Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Single Emissive Organic Light Emitting Diode (OLED) merupakan divais diodapenghasil cahaya yang terdiri dari emissive layer yang diapit oleh 2 konduktoryakni anoda dan katoda. OLED dibuat dengan proses fabrikasi yang direalisasikandengan berbagai tahapan, pada skripsi ini dilakukan tahapan fabrikasi. Ketikalaminasi dilakukan, temperatur laminasi menjadi masalah dalam proses fabrikasiyang menentukan berhasil atau tidaknya fabrikasi divais dioda. Pada skripsi inidilakukan fabrikasi OLED struktur ITO/PFO/Al dengan temperatur laminasi yangberbeda-beda. Setelah fabrikasi, dilakukan pengujian karakteristik I-V dari divaisOLED. Hasil pengujian karakteristik I-V menunjukkan bahwa laminasi optimalterjadi pada temperatur 160 C.

---

Single Emissive Organic Light Emitting Diode OLED is a diode device composedof emissive layer sandwiched by 2 conductors that are anode and cathode. OLED ismade by fabrication process that is realized by many steps, in this paper laminationstep was performed. While lamination, the lamination temperature become one ofthe problems in fabrication process that decided the diode fabrication is success ornot. In this paper OLED with ITO PFO Al structure was fabricated with differentlamination temperature. Then, I V characteristic of OLED device was tested. TheI V characteristic test result show that the optimum lamination is at temperature160 C."

"Dalam rangka menunjang program pemerintah mengenai penyediaan listrik bagi penduduk yang tidak terjangkau PLN dan mendukung pendirian pabrik sel surya di Indonesia, telah dilakukan penelitian penumbuhan kristal poli CuInSez, Penumbuhan bahan semikonduktor temary compounds AIBmCC"` seperti CuInSe2 dapat dibuat dengan menggunakan tungku sederhana model vertikal dengan temperatur zona tunggal, dimana sebelumya tungku tersebut telah mengalami modifikasi dan kalibrasi. Sebagai hasil dari modifikasi dan kalibrasi tersebut diperoleh suatu tungku vertikal temperatur zona tunggal yang layak digunakan untuk proses penumbuhan kristal poli CulnSe2. Dengan metoda tersebut dapat diperoleh ingot kristal poli CuInSe2 yang cukup bagus.Karakterisasi orientasi struktur kristal telah dilakukan terhadap ingot kristal poli Cu1nSe, ini, dimana ingot diiris menjadi beberapa buah wafer dengan ketebalan 2 mm dan diameter 13 mm. Dari ingot yang diperoleh dengan panjang 35 mm ini diambil 5 buah wafer untuk kepertuan karakterisasi (2 dari bagian atas, 2 dari bagian tengah dan 1 dari bagian bawah). Kelima buah wafer ini masing-masing dikarakterisasi dengan menggunakan - difraktometer sinar-x yang berada di RATAN - Serpong, dimana setelah dilakukan analisa dan perhitungan hasilnya sesuai dengan referensi yang aria. Berdasarkan data pola difraksi sinar-x, puncak-puncak yang muncul untuk CuInSe2 menunjukkan orientasi dari bidang kristal : (112), (103), (211), (105, 313), (204, 220), (116, 312), (305, 323) dan (316, 332). Sedangkan parameter kisi rata-ratanya adalah : a = b = 5,7822 A° ; c = 11,5928 A° dan c = 2,0049, dimana parameter kisi seperti itu adalah chalcopyrite.

---

To support the government program about the electric available for the people in the village is not coverage by PLN and to support the built up of solar cells factory in Indonesia, the research about grow of poly crystals CuInSer were to do. To grow materials of ternary compounds semiconductor AIBut2 I such as CuInSe2, can be made using the simple vertical single zone tempereture furnace which has previously been modified and calibrated. As a result of the above modifications and calibration, a single zone temperatur furnace can be obtained. It can then be used to grow the poly crystal CuInSe2 which this method will results a good ingot of poly crystal CuInSe2.

Characterization of the structural orientation has been made for the CulnSe2 ingot of crystal poly by slicing the ingot into five wafers with 2 mm thickness and 13 mm its diameter From the resulting ingot with 35mm in length, was obtained five wafers for the purpose of characterization (2 from the top portion, 2 from the middle and 1 from the bottom). All of these wafers were characterized using x-ray difiractometer located in BATAN - Serpong. It was found from the calculation and analysis that the result was satisfactory. According to the result of x-ray diffraction data patern, the peaks of CuInSez which founded is an orientation of the crystal fields; (112), (103), (211), (105, 313), (204, 220), (116, 312), (305, 323) and (316, 332). And the lattice parameters of CulnSe2 are : a = b = 5,7822 A° ; c = 11,5928 A° and c = 2,0049, which is the lattice parameter like that is chalcopyrite."

"OLED merupakan sebuah divais dioda pemancar cahaya yang menggunakan lapisan emisif berupa material organik. Laboratorium Nano Device Departemen Teknik Elektro Universitas Indonesia telah berhasil membuat divais OLED menggunakan bahan organik poly(9,9-dioctylfluorenyl) (PFO) dengan metode laminasi pada kondisi ruangan non-vakum. Pada teknik laminasi, divais yang sudah disusun dilaminasi menggunakan mesin laminator untuk selanjutnya dipanaskan dan diberi tekanan menggunakan pemanas listrik. Untuk meningkatkan performa dari divais yang difabrikasi, telah dilakukan penelitian terhadap material anoda, material katoda, material dielektrik, material substrat, kecepatan spincoating, suhu laminasi, waktu ultrasonic cleaning, dan tekanan laminasi. Durasi laminasi diprediksi memiliki pengaruh terhadap karakteristik OLED yang difabrikasi, namun belum dilakukan pengujian sebelumnya. Oleh sebab itu, pada skripsi kali ini akan dilakukan pengujian mengenai pengaruh durasi laminasi terhadap karakteristik OLED yang difabrikasi. Variasi durasi dari laminasi dengan pemanas listrik dilakukan untuk mengetahui pengaruh durasi laminasi terhadap karakteristik I-V dari OLED yang difabrikasi dan mencari durasi optimal. Selain itu, pada skripsi ini juga diujikan penggunaan lapisan emisif Alq₃ pertama kali dengan fabrikasi teknik laminasi. Pengujian fabrikasi dilakukan dengan kecepatan spincoating lapisan emisif yang berbeda untuk mengetahui pengaruh kecepatan spincoating terhadap karakteristik OLED yang dihasilkan dan mencari kecepatan spincoating yang lebih baik. Hasil pengujian terhadap divais yang difabrikasi dengan lapisan emisif PFO menunjukkan bahwa durasi laminasi mempengaruhi besar arus yang dihasilkan oleh divais. Durasi laminasi 30 detik pada sampel dengan lapisan emisif PFO menghasilkan nilai rata-rata arus paling tinggi sebesar 26.1 µA jika dibandingkan dengan durasi laminasi 60 detik dan 90 detik. Hasil pengujian sampel dengan lapisan emisif Alq₃ menunjukkan divais OLED menghasilkan rata-rata arus paling tinggi sebesar 3.4 µA jika difabrikasi dengan kecepatan spincoating lapisan emisif 1300 rpm.

---

OLED is a light-emitting diode with organic material as its emissive layer. Nano Device Laboratory of Electrical Engineering Department of Universitas Indonesia is successful in developing a method to fabricate OLED using organic material poly(9,9-dioctylfluorenyl) (PFO) using lamination technique in a non-vacuum room condition. In the lamination technique, device is laminated with a laminator before going through further pressing and heating process with an electric heater. To enhance the performance of the fabricated device, Nano Device Laboratory has scientifically reviewed several fabrication parameters such as the material of anode, cathode, dielectric, substrate, spincoating rate, lamination temperature, duration of ultrasonic cleaning, and lamination pressure. The duration of the lamination process is predicted to have an effect on the characteristic of the fabricated OLED device but the fact is yet to be examined further. Hence, this thesis will conduct an examination on the effect of the duration of lamination to the characteristic of the fabricated OLED device. Variation to the duration of the lamination process with a heater is given to the fabrication process of PFO OLED to analyze the effect of the duration to the resulted I-V characteristic of the fabricated OLED and find the optimum duration. Furthermore, we also tried out the fabrication of OLED with Alq₃ as the emissive layer with different spincoating rotation rate to analyze the effect of spincoating rate to the resulted I-V characteristic of the fabricated OLED and find the better rotation rate. Devices with PFO as emissive layer fabricated with 30 seconds of lamination generated the highest average current of 26.1 µA compared to devices fabricated with 60 seconds and 90 seconds of lamination. Devices with Alq₃ as emissive layer fabricated with spincoating rotation rate of 1300 rpm generated a higher average current of 3.4 µA compared to devices fabricated with spincoating rotation rate of 2000 rpm."

"Teknologi fabrikasi semikonduktor yang berkembang pesat memungkinkan pengecilan dimensi divais hingga mendekati skala nanometer. Pemodelan klasik menyatakan bahwa konduktivitas suatu penghantar akan berkurang seiring dengan penurunan luas area dan panjang dari penghantar tersebut hingga batasan tertentu di mana efek kuantum mulai berlaku dalam menganalisis pergerakan muatan. Skripsi ini mengobservasi pengaruh miniaturisasi dimensi panjang dan lebar terhadap parameter arus dalam karakteristik I-V nanodioda Si lateral berdasarkan hasil riset terkini. Dari hasil perbandingan data, skripsi ini berhasil menganalisis hubungan kesebandingan terbalik antara dimensi lebar dioda dengan jumlah arus yang mengalir sebagai akibat dari transisi mekanisme transpor muatan dari difusif menjadi balistik. Batasan antara ranah klasik dan kuantum diperkirakan terjadi ketika lebar dioda mendekati ukuran 500 nm.

---

As semiconductor processing technology has been rapidly developed,fabrication of tiny devices approaching a few nanometer is now being possible. Classic theory states that device conductivity will be decreased linearly as device dimensionality getting shrunk until a point where quantum effect is introduced into carrier motion analysis. This thesisobserved the effect of lateral Si nanodiode length and width miniaturization in respect to current level in I-V characteristic based on a newest research. From comparations provided, this paper has analyzed an inversely proportional correlation between diode width to current level significant change due to transition regime from diffusive transport to ballistic mechanism. Boundary between these two is supposed to occur when diode width approaching 500 nm in size."

"Sebagaimana telah diketahui bahwa potensi fiskal dari konsumsi Hasil Tembakau atau Rokok telah memberikan kontribusi yang cukup signifikan dalam penerimaan negara balk yang berupa penerimaan cukai maupun PPN. Hal yang menarik dari sistem pemungutan PPN atas Hasil Tembakau atau Rokok adalah bahwa pelaksanaan pemungutannya berada dalam pengawasan DJBC, walaupun kewenangan pemungutannya tetap berada pada DJP.Berdasarkan ketentuan Cukai bahwa saat pelunasan cukai atas-Barang Kena Cukai yang dibuat di Indonesia adalah pada saat pengeluaran Barang Kena Cukai dari Pabrik atau Tempat Penyimpanan, sedangkan saat terutang PPN adalah pada saat Barang Kena Pajak tersebut diserahkan kepada pembeli. Berpedoman pada ketentuan di atas maka penentuan saat terutangnya pajak adalah berbeda, dan oleh karena pengawasan pemungutan PPN dilakukan Direktorat Jenderal Bea dan Cukai maka timbal permasalahan tentang penentuan saat pajak terutang tersebut harus dibayar. Dengan telah dirumuskan suatu kebijakan tentang pemungutan PPN yang harus dibayar atau dilunasi bersamaan dengan saat penebusan pita cukai maka ada beberapa cara yang dilakukan oleh Pabrikan Hasil Tembakau Dalam Negeri dalam upaya untuk meminimalisasi pembayaran PPN dengan cara melakukan perencanaan pajak, balk dalam bentuk tax evasion maupun tax avoidance. Dalam penulisan tesis ini juga akan dibahas cara-cars yang biasa dilakukan oleh Pabrikan untuk melakukan perencanaan pajak, di saniping itu juga dibahas tentang hal-hal yang harus dilakukan oleh fiskus untuk mengantisipasi segala bentuk perencanaan pajak yang dilakukan oleh Pabrikan Hasil Tembakau Dalam Negeri untuk dapat memasukkan penerimaan pajak lebih awal dari yang seharusnya. Dengan berpokok pangkal pada hash analisa dapat disimpulkan bahwa kebijakan pemungutan PPN atas Hasil Tembakau Dalam Negeri menyimpang dari ketentuan hukum positif sebagaimana dimaksud dalam UU No. 11 PPN 1984, di mana penyimpangan ini lebih dimaksudkan untuk memenuhi kaidah kecukupan penerimaan negara atau fungsi budgeter.Berdasarkan hal tersebut untuk mengantisipasi adanya klaim dari para pabrikan hash tembakau dalam negeri maka disarankan adalah dengan menambah ketentuan dalam UU PPN bahwa terutangnya pajak dapat ditetapkan saat lain berdasarkan Keputusan Menteri Keuangan."