Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Sel surya merupakan divais elektronika yang dapat mengubah energi cahaya menjadi energi listrik. Saat ini Indonesia memiliki banyak hasil bumi salah satunya timah. Timah merupakan bahan dasar dalam pembuatan berbagai komponen elektronika, salah satunya electron transport layer (ETL) dari sel surya perovskite. Sel surya perovskite pada umumnya menggunakan TiO2 sebagai ETL yang memiliki work function sebesar -4,1 eV. SnO2 memiliki work function yang lebih besar, yaitu -4 eV; sehingga secara teori SnO2 dapat menggantikan TiO2. Penelitian ini menguji penggunaan timah pada sel surya perovskite sebagai ETL. Timah yang digunakan diambil dari bahan timah (II) klorida dihidrat. Timah (II) klorida dihidrat akan dilarutkan menggunakan ethanol. Struktur sel surya perovskite yang digunakan adalah FTO/SnO2/Perovskite/karbon aktif/FTO. Sel surya perovskite dalam penelitian ini tidak menggunakan hole transport layer (HTL) karena sifat dari karbon aktif yang menggunakan minyak paraffin sebagai perekat dapat berperan sebagai HTL. Penelitian pra skripsi menunjukkan ethanol merupakan pelarut yang lebih baik dari thiourea, dengan Isc = 0,0015 mA; Voc = 0,1 mV; dan FF = 0,4. Skripsi ini meneliti lebih jauh terhadap dampak konsentrasi SnO2 pada larutan prekursor dengan melakukan variasi pada jumlah timah (II) klorida dihidrat yang dicampur ke ethanol. Hasil fabrikasi menunjukkan bahwa sel surya perovskite dengan pencampuran 30 mg timah (II) klorida dihidrat dengan 1 ml ethanol menghasilkan Isc dan Voc yang paling baik, yaitu Isc = 0,19 mA dan Voc = 0,177 V; namun tidak memiliki konsistensi yang baik dan memiliki dark IV curve linear, menandakan unjuk kerja yang buruk. Sampel C yang dibuat dari pencampuran 20 mg timah (II) klorida dihidrat dengan 1 ml ethanol menunjukkan konsistensi yang baik dan dark IV cruve yang baik. Sampel C memiliki Isc = 0,033 mA; Voc = 0,026 V dan FF= 0,538.

---

Solar cell is an electronic device that convert solar energy into electrical energy. Indonesia has enormous amount of tin, that responsible for producing several amount of electrical device, electron transport layer (ETL) is one of them. Perovskite solar cell frequently uses TiO2 as an ETL that has work function -4.1 eV. SnO2 has better work function, -4 eV; that make SnO2 can become replacement for TiO2 theoritically. This research test the usage of tin on solar cell perovskite as an ETL. Tin derived from tin (II) choride dihydrate, that will be mixed with ethanol. Perovskite solar cell structure used is FTO/SnO2/Perovskite/activated carbon/FTO. In this research, perovskite solar cell did not use hole transport layer (HTL) because of the nature of activated carbon using paraffin oil as an adhesive to act as a HTL. Pra Skripsi shows the best result is obtained from SnO2 that used ethanol as precursor, with Isc = 0.0015 mA, Voc = 0.1 mV, and FF = 0.4. This research concentrate on variating the amount of tin (II) chloride dihydrate that mixed with ethanol. Perovekite solar cell with mixture of 30 mg tin (II) chloride dihydrate with 1 ml ethanol produce Isc = 0.19 mA and Voc = 0.177 V that has best Voc and Isc; but lack of concintency and has linear dark IV curves, resulting on bad performance. Sampel C obtained from 20 mg tin (II) choride dihydrate with 1 ml ethanol shows better consistency, FF and better IV curve. with Isc = 0.033 mA; Voc = 0.026 V and FF= 0.538."

"Perkembangan teknologi sel surya terus meluas setiap tahunnya. Berbagai pendekatan studi melalui sifat/karakter material penyusunnya, ketebalan lapisannya hingga teknologi nano strukturnya terus dikembangkan. Bila ketiga faktor tersebut diintegrasikan dan disesuaikan akan menghasilkan unjuk kerja keluaran yang optimal. Silikon, sebagai bahan dasar teknologi sel surya sudah terbukti secara komersial mampu menghasilkan efisiensi hingga 20%, namun memiliki tingkat refleksi diatas 30%. Galium Nitrida (GaN), sebagai bahan material campuran semikonduktor golongan III-V, dengan sifat tuneable bandgap-nya mampu meningkatkan kemampuan transmisi spektrum cahaya hingga 72% pada panjang gelombang rendah. Tesis ini memperlihatkan hasil pengaruh material nanostruktur GaN sebagai lapisan anti-refleksi terhadap sel surya berbasis silikon. Perangkat lunak simulasi GPVDM akan memperlihatkan hasil pembacaan tingkat refleksi, transmisi, dan absorpsi terhadap kombinasi GaN/Si sel surya. Ketebalan lapisan GaN, berteknologi nanostruktur kisi, akan divariasikan dalam tiga ukuran dengan perbedaan 0,5e-07m (50nm) per ketinggiannya. Perbandingan dengan Si tanpa struktur GaN kisi, struktur GaN/Si dengan ketinggian kisi 50nm menunjukkan tingkat refleksi lebih rendah, yaitu sekitar 11% dan tingkat transmisi 3 kali lebih tinggi. Kisi dengan tinggi 150nm menghasilkan efisiensi tertinggi diantara uji sampel, yaitu sekitar 1% pada unjuk kerja GaN/Si sel surya. GaN dengan teknologi nanostruktur kisi sebagai anti-refleksi berpotensi sebagai salah satu alternatif untuk meningkatkan unjuk kerja sel surya berbasis silikon.

---

The development of solar cell technology continues to expand every year. Utilization of the constituent material characteristic, the thickness of the layers to the nanostructure technology are improved. When these three factors are integrated and adjusted, it will produce optimal output performance. Silicon, as a basic material in solar cell technology that has been commercially proven to be able to produce efficiencies of up to 20%, is known to have a reflection rate above 30%. Gallium Nitride (GaN), as a class III-V alloy semiconductor material, with its tune-able bandgap properties could increase the ability of light spectrum transmission to 72% at low wavelengths. This thesis report will show the results of the influence of GaN nanostructure grating as an anti-reflective layer on silicon-based solar cells. The GPVDM Simulator will show the reflection, transmission and absorption result of the GaN / Si solar cell. The grating nanostructure GaN layer thickness will be varied into three sample with 0,5e-07m difference for each. GaN/Si structure with 50nm height gratings’ yield 11% reflection lesser and 3 times higher on transmission level compare to Si solar cell without GaN grating structure. GaN with 150nm height grating structure provide the highest efficiency among the samples, around 1%. Hence, GaN with grating nanostructure technology as an anti-reflective has the potential as an alternative to improve the performance of silicon-based solar cells."

"Lapisan tipis imobilisasi sel khamir Candida fukuyamaensis UICC-Y247 telah dibuat sebagai modifikasi transduser pada permukaan elektroda sensor oksigen GC-NPAu untuk metode alternatif sensor BOD (Biochemical Oksigen Demand). Lapisan dibuat menggunakan matriks agarose/KCl sebagai biomembran dengan teknik evaporasi, kemudian aktifitasnya didukung dengan adanya tambahan membran Nafion 50 mikron. Sistem sensor ini mempersingkat waktu pengukuran BOD dari 5 hari menjadi 30 menit. Aktivitasnya dibandingkan dengan menggunakan keadaan sel bebas dan terimobilisasi. Deteksi nilai BOD dilakukan dengan menggunakan teknik Multi Pulse Amperometry (MPA) pada potensial 450 mV. Keberhasilan sistem terlihat adanya peningkatan arus dari plot linieritas sistem terhadap larutan uji glukosa dari konsentrasi 0,1 mM sampai 0,5 mM setara dengan nilai BOD (10 mg/L sampai 50 mg/L). Optimalisasi pengukuran BOD dihasilkan waktu optimum BOD sebesar 30 menit, dengan menggunakan sel khamir yang telah diinkubasi selama 30 jam. Scan rate optimum 100 mV/s, dengan memvariasikan ketebalan membran Nafion, 0,25 mL sampai 1 mL campuran imobilisasi, hasil ketebalan optimum adalah 1 mL campuran imobilisasi. Batas deteksi larutan glukosa pada sistem sensor adalah 0,011336 mM atau nilai BOD sebesar 1,1336 mg/L. Pengukuran respon arus terhadap larutan glukosa dilakukan pengulangan sebanyak 15 kali, didapatkan nilai standar deviasi relatif 4,776% untuk elektroda tanpa kehadiran sel khamir dan 2,702% untuk elektroda yang telah dilekatkan dengan lapisan imobilisasi. Hasil pengujian kestabilan, ditemukan bahwa lapisan imobilisasi stabil selama 1-3 hari."