai suhu. Sebagai hasilnya, pada suhu rendah, ditemukan adanya fitur random telegraph signal (RTS) dan/atau fitur multi-tingkat, tergantung dari konsentrasi doping, yang merupakan efek dari adanya individualitas dopant terhadap karakteristik piranti pn junction.

---

So far, studies about effects of dopant individuality on characteristic of nanodevice have been done only for nanodevice in MOSFET structure, but not for pn junction structure. Purpose of this study is to investigate effects of dopants individuality on current-voltage (I-V) characteristics in nanoscale Si pn junction devices. Two types of devices, which have different doping concentration, have been fabricated. Then, I-V characteristics have been observed under several temperatures. As a result, at low temperatures, random telegraphs signal (RTS) and multistep features have been found, which caused by effect of dopants individuality on characteristics of pn junction device."

"ABSTRAKPenelitian dalam bidang nanoteknologi telah berkembang pesat dalam dekade terakhir ini, salah satunya adalah Single-Electron Devices. Dalam skripsi ini, kurva karakteristik arus-tegangan dari divais single-electron transistor (SET) disimulasikan dalam kasus empat parameter kerjanya divariasikan secara satu per satu. Keempat parameter itu adalah kapasitansi, resistansi, temperatur, dan impuritas. Struktur divais SET yang disimulasikan terbagi menjadi dua, satu yang menggunakan dua kapasitor dan lainnya yang menggunakan tiga kapasitor. Ketika simulasi dimulai, hanya satu parameter yang nilainya divariasikan sementara ketiga parameter lainnya tetap dijaga pada nilai awal yang telah ditentukan sebelum simulasi berjalan. Simulasi dijalankan dengan menggunakan Matlab 2008. Metode persamaan diturunkan berdasarkan master equation. Salah satu hasil yang didapat dari riset ini adalah resistansi sebagai parameter yang memberikan pengaruh paling signifikan pada rentang arus yang diukur, yaitu 10-11 A hingga 10-10 A pada struktur dua kapasitor dan 10-9 A hingga 10-8 A pada struktur tiga kapasitor. Adapun beberapa efek yang terjadi pada kurva karakteristik arus-tegangan adalah perubahan kualitas grafik, melemah/menguatnya karakteristik eksponensial dan/atau ideal, dan perubahan nilai step-width dan/atau step-height.

---

ABSTRACTThe research in the field of nanotechnology has advanced rapidly within the last decade, one of them being Single-Electron Devices. In this script, the current-voltage characteristic curve of single-electron transistor (SET) device are simulated in the case of the four working parameters were varied one by one. Those four parameters were capacitances, resistances, temperature, and impurity. The device?s structure of SET being simulated was divided into two, one which was using two capacitors and the other which was using three capacitors. When the simulation was run, there is only one parameter which value was varied while the other three parameters were kept at starting value which had been decided before the simulation was run. The simulation was run by using Matlab 2008. The equation method was derived from master equation. One of the results gained from this research is resistance as the parameter which has the most significant influence over the range of the current being measured, which is 10-11 A to 10-10 A in two capasitors structure and 10-9 A to 10-8 A in three capasitors structure. Some of the effects that happened to the current-voltage characteristic curve are the change of graphical quality, the exponential and/or ideal characteristic becomes strongger/weaker, and the value change of step-width and/or step-height. "

"Riset ini difokuskan pada karakteristik linier arus-tegangan dioda P-I-N silikon skala nano doping tinggi dalam rentang temperatur dari 50K hingga 250 K serta karakteristik arus-tegangan dan konduktansi dioda P-N Silikon skala nano doping tinggi pada temperatur 5,5K. Untuk itu dioda P-N dan P-I-N dengan konsentrasi doping tinggi difabrikasi pada wafer ultra tipis berstruktur silicon-oninsulator (SOI). Dari hasil fabrikasi telah diperoleh konsentrasi doping tinggi Boron dan Phosphorus pada divais dioda mencapai 1×1020 cm-3 and 2×1020 cm-3, berturut-turut. Pengukuran karakteristik arus-tegangan dioda P-I-N silikon skala nano doping tinggi dilakukan pada beberapa divais dengan lapisan intrinsik sepanjang 200 nm dan 700 nm. Linieritas arus pada rentang forward bias dari 1,5 V hingga 2,0 V dan rentang temperatur dari 50 K hingga 250 K menunjukkan divais ini sesuai untuk sensor temperatur rendah. Pada pengukuran juga diperoleh data bahwa dioda P-I-N silikon skala nano doping tinggi menghasilkan arus yang lebih tinggi saat temperatur diturunkan dalam rentang forward bias dari 1,5 V hingga 2,0 V. Selain itu juga diperoleh data bahwa divais skala nano dengan lapisan intrinsik yang lebih panjang dan lebih lebar akan menghasilkan arus yang lebih tinggi pada rentang forward bias dari 1,5 V hingga 2,0 V dan temperatur dari 50K hingga 250K. Hasil pengukuran pada dioda P-N silikon skala nano doping tinggi pada rentang forward bias hingga 0,1 Volt maupun rentang reverse bias hingga -0,1 Volt menghasilkan beberapa puncak konduktansi yang menunjukkan kesesuaian nilai dengan level energi density of state dua dimensi (2D DOS) dan level energi kombinasi phonon pada temperatur 5,5K. Pada forward bias, level energi diskret heavy hole, light hole, serta kombinasi phonon TA, LA, TO dan LO berkontribusi signifikan pada puncak konduktansi dalam rentang tegangan hingga 0,1 Volt. Demikian juga halnya pada reverse bias, level energi diskret elektron 2-fold valley, 4-fold valley, serta kombinasi phonon TA, LA, TO dan LO berkontribusi signifikan pada puncak konduktansi dalam rentang tegangan hingga -0,1 Volt. Transport elektron pada dioda P-N Silikon dalam skala nano doping tinggi akan mengalami puncak konduktansi saat elektron memiliki energi yang sama dengan level diskret energi 2D DOS. Hal ini membuktikan adanya phonon-assisted tunneling pada dioda P-N silikon skala nano doping tinggi.

---

This report is focused on linier current-voltage (I?V) characteristic of highly-doped nanoscale Silicon P-I-N diodes at temperature from 50K to 250K and also I-V and conductance characteristics of highly-doped nanoscale Silicon P-N diode at temperature 5.5K. For that purpose, we fabricated nano scale P-I-N and P-N diodes within ultra thin silicon-on-insulator (SOI) structures. From fabrication, we achieved high doping concentrations of Boron and Phosphorus in SOI diodes, 1×1020 cm-3 and 2×1020 cm-3, respectively.

Measurement of current-voltage characteristics of highly-doped nanoscale silicon PIN diode is performed on devices with intrinsic layer length of 200 nm and 700 nm. The current linearity under forward bias range from 1.5 V to 2.0 V and temperature range from 50K to 250K shows that these devices are suitable for lowtemperature sensor. The measurement data shows also that highly-doped nanoscale silicon PIN diode produces higher current when the temperature is lowered under forward bias from 1.5 V to 2.0 V. In addition, the data shows that nanoscale devices with longer and wider intrinsic layer would generate higher current under forward bias range from 1.5 V to 2.0 V and temperature from 50K to 250K.

Measurement of highly-doped nanoscale silicon P-N diode under forward bias to 0.1 Volt and also reverse bias to -0.1 Volt results conductance peaks that show relationship with two-dimensional density of state (2D DOS) and phonon combination energy level at temperature 5.5K. Under forward bias, discrete energy level of heavy hole, light hole and phonon combination of TA, LA, TO and LO have significant contribution to conductance peaks in range 0.1 Volt. Also under reverse bias, discrete energy level of electron 2-fold valley, 4-fold valley and phonon combination of TA, LA, TO and LO have significant contribution to conductance peaks in range -0.1 Volt. Electron transport of highly-doped nanoscale silicon P-N diode will experience conductance peaks when it has equal energy with 2D DOS discrete energy level. It proves the existence of phonon-assisted tunneling on highly-doped nanoscale silicon P-N diode."

"Penelitian teori ini bertujuan untuk menginvestigasi pengaruh medan listrik dan medan magnet terhadap transpor elektron pada molekul DNA poli(dA)-poli(dT). Mekanisme transpor elektron dimodelkan menggunakan pendekatan hamiltonian ikatan kuat dengan melibatkan pengaruh temperatur dan frekuensi gerak memutar. Arus listrik yang melalui DNA dihitung menggunakan formula Landauer-Buttiker dengan perhitungan probabilitas transmisi menggunakan pendekatan fungsi green. Kemudian, faktor eksternal medan listrik dilibatkan mengikuti model Miller-Abraham. Sedangkan faktor eksternal medan magnet, dimodelkan menggunakan model Pierls. Hasil yang diperoleh menunjukan bahwa pengaruh medan listrik berdampak pada pelemahan probabilitas transmisi. Sebaliknya, pengaruh medan magnet memiliki dampak pada peningkatan arus listrik maksimum. Kemudian secara keseluruhan, frekuensi gerak memutar menyebabkan peningkatan pada probabilitas transmisi.

---

This theoretical study aims to investigate the electric field and magnetic field influence on electron transport through DNA poly(dA)-poly(dT). The electron transport mechanism is modeled by the tight-binding Hamiltonian approach involving temperature and twisting motion frequency. The accumulation of electron current flowing through DNA is calculated using Landauer-Buttiker Formula from transmission probability obtained using green function. Then, the external disturbance, electric field, is considered using the Miller-Abraham model. On the other sides, the magnetic field effect is modeled by Pierls model. The results show that the electric field causes decrement on transmission probability. In contrast, magnetic field increases transmission probability. In contrast, the magnetic field increases the current. Furthermore, twisting motion frequency causes higher transmission probability."

"ABSTRAKDalam penelitian ini, dibahas tentang pengaruh-pengaruh tekanan kompaksi dan temperatur sintering pada varistor metal oksida dengan material utama ZnO.Material yang dipakai sebagai spesimen dalam penelitian ini dengan susunan komposisi sebagai berikut : 97 %-mol ZnO, 1 %-mol Sb2 03 , 1 %-mol MnO2 dan 1 %-mol Bi2 03 . Hasil-hasil yang dicapai pada pengukuran dan perhitungan varistor ZnO menunjukkan bahwa karakteristik volt-ampere yang diperoleh, dipengaruhi oleh variasi temperatur sintering dan tekanan kompaksi. Pengaruh-pengaruh tersebut terlihat dari hasil-hasil perhitungan sebagai berikut : Koefisien non-linear varistor f = 0,035 - 0,078 Konstanta tegangan varistor k = 415 - 1050Konstanta dielektrik pada 1 KHz = 235 - 350"