Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Fully differential operational amplifier memiliki beberapa kelebihan sehingga seringkali dijadikan pilihan utama dalam perencanaan rangkaian terpadu modern. Sayangnya, fully differential op-amp memiliki kelemahan utama yaitu memerlukan rangkaian umpan balik. Rangkaian umpan balik ini, atau yang biasa disebut common mode feedback, dipakai untuk mengatur keluaran tegangan common mode. Variasi topologi CMFB akan mempengaruhi karakteristik rangkaian fully differential op-amp secara keseluruhan. Dalam skripsi ini, rangkaian CMFB asli diganti dengan beberapa topologi rangkaian CMFB lain, kemudian dianalisa karakteristik DC. Topologi dengan dua differential pair menghasilkan karakteristik yang lebih baik dibandingkan dengan topologi lain. Rangkaian ini dipakai untuk mengoptimalkan rangkaian fully differential op-amp lebih lanjut. Sebagai perbandingan rangkaian op-amp dengan CMFB asli juga dioptimalisasi.

---

Fully differential operational amplifier has several advantages, making it the main option in the design of modern integrated circuits. Unfortunately, fully differential op-amp has a major disadvantage too. Fully differential op-amp requires an additional feedback circuit. This feedback circuit, or the so-called common mode feedback, is used to adjust the output common mode voltage. CMFB topology variations will affect circuit characteristics of a fully differential op-amp overall.

In this paper, the original CMFB circuit is replaced with some other CMFB circuit topology. Better characteristics produced by topology with two differential pairs, compared with other topologies. This circuit is used to optimize the circuit fully differential operational amplifier further. As a comparison op-amp with the original CMFB is also optimized."

"Skripsi ini membahas tentang perancangan optimasi dan analisis keluaran dari sebuah fully differential operational amplifier two stage dengan CMFB untuk menghasilkan slew rate tinggi. Fully differential operational amplifier memiliki beberapa kelebihan yaitu gain loop terbuka dapat dilakukan dalam dua tingkat yang berbeda sehingga mengurangi kekompleksan rangkaian oleh karena itu seringkali dijadikan pilihan utama dalam perencanaan rangkaian terpadu modern. Variasi optimasi pada skripsi kali ini adalah melakukan perbandingan perubahan nilai width (W) di M1p, M2n, M3p, M4n M5n pada PMOS/NMOS dengan range 20/10 sampai 100/80 dan length (L) = 1 ( dalam satun - = 50 nm) , range tersebut bertujuan untuk mengetahui seberapa besar pengaruhnya terhadap Ib ( arus bias) pada rangkaian buffer serta perubahan nilai resistansi pada Rf1, Rf2 , Ri1 dan Ri2 dengan range 100-900 ohm pada rangkaian differensial dan menggunakan teknologi CMOS 50 nm dalam proses pabrikasi. Pada prinsipnya semakin tinggi nilai slew rate fully differential op-amp two stage maka akan semakin baik karakteristik op-amp untuk di gunakan dalam aplikasi. Pada skripsi didapat nilai optimasi slew rate mencapai 1500 mV/nS dengan sumber tegangan VDD 1 volt.

---

This final project discusses the design optimization and analysis of the output of a fully differential two-stage operational amplifier with CMFB to produce high Slew Rate. Fully differential operational amplifiers have several advantages, namely open-loop gain can be done in two different levels, thereby reducing the circuit complexity is therefore often used as a primary choice in modern integrated circuit design. Variations of optimization in this thesis is to compare changes in the value of W in M1p, M2N, M3p, M4n M5n the PMOS / NMOS with a range 20/10 until 100/80 and L = 1 (in units of ' = 50 nm), the range is aimed to know how big influence on Ib (bias current) on a series of buffers and changes in resistance value at Rf1, Rf2, Ri1 and Ri2 with a range of 100-900 ohms in series of differential and using 50 nm CMOS technology in the manufacturing process. In principle, more high slew rate of the fully differential two-stage op-amp, characteristics of the op-amp is more better using in applications. In this final project got value optimization slew rate up to 1,500 mV / ns with 1 volt voltage source VDD."

"Slewrate merupakan salah satu parameter terpenting op-amp. Untuk mendeteksi pergeseran fasa, parameter Slewrate harus dilihat. Hal tersebut dikarenakan hubungan antara Slewrate dengan frekuensi akan menghasilkan akurasi yang digunakan untuk membaca keluaran. Untuk perancangan ini menggunakan rangkaian dua tingkat op-amp. Dalam rangkaian dua tingkat dihasilkan nilai Slewrate sebesar 20 V/_s. Nilai tersebut didapat dengan menggunakan teknologi 0.4 _m untuk parameter MOS. Sehingga dengan merubah nilai Capasitor Load untuk tegangan masukkan VDD 5 V dan 3.3 V. Dengan slewrate sebesar 20 V/_s didapati nilai lebar pulsa dengan akurasinya sebesar 0.7_ untuk 5V dan 0.46_ untuk 3.3 V. Hasil itu didapat untuk nilai Capasitor Load sebesar 1800 pF.

---

Slewrate is one of the most important parameter op-amp. To detecting the phase shift, the parameters should be seen Slewrate. That is because the relationship between the frequency Slewrate will producing accuracy that is used to read the output. For this design uses of two stage operational amplifier. In a circuit of two stage operational amplifier value generated Slewrate of 20 V / _s. Value is obtained by using 0.4 _m technology for the parameters of MOS. So with the value Capasitor Load to enter VDD voltage 5 V and 3.3 V. With slewrate of 20 V / _s founded bandwidth with the accuracy of 0.7_ for 5V and 0.46_ to 3.3 V. Results are obtained for the values of Capasitor Load 1800 pF."

"ABSTRAKPada penelitian ini, dirancang suatu Concurrent Multiband Low Noise Amplifier (LNA) yang mampu bekerja pada frekuensi 950 MHz dan 1.85 GHz untuk aplikasi GSM, 2.35 GHz untuk aplikasi WIMAX/LTE, dan 2.65 GHz untuk aplikasi LTE di Indonesia. Transistor yang digunakan adalah jenis HJ-FET n-channel NE3210S01 dengan karakteristik high gain dan low noise. Konfigurasi transistor yang digunakan adalah cascade untuk menghasilkan gain yang tinggi dan topologi inductive-resistive source degeneration. Penggunaan topologi inductive source degeneration memang dapat meningkatkan derajat kebebasan dalam input matching serta mampu mengurangi noise dengan mengatur nilai induktor source namun konsumsi dayanya masih tinggi sehingga dalam perancangan LNA ini dikombinasikan dengan resistive source degeneration untuk mengatasi hal tersebut. Desain yang dirancang disimulasikan dengan menggunakan perangkat lunak Advance Design System (ADS) 2009. Berdasarkan hasil simulasi yang dilakukan, rancangan LNA telah memenuhi spesifikasi yaitu memiliki K > 1 yaitu 40.216, 3,207, 1.98, dan 2.044. S21 > 20 dB yaitu 29.871 dB, 33.323 dB, 32.537 dB, dan 30.568 dB. S11 < -10 dB yaitu -22.447 dB, -24.273 dB, -30.604 dB, dan -23.885 dB. S22 < -10 dB yaitu -33.438 dB, -14.868 dB, -29.747 dB dan -16.273 dB. NF < 1 dB yaitu sebesar 0.447 dB, 0.462 dB, 0.634 dB, dan 0.769 dB pada keempat frekuensi tengah serta dengan suplai DC sebesar 1.5 V dan konsumsi daya 93 mW. Hasil pengukuran PCB menunjukkan terjadi pergeseran frekuensi tengah yaitu di 1.135 GHz, 1.37 GHz, 1.67 GHz, dan 2.1 GHz dengan nilai S11 sebesar -16.5~-22.46 dB. Output matching hanya menghasilkan dualband yaitu di frekuensi 1 GHz dan 1.1 GHz dengan nilai S22 sebesar -13.17~-26.14 dB. Kemudian, hasil pengukuran S21 menunjukan terjadinya loss pada LNA dengan nilai S21 < 0.24 dB dengan nilai S21 tertinggi sebesar 0.24 dB di frekuensi 1.6 GHz.

---

ABSTRAKIn this research, has been designed a Concurrent Multiband Low Noise Amplifier (LNA) that could work at 950 MHz and 1.85 GHz for GSM application, 2.35 GHz for WiMAX/LTE and 2.65 for LTE in Indonesia. Transistor which is used in this design is HJ-FET n-channel transistor NE3210S01 that has high gain and low noise characteristic. Using cascade transistor configuration to yield high gain and inductive-resistive source degeneration topology. The use of inductive source degeneration may increase the degree of freedom in input matching and can reduce noise by adjusting the value of source inductor but power consumption is still high so the LNA design is combined with a resistive source degeneration to overcome it. The designed LNA has been simulated with Advance Design System (ADS) 2009 software. Based on the simulation result, the designed LNA achieves specifications such as K >1 they are 40.216, 3,207, 1.98, dan 2.044. S21 > 20 dB they are 29.871 dB, 33.323 dB, 32.537 dB, dan 30.568 dB. S11 < -10 dB they are -22.447 dB, -24.273 dB, -30.604 dB, dan -23.885 dB. S22 < -10 dB they are -33.438 dB, -14.868 dB, -29.747 dB dan -16.273 dB. Noise Figure NF < 1 dB they are 0.447 dB, 0.462 dB, 0.639 dB, dan 0.769 dB on the desired frequency bands with DC supply of 1.5 V and power consumption of 93 mW. PCB measurement results indicate shift in centre frequencies, they are at 1.135 GHz, 1.37 GHz, 1.67 GHz and 2.1 GHz with S11 value of -13.17~-26.14 dB. Output matching produces only dualband at frequency of 1 GHz and 1.1 GHz with S22 value of -13.17 ~ -26.14 dB. Then, the measurement results indicate the occurrence of loss in LNA with value S21 < 0.24 dB with the highest value at 0,24 dB at a frequency of 1.6 GHz."