Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Resistansi listrik lapisan tipis tin doped indium oxide (In203:Sn, ITO) yang dibuat dengan cara dc magnetron sputtering telah diteliti. Resistivitas yang diukur dengan cara empat titik berkisar dari 1.2 x 10'3 Slcm sampai 7.9 x 10-3 SZcm tergantung dari kadar oksigen pada temperatur ruangan. Di bawah temperatur 100 K, kerapatan pembawa muatan mendominasi konduktivitas sehingga dapat dikatakan bahwa ITO bersifat sebagai semikonduktor dengan energi aktivasi dari 2 x 10-6 eV sampai 1 x 104 eV. Dan pengaruh mobilitas menjadi konstan sehingga koefisien temperatur a dapat dianggap nol. Karenanya itu di bawah temperatur 100 K konduktivitas dapat ditulis sebagai d = o-o exp(-AE 1 kT) . Di atas temperatur 150 K mobilitas pembawa muatan mendominasi konduktivitas, sehingga ITO menyerupai logam dengan temperatur koefisien a dari 1.7 x 10K-1 sampai 4.2 x 104 K"1. Di atas 150 K, bentuk konduktivitas sebagai fungsi temperatur, dapat ditulis sebagai o = o exp(-dE/ kT) 1(1 + aT).Pengaruh kadar oksigen yang dimasukkan pada waktu sputtering sangat besar terhadap resistivitas maupun energi aktivasi. Resistivitas bertambah besar sebanding kenaikan kadar oksigen yang dimasukkan pada waktu sputtering. Namun, energi aktivasi bertambah besar sebanding kenaikan kadar oksigen hanya di bawah 100 K. Di atas 150 K, energi aktivasi mulai menjadi konstan yakni dengan harga sekitar 2 x 104 eV. Resistivitas paling kecil dan cenderung lebih bersifat logam ketika tidak dimasukkan gas oksigen ( 0 % ), sedangkan resistivitas paling besar dan lebih bersifat semikonduktor ketika dimasukkan gas oksigen 8.1 %."

"Telah dibuat lapisan tipis Indium Tin Oxide (In2O3 : SnO2 ; ITO) pada substrat kaca dengan cara dc magnetron sputtering. Perbandingan gas Argon dan oksigen dalam sputter divariasikan dari 3.1%, 5.1%, 8.0% dan 8.9%. Sampel yang dibuat digunakan untuk mempelajari pengaruh tekanan parsial oksigen terhadap sifat listrik lapisan tipis Indium Tin Oxide, pengukuran resistivitas listrik lapisan tipis dilakukan di luar vakum dengan metode four point probe untuk rentang temperatur 11°K sampai 300°K, sedangkan penentuan jumlah pembawa muatan dilakukan dengan metode efek Hall pada lapisan tipis. Energi aktivasi sebagai fungsi temperatur pada lapisan tipis ITO yang diperoleh pada penelitian ini berkisar antara 9.6 x 10.3 eV sampai 1.5 x 10-5 eV. Jika tekanan partial oksigen makin besar maka resistivitas listrik lapiasa tipis ITO makin besar sedangkan jumlah pembawa muatannya makin kecil."

"ABSTRAKIndonesia memiliki cadangan pasir besi yang tinggi, umumnya terdapat di sepanjang selatan pulau jawa. Pasir besi mengandung beberapa mineral berharga yang mengandung Titanium seperti ilmenite, titanomagnetite dan rutile. Penelitian ini akan membahas tentang pengaruh waktu reduksi terhadap peningkatan kadar titanomagnetite pada pasir besi dengan penambahan aditif Na2SO4 sebanyak 15 sebagai katalis dengan variasi waktu 10, 20, dan 30 menit pada suhu 800OC. Dibutuhkan tahap roasting agar dapat memaksimalkan proses pemurnian pasir besi dengan penambahan Na2CO3 dengan perbandingan 1:0.4 Dari hasil pengujian XRD dan data analisa perhitungan semi-kuantitatif menggunakan Software HighScore Plus diperoleh peningkatan kadar senyawa titanomagnetite yang optimum pada waktu reduksi selama 30 menit dengan jumlah senyawa titanomagnetite xFe2TiO4 1-x Fe3O4 sebesar 36

---

ABSTRACTIndonesia has rich deposit of Iron Sand that can be found along of the Java southern part island. Iron sand contains some Ti Rich minerals such as ilmenite, titanomagnetite dan rutile. This study aims to determine the effect of time variation on the results of Increasing titanomagnetite in iron sand and addition of 15 Na2SO4 as a catalyst. Variation of this reasearch are respectively 10 minutes, 20 minutes and 30 minutes with reduction temperature at 800OC. It takes the stage of roasting to condition the ore to be more easily reduced and increase the metal content so that it can maximize the iron sand purity with addition of Na2CO3 additive with mass ratio 1 0.4 . Based on the XRD and Semi Quant equation using Software HighScore Plus, optimal time for reducing iron sand with coal at 800OC is 30 minutes, which produce content of titanomagnetite as much as 36 ."

"The thin film of Indium Tin Oxide (ITO) whose the final thickness between 502 nm - 850 nm, various oxygen partial pressure between 0 - 32 mPa and the deposition rate 1,2 nm/s, 2,2 nm/s and 3,5 nm/s have already made by DC magnetron sputtering method. Having studied about the influence of oxygen partial pressure and deposition rate to electrical property of ITO : resistivity, conductivity, carrier charge concentration, mobility; temperature coefficient and activation energy. Resistivity, conductivity, mobility and carrier charge concentration at room temperature are determined by using Van der Pauw method, and resistivity vs temperature between 12 K -. 300 K to find coefficient temperature and activation energy is used four point probe method.In this thesis , we got resistivity value is in range 3,2 x 10-4 Ω cm - 25,4x 10'Ω cm at room temperature 300 K. Conductivity is in range 294 Ω -' cm-' - 3125 Ω -1 cm-1. Carrier charge concentration is in range 1,30x1020 cm-3 - 3,56 x 1420 cm3. Mobility is in range 19,0 cm2/Vs - 55,2 cm 2/Vs. Temperature coefficient at 150 K - 250 K, where resistivity vs temperature is linier, is in range 1,23 x 10-4 K-1 - 8,68 x 10-4 K-1. and activation energy is in range 1,73x104 eV - 43,2 x10-6 eV. The influence of oxygen partial pressure to electrical properties of ITO is, the bigger oxygen partial pressure, the bigger resistivity, and the smaller carrier charge concentration, mobility and temperature coefficient. The various the deposition rate shows that the faster deposition rate , the bigger resistivity and the smaller conductivity, mobility and carrier charge concentration. Carrier charge concentration is caused by oxygen vacancies and Sn substitution to In. The decreasing of carrier charge concentration as the increasing oxygen partial pressure connect with Sn oxide which made this cause the increasing of scattering.

---

Lapisan tipis Indium Tin Oksida (ITO) dengan ketebalan 502 - 850 nm dengan beberapa variasi tekanan parsial oksigen antara 0 sampai 32 mPa dan variasi laju deposisi 1,2 nmis, 2,2 nm/s dan 3,5 nm/s telah berhasil dibuat dengan proses dc magnetron sputtering. Dilakukan studi pengaruh tekanan parsial oksigen dan laju deposisi terhadap sifat listrik yang meliputi : resistivitas, konduktivitas, konsentrasi pembawa muatan, mobilitas, koefisien temperatur dan energi aktivasi pada lapisan tipis ITO. Resistivitas, konduktivitas, mobilitas dan konsentrasi pembawa muatan pada temperatur ruang 300 K diukur dengan metoda Van der Pauw. Sedang pengukuran resistivitas vs temperatur antara 12 K sampai 300 K untuk mendapatkan koefisien temperatur dan energi aktivasi dilakukan dengan menggunakan metoda empat titik.Hasil pengukuran resistivitas berkisar antara 3,2 x 10 Ω cm sampai 25,4x 104 Ω cm pada temperatur ruang 300 K. Konduktivitas didapat dengan rnenginversikan resistivitas didapat 294 Ω-1 cm-1 sampai 3125 Ω-1 cm-1 . Konsentrasi pembawa muatan pada temperatur ruang berkisar antara 1,30 x 1020 cm-3 sampai 3,56 x 1020 cm-3. Mobilitas pada temperatur ruang berkisar antara 19,0 cm 2/Vs sampai 55,2 cm2/Vs. Koefisien temperatur yang dihitung pada temperatur 150 K sampai 250 K yakni daerah dimana resistivitas vs temperatur merupakan fungsi linear didapat antara 1,23 x 10-4K-1 sampai 8,68 x 10-4 K-1. Energi aktivasi didapat antara 1,73x10-6 eV sampai 43,2 x10-6 eV. Pengaruh tekanan parsial oksigen terhadap sifat listrik lapisan tipis ITO adalah semakin besar tekanan parsial oksigen cenderung akan semakin besar resistivitasnya, sedangkan konsentrasi pembawa muatan, mobilitas dan koefisien temperatur semakin kecil. Variasi laju deposisi memberikan bahwa semakin besar laju deposisi cenderung semakin besar resistivitasnya, sedangkan konduktivitas, mobilitas dan konsentrasi pembawa muatan cenderung semakin kecil. Konsentrasi pembawa muatan disebabkan terutama oleh vakansi oksigen dan substitusi Sn terhadap In. Menurunnya konsentrasi pembawa muatan dengan naiknya tekanan parsial oksigen berhubungan dengan berkurangnya vakansi oksigen dengan pemberian oksigen dari luar. Mobilitas menurun dengan kenaikan oksigen berhubungan dengan terbentuknya oksida Sn yang menambah efek hamburan."