Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"ABSTRAKConcurrent multiband LNA merupakan salah satu tipe multiband LNA yangmampu bekerja pada beberapa frekuensi berbeda secara simultan dalam satuwaktu. Pada tesis ini dirancang concurrent multiband LNA yang bekerja padaempat frekuensi tengah yaitu 950 MHz, 1.85 GHz, 2.35 GHz, dan 2.65 GHz.LNA yang dirancang menggunakan transistor HJ-FET NE3210S01 dengan biasjenis self bias, topologi input matching inductive degeneration yang ditambahkanresonator LC paralel, dan ditambah transistor yang dipasang cascode. Simulasidilakukan dengan menggunakan perangkat lunak Advance Design System (ADS),layout dibuat dengan perangkat lunak altium designer dan kemudian difabrikasi diatas PCB.Hasil simulasi dari rancangan LNA menunjukkan bahwa pada keempat frekuensitengah 950 MHz, 1.85 GHz, 2.35 GHz, dan 2.65 GHz, S21 mencapai 21.77 dB,17.88 dB, 16.71 dB, dan 15.85 dB untuk keempat frekuensi tengah. S11 sebesar -23.23 dB, -20.46 dB, -17.93 dB, dan -19.69 dB. NF sebesar 0.73 dB, 0.69 dB,0.68 dB, dan 0.75 dB.Hasil pengukuran menunjukkan frekuensi tengah yang bergeser menjadi 665 MHzdengan S11 -14.57 dB dan S21 -4.56 dB, 1.07 GHz dengan S11 -13.42 dB dan S21 -5.79 dB, 1.34 GHz dengan S11 -13.34 dB dan S21 -2.01 dB, dan 2.84 GHz denganS11 -24.49 dB dan S21 -14.79 dB.

---

ABSTRACTConcurrent multiband LNA is one type of multiband LNA that works at severalfrequency bands one time simultaneously. This project presents a design ofConcurrent multiband LNA that works at four frequency centers namely 950MHz, 1.85 GHz, 2.35 GHz, and 2.65 GHz. The simulated LNA uses HJ-FETNE3210S01 with self bias, inductive degeneration topology added with resonatorLC, and added with cascode transistor. Simulation performed with AdvanceDesign System (ADS), layout is designed with altium designer software thanfabricated on PCB.The simulation result of the LNA shows that, at four frequency centers 950 MHz,1.85 GHz, 2.35 GHz, and 2.65 GHz, S21 achieves 21.77 dB, 17.88 dB, 16.71 dB,and 15.85 dB respectively, S11 achieves -23.23 dB, -20.46 dB, -17.93 dB, and -19.69 dB respectively, NF achieves 0.73 dB, 0.69 dB, 0.68 dB and 0.75 dBrespectively.The measurement result shows that frequency centers shift, they are 665 MHzwith S11 -14.57 dB and S21 -4.56 dB, 1.07 GHz with S11 -13.42 dB and S21 -5.79dB, 1.34 GHz with S11 -13.34 dB and S21 -2.01 dB, and 2.84 GHz with S11 -24.49dB and S21 -14.79 dB."

"Antena aktif yang merupakan integrasi antara antena gelombang mikro dengan perangkat aktif seperti amplifier telah mendapat perhatian yang luas pada beberapa tahun belakangan ini. Pada umumnya, penempatan elemen aktif yaitu transistor microwave dalam rangkaian terintegrasi microwave (Microwave Integrated Circuit, MIC) dibuat pada saluran transmisi microstrip. Pada tesis ini dibahas mengenai rancangan microwave power amplifier sebagai elemen aktif dari antena yang dibuat dengan memakai rangkaian penyesuai saluran transmisi coplanar waveguide. Keuntungan utama yang diharapkan dapat diperoleh dengan pemakaian coplanar waveguide antara lain; interkoneksi komponen pada rangkaian lebih mudah karena hanya bagian permukaan dari struktumya yang diperlukan, memberikan kemudahan dalam memperluas rangkaian pada bidang atas substrat sehingga sangat sesuai digunakan pada rangkaian terintegrasi microwave.Transistor microwave yang dipakai pada rancangan amplifier ini adalah GaAs MeSFET tipe NE 76084 yang memiliki potensi tidak stabil (potentially unstable) pada frekuensi 5 GHz, dan kondisi ini umumnya dihindari dalam rancangan microwave amplifier. Sekalipun transistor tersebut berpotensi tidak stabil, pada tesis ini diperlihatkan realisasi rancangan microwave amplifier dengan membuatnya menjadi stabil melalui pemilihan koefisien refleksi beban yang sesuai.Perancangan dilakukan dengan bantuan perangkat lunak CAD untuk amplifier, AutoCAD dan perangkat keras mesin cetak quick circuit. Pengukuran terhadap beberapa parameter seperti power gain, bandwith, return loss dan VSWR dilakukan pada rancangan akhir amplifier dengan frekuensi operasi 5 GHz.

---

Active antennas which are integration between microwave antenna and an active device such as amplifier have found wide interest in the past few years. Mostly, the placement of active element (i.e. microwave transistor) in microwave integrated circuit (MIC) made on microstrip transmission line. This paper describes the design of microwave power amplifier as an active part of active antenna implemented on coplanar waveguide. With the design proposed here, the main advantage which may be expected from the proposed coplanar waveguide compared to microstrip line is based on the fact, that network interconnection is easily obtained. It structure's necessary only on the surface side of the substrate, allowing planar circuits on the top side to be extended and thus making it compatible with microwave integrated-circuit.

The amplifier investigated in this paper utilized GaAs MeSFET (NE 76084) which is potentially unstable can be realized by the proper selection of the load reflection coefficient. This condition must, therefore, be avoided for the design of microwave amplifier.

The amplifier was designed using several tools such as CAD for amplifier and Auto CAD software, and Quick-circuit machine. Measured result of power gain, VSWR and bandwidth of the amplifier operating in 5 GHz are given."

"ABSTRAKPada penelitian ini dianalisa unjuk kerja bit error rate (BER) dari trellis coded (TC) 8PSK dengan adanya interferensi pada kanal berfading. Diasumsikan bahwa jumlah sinyal interferensi antar kanal (co-channel interference, CCI) sebanyak L buah yang mengalami redaman akibat Rayleigh fading, dan sinyal asli (desired sinyal) yang mendapatkan pengaruh redaman Nakagami fading. Disini diasumsikan pula bahwa interferensi antar simbol (inter-symbol interference, ISI) diabaikan, sehingga sinyal interferensi dapat dianggap sebagai variabel acak Gaussian, maka unjuk kerja BER TC 8PSK dengan kehadiran CCI pada kanal berfading dapat dianalisa dan dihitung dengan menggunakan metode standar Gaussian approximation (SGA), alternative Gaussian approximation (AGA) dan metoda first error event (FEE). Metode FEE digunakan sebagai pembanding untuk melihat keakuratan metode SGA dan AGA. Dari hasil analisa terlihat bahwa unjuk kerja BER TC 8PSK dengan metode SGA lebih akurat dibandingkan dengan metode AGA."

"Latar belakang:Pajanan gelombang elektromagnetik frekuensi radio yang diterima oleh pekerja di stasiun radio dalamjangka panjang diduga sebagai faktor risiko hiperkolesterolemia.Penelitian ini bertujuan mengetahui tingkat pajanan gelombang elektromagnetik frekuensi radio pada pekerja di Stasiun radio, prevalensi hiperkolesterolemia , hubungan pajanan electromagnetik dengan hiperkolesterolemia dan hiperkolesterolemia dengan faktor-faktor risiko lainnya.Metode Penelitian: Penelitian ini dilakukan di stasiun radio Jakarta selama Mei-Juli 2010 dengan desain cross sectional pada 121 responden. Data bersumber dari basil Jaboratorium, pemeriksaan fisik, wawancara berupa Food Recall dan pengisian kuesioner pada Medical Checkup Desember 2009. Pengukuran gelombang Elektromagnetik berdasarkan penelitian dr. Andrianingsih WI pada Juli 2009 dengan menggunakan E/ektromagnelic Field Radiation Tesler (ErvlF) tipe 827 merk Lutron.Hasil Penelitian:Nilai Ambang Batas intensitas gelombang elektromagnetik frekuensi radio kumulatif di stasiun radio tidak melebihi ambang batas. Prevalensi hiperkolesterolemia pada pekerja stasiun radio adalah 53,7%. Berdasarkan analisis bivariat terdapat 3 variabel yang bermakna terhadap hiperkolesterolemia yaitu terhadap umur >=40 thn,pajanan gelombang elektromagnetik frekuensi radio okupasi kumulatif, riwayat keluarga yang menderita stroke. Dan analisis multivariat terdapat 3 variabel yang mempunyai hubungan dengan hiperkolesterolemia yaitu faktor umur >=40 thn (OR= 3.91;95%CI= 1.35-11.31}, asupan lemak tinggi (OR=3.39 ;95%CI; 1.14- 10.11}, faktor riwayat keluarga yang menderita stroke (OR=0.15 ;95%CI; 0.03-0.76).Kesimpulan: Prevalensi hiperkolesterolemia pada pekerja stasiun radio sebesar 53,7%. Didapatkan hubungan bermakna antara gelombang elektromagnetik frekuensi radio dengan hiperkolesterolemia . Faktor risiko yang berhubungan dengan hiperkolesterolemia adalah faktor umur >=40 thn, asupan lemak tinggi ,faktor riwayat keluarga yang menderita stroke.

---

Long term exposure from Electromagnetic Frequency Radio received by the employees has been as.-rumed as a risk factor of hyperkolesterolemia .The objective of this research is to find electromagnetic frequency radio exposure in the radio station , find hypercholesterolemia prevalence among employees ,relationship electromagnetic frequency radio exposure to hypercbolesterotemia and find relationship hypercholesterolemia to another risk factor.Research Metbods : The research has been conducted in May-July 2010 in radio station Jakarta using cross sectional design ,examined 121 respondents. Data source from laboratory result,physical examination interviewing food recall and quetioner on Medical Checkup December 2009. Measuring Electromagnetic Frequency Radio intensity source from Andrianingsih WI,MD research on July 2009 with using Elektromagnettc field Radiation Tester (EMF) tipe 827 merk Lutron.Result: Intensity cumulative electromagnetic frequency radio exposure in radio station under limit Treshold Limit Value (TLV). Prevalence hyperkolestero!emia jn the radio station is about 53,7 %. Based on analysis bivariat there are 3 variabel significant relationship to hypercholesterolemia : age>=40 years. has family history stroke and electromagnetic frequency radio exposure cumulatit: And based on analysis mu1tivariat there are 3 variabel significant relationship to hypercholesterolemia: age>=40 years (OR= 3.91;95%Cl1.35-11.31), intake high fillty food (0 3.39 0.03 -0.76).Condusion : Intensity cumulative electromagnetic frequency radio exposure in radio station under TLV. Prevalence hyperkolesterolemia is about 53,7 %.This research get significant relationship between electromagnetic frequency radio to hyperkolesterolemia. Risk factor significant relatiionship to hyperkolesterolemi: age>=40 years, intake high fatty food and has family history stroke."

"Teknologi implan medis pada saat ini telah menjadi bagian penting dalam suatu metode monitoring kondisi tubuh dari suatu makhluk hidup. Dalam sistem teknologi implan medis yang dijalankan secara nirkabel,diperlukan sistem Wireless Power Transfer. Sistem Pada sistem WPT terdapat 2 bagian penting, yaitu transmitter dan reciever. Pada bagian transmitter memiliki peran penting untuk proses amplifikasi daya, dibagian transmitter yang memiliki peran tersebut adalah Power Amplifier (PA). Topologi PA yang digunakan adalah Class-J yang dikenal memiliki liniearity yang baik tanpa mengorbankan efisiensi yang dimiliki, lalu terdapat komponen MOSFET yang bertugas sebagai switching tegangan-arus yang mengalir diterapkan dalam PA, spesifikasi MOSFET diharapkan memiliki kemampuan switching yang cepat dan memiliki efek parasitik dan resistansi yang rendah. PA akan dioperasikan dengan parameter frekuensi masukan sebesar 13,56 MHz sebagai spesifikasi dari penerapan untuk alat implant biomedis. Desain PA dilakukan dengan menggunakan perangkat lunak Advance System Design 2020 (ADS 2020) untuk mendapatkan efisiensi yang tinggi dengan parameter yang diharapkan. Hasil dari desain merupakan dengan target mendapatkan nilai PAE setinggi-tingginya dengan keluaran daya juga yang besar dalam hal ini Power Gain (dBm), dan hasil penguatan dalam decibel (dB) sebesar-besarya agar daya tidak hilang ketika ditransfer melalui coil menuju reciever. Melalui desain ini diperoleh output power atau P1dB sebesar 12,3 dBm sedangkan pada hasil simulasi P1dB sebesar 32 dBm..

---

Medical implant technology at this time has become an important part in a method of monitoring the body condition of a living being. In a medical implant technology system that runs wirelessly, a Wireless Power Transfer system is needed. System In the WPT system there are 2 important parts, namely transmitter and receiver. The transmitter section has an important role for the power amplification process, the transmitter section has a Power Amplifier (PA) role. The PA topology used is Class-J which is known to have good linearity without sacrificing its efficiency, then there is a MOSFET component that acts as a current-voltage switching applied in the PA, the MOSFET specification is expected to have fast switching capabilities and has parasitic and parasitic effects. low resistance. The PA will be operated with an input frequency parameter of 13.56 MHz as a specification of the application for biomedical implant devices. The PA design was carried out using the Advance System Design 2020 (ADS 2020) software to obtain high efficiency with the expected parameters. The result of the design is with the target of getting the highest PAE value with a large power output in this case Power Gain (dBm), and the maximum gain in decibels (dB) so that power is not lost when transferred through the coil to the receiver. Through this design, the output power or P1dB is 12.3 dBm, while the P1dB simulation results are 32 dBm."

"ABSTRAKTo support the WiMAX infrastructure development in Indonesiaa dualband2.3/3.3 GHz low noise amplifier (LNA) is designed and analyzed. The LNAis designed by combining the inductive source degeneration architecture and theproposed switchable inductor for controlling gain. The chipis implemented byTSMC 0.18-μm CMOS technology.First of all, the mathematical analysis of the proposed LNA architecture isconducted. It includesinput-impedance, gain and noise figure analysis. Theproposed input-impedance analysis modifies the input impedance of the inductivesource degeneration LNA architecture, includes devices selection to fulfill S11requirement. Furthermore, the gain analysis is performed to explain the proposedswitchable inductor structure for controlling gain. It shows that combining onchipinductor paralleled with series bond-wire and on-board inductor will obtain aflatter gain for two bands of interest. The noise figure for source inductivedegeneration LNA architecture is derived. The noise figure described by thederived equations agrees well with that obtained from the simulation.Secondly, the proposed dual-band 2.3/3.3 GHz LNA is simulated. At lowbandmode, simulated results show the maximum S21 of 18.69 dB, an S11 below -29 dB, and a flat noise figure of 2.3 ~ 2.33 dB from 2.3 to 2.4 GHz. The LNApresents the IIP3 and the P1dB of -12.1 dBm and -23.3 dBm, respectively, whileconsuming 18.4 mW at 1.5 V power supply. At high-band mode, the simulationresults show the S21 of 17.01 ~ 17.48 dB, the S11 below -21 dB, and an flat noisefigure of 2.36 ~ 2.37 dB from 3.3 to 3.4 GHz. The LNA consumes only 12.9 mWat high-band mode, while exhibiting the IIP3 and the P1dB of -11.3 dBm and -22.1dBm, respectively.And then, the proposed LNA is verified by the post-simulation in whichthe bond-wire effects are considered for an on-board deployment. At low-bandmode, the post-simulation results show the S11 of -29.11 dB ~ -32 dB, the S21 of17.18 ~ 17.42 dB, and the flat noise figure of 2.67 ~ 2.71 dB. The LNA exhibitsthe IIP3 and P1dB of -13.4 dBm and -24.2 dBm respectively, while consuming16.32 mW power. At high-band mode, the LNA exhibits the S21 of 15.5 ~ 15.88dB, the S11 of -12.94 ~ -16.82 dB, and the flat noise figure of 2.52 ~ 2.54 dB whileconsuming 11.75 mW. The IIP3 and P1dB for the high-band mode are -12.3 dBmand 23.3 dBm, respectively. The total chip area ofthe proposed LNA is 0.9 mm2,including the IO pads."