Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Penelitian ini bertujuan memperoleh informasi karakteristik thin film GaSb dengan sistem penumbuhan evaporasi thermal. Bahan yang digunakan adalah ingot GaSb dengan sistem penumbuhan pemanasan vertikal pada bagian ujungnya. Penumbuhan thin film GaSb secara evaporasi thermal menggunakan evaporator Univex 450 pada Laboratorium Fisika Universitas Indonesia. Karakterisasi thin film GaSb menggunakan difraksi sinar-X (dirraktometer Cu-Ka dan Co-Ka) dan four point probe (Veeco EPP-lOO) dilakukan pada Laboratorium Fisika Universitas Indonesia dan Lembaga Sumber Daya dan Energi, pada bulan Agustus I996 - Maret I997. Hasil analisis thin film GaSb substrat kronig pada temperatur pemanasan substrat 200 °C menunjukkan karakteristik yang sama dengan referensi dengan konstanta kisi (a) 6,24 A, volume 197,79 A3, sistem kristal kubik dengan struktur kubik pusat muka pada orientasi bidang (111, 220, 333).

---

This research is intended to obtain information regarding characteristic of GaSb thin film from thermally evaporated growth system. The material use consist of GaSb ingot growth vertically by thermally evaporated. The evaporator used is univer 450, and the characterization is carried out using X - ray difractometer and veeco four points probe. The thin film analysis indicated that GaSb at temperature of 200°C have similar characteristics with the reference, having lattice constant of 6.24 A and volume 197.79 A and have a structure of FCC oriented at (III), (220) and (333) crystal planes."

"Penelitian ini bertujuan memperoleh informasi karakteristik lapisan tipis GaSb. Bahan yang digunakan adalah bagian ujung ingot GaSb. Penumbuhan lapisan tipis GaSb dilakukan secara evaporasi termal, sedangkan karakterisasi micro menggunakan diliaksi sinar-X dan four point probe. Hasil analisis lapisan tipis GaSb substrat kaca pada temperatur pemanasan substrat 150°C dan 200°C menunjukkan bahwa sistem kristal adalah kubus, struktur kristal kubus terpusat sisi (FCC) dengan konstanta kisi (a) berkisar antara 6,52 A - 6,58 A; dan 6,52 A - 6,53 A. Hasil analisis kelistrikan menunjukkan bahwa resistivitas (p) 4,225 - 5,385 X 104 Ώ cm, dengan tipe n; dan 1,105 X 10-4 0 cm dengan tipe p. Pada pernanasan substrat 200°C resistivitas (p) = 1,26 X Ώ cm dengan tipe n; 1,40 X 104 Ώ cm dengan tipe p dan 1,40 X 10--l Ώ cm dengan tipe n-p. Hasil analisis substrat corning pada temperatur pemanasan substrat 150°C dan 200°C menunjukkan bahwa sistem kristal adalah kubus, strukiur kristal kubus terpusat sisi (-FCC) dengan konstanta kisi a= 6,56 A; dan 6,24 A."

"ABSTRAKEtanol dapat dipisahkan dengan proses pervaporasi menggunakan membran-PV (pervaporasi). Material membran TFC (thin film composite) yang digunakan sebagai metode pemisahan campuran etanol-air dengan proses pervaporasi yang lebih khusus dengan mempertimbangkan nilai keekonomisannya. Penelitian dibagi menjadi dua tahap penelitian, yaitu penelitian pendahuluan dan penelitian utama. Penelitian pendahuluan dilakukan dengan memvariasikan kondisi operasi pada 35, 39 dan 44oC dan tekanan pada sisi permeat sebesar 660, 510, dan 260 mmHga. Metode pervaporasi diaplikasikan pada campuran etanol-air dengan menggunakan kondisi optimum pada suhu 39oC dan tekanan 510 mmHga. Sedangkan untuk variasi konsentrasi etanol yang digunakan pada penelitian utama senilai 10, 30, 50, 70 %. Dari hasil penelitian yang dilakukan, diperoleh pada kondisi operasi optimum didapatkan penurunan konsentrasi permeat paling besar senilai 14,4% pada konsentrasi etanol awal 70%, dengan nilai selektifitas 1,575 dan nilai fluks permeat sebesar 0,0160 kg/m2.min. Hasil penelitian tersebut menunjukan bahwa dengan menggunakan membran Thin Film Composite (TFC) untuk proses pemurnian campuran etanol-air dengan metode pervaporasi perlu dilakukan modifikasi lebih lanjut.

---

ABSTRACTEthanol can be separated by pervaporation process using a membrane-PV (pervaporation). TFC membrane material (thin film composite) was used as a method of separation of ethanol-water mixture by pervaporation process more specifically taking into account the economic value. The study was divided into two phases of research, the preliminary research and primary research. Preliminary research carried out by varying the operating conditions at 35, 39 and 44oC and pressure on the permeate side at 660, 510, and 260 mmHga. The method was applied to the pervaporation of ethanol-water mixture by using the optimum conditions at a temperature of 39oC and a pressure of 510 mmHga. As for the variation of the concentration of ethanol used in the main study worth 10, 30, 50, 70%. From the results of research conducted, obtained at the optimum operating conditions found in decreased concentrations of the permeate most worth 14.4% in the initial ethanol concentration of 70%, with selectivity value of 1.575 and permeate flux values 0.0160 kg/m2.min. The results showed that by using a membrane Thin Film Composite (TFC) for the purification of ethanol-water mixtures by pervaporation method needs to be done further modifications."

"ABSTRAKLapisan tipis CdS yang dideposisi diatas Substrat kaca (n = 1,51) dengan temperarur substrat 200 °C , 222 oC dan 250 °C dan variasi ketebalan antara ( 0,51-1,0) p.m dibuat menggunakan Metode PVD ( Physical Vaporation Deposition). Selanjutnya pada lapisan tipis CdS dilakukan pengukuran sifat optik dan listriknya. Sifat optik meliputi penentuan indeks bias, koefisien absorpsi, energi gap dan struktur lapisan tipis CdS. Dari nilai-nilai transmittansi yang diperoleh dan menggunakan pendekatan R.Swanepoel diperoleh besarnya indeks bias (n) sekitar 2,2 - 3,45 , besar koefisien absorpsi (α ) sekitar (0,5 - 4,3) x 10 4/cm dan energi gap sekitar ( 2,31 - 2,35) eV. Sedangkan dengan XRD diperoleh bahwa puncak diffraksi yang paling kuat dari kelima sampel yaitu pada d = ( 3,37-3,39 ) A° memiliki orientasi bidang (002) dan konstanta kisi sekitar a= 4,132 A° dan c= 6,77 A° serta struktur kristal adalah hexagonal (Wurzite). Untuk sifat listriknya, hasil pengukuran menunjukkan besarnya resistivitas listrik (p) lapisan tipis CdS adalah sekitar ( 0,81-6,5) x 10 5 Ω cm."

"PendahuluanPada Penelitian RUT IX tahun I, telah dilakukan penumbuhan film tipis pyroelektrik PbZro.525Ti0,475O3 (PZT) dengan teknik spin coating dan karakterisasinya mencakup struktur mikro dengan teknik XRD, morfologi permukaan dengan teknik SEM, nilai dielektrikum, kapasitans kapasitor dan banyaknya muatan yang tcrperangkap di antara substrat Si dengan film tipis PZT per satuan luas dengan teknik C-V meter serta nilai konduktivitas bahan dengan teknik I-V meter. Struktur kristal dari bulk dan film tipis PZT telah dipelajari secara mendalam dengan mengolah data XRD yang dilakukan pada Lab. XRD program studi Ilmu Material UI Salemba untuk memperoleh nilai konstanta kisi, Full width Half Maximum (FWHM) kristal dan ukuran butiran (grain size). Nilai polarisasi spontan dari PZT jugs dikaji secara teoritis. Struktur film tipis pyroeletrik yang dikembangkan berbentuk MOS (Metal = alumunim; Oksida = PZT; Semikonduktor = Si) dan kapasitor keping sejajar MOM (Metal = alumunium; Oksida = PZT; Metal = Platinum) dengan luas keping elektrode antara 0,25 mm2 - 1 mm2. 1.2. Permasalahan Pembuatan kapasitor berfungsi sebagai penyimpan muatan. Kapasitor memerlukan bahan ferroelektik dan pyroelektrik sebagai bahan dielektrik. Bahan pyroelektrik PZT yang dikaji dalam penelitian ini sangat sesuai sebagai bahan dielektrik kapasitor memori. Keunggulan pyroelektrik PZT adalah karena memiliki tetapan dielektrik yang cukup tinggi. Bahan ferroeletrik dan pyroelektrik PZT ini dapat terpolarisasi secara spontan dengan membalik arah medan listrik yang dikenakan pada bahan PZT. Masalah yang ada pada bahan ferroelektrik dan pyroelektrik PET adalah masih tingginya tingkat kebocoran arus. Mekanisme kebocoran arus pada bahan ferroelektrik disebabkan oleh kekosongan oksigen. Untuk menghindari masalah ini dilakukan penambahan kadar oksigen pada waktu melakukan proses annealing film tipis. Masalah yang dikaji dalam penelitian ini adalah : 1. mengoptimalisasi parameter penumbuhan film tipis PbZru,s3'Eiu,4703 di atas subtrat Si (100) dan Si(E00)/SiO21TiO2IPt (200) dengan metode Spin Coatiiig. 2. mempelajari karakterisasi film tipis PbZro,52sTia,47503 melalui pengujian struktur permukaan film tipis dengan difraksi sinar-X (XRD) dan SEMIEDAX, uji sifat listrik berupa resistiuilas dan konduktivitas dengan I-V meter, serta uji nilai dielektrikum, kapasitans kapasitor dan banyaknya muatan yang terperangkap di antara substrat Si dengan film tipis PZT per satuan luas dengan teknik C-V meter?"

"Sintesis semikonduktor Cu2ZnSnS4 (CZTS) sebagai absorber sel surya lapis tipis telah dilakukan dengan metode ekonomis dan ramah terhadap lingkungan dengan pelarut etanol. Prekursor CZTS diperoleh dari melarutkan garam logam berupa CuCl2, ZnCl2, dan SnCl4 dengan etanol, kemudian larutan tersebut ditambahkan 2-mercaptopropionic acid sebagai stabilizer. Penambahan thiourea dengan konsentrasi 4,4M, 5,4M, dan 6,4M dilakukan setelah memasukkan 2-mercaptopropionic acid yang dilanjutkan dengan deposisi larutan di atas kaca menggunakan metode spin coating. Sifat optik, morfologi, dan komposisi semikonduktor CZTS dibahas secara detil. Dengan konsentrasi sulfur yang bertambah akan memberikan hasil deposisi lapisan yang mengalami penurunan sifat optik. Nilai energi celah pita yang dihasilkan sebesar 1,4eV, 1,5eV, dan 1,52eV untuk konsentrasi 4,4M, 5,4M, dan 6,4M secara berurutan.

---

Synthesis Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin film absorber layer semiconductor has been made by cost-effective and environmentally friendly method using ethanol solvent. The precursor of CZTS was obtained from dissolving metal salts of CuCl2, ZnCl2, and SnCl4 with ethanol, then the solution was added 2-mercaptopropionic acid as stabilizer. The addition of thiourea with concentration 4,4M, 5,4M, and 6,4M was performed after adding 2-mercaptopropionic acid followed by deposition of the solution on the glass using spin coating method. The characteristic of optic, morphology, and composition of CZTS semiconductor are to be described in-depth. With increasing the sulfur concentration will decreased optical properties of deposition coating result. The constants of band gap that are produced are 1,4eV, 1,5eV, and 1,52eV for 4,4M, 5,4M, and 6,4M respectively."

"Fenomena pembalikan polarisasi pada material film tipis BST akan dipelajari dengan menggunakan pendekatan seperti pada material ferroelektrik Bulk. Pendekatan statis dan dinamis akan dilakukan dengan menggunakan persamaan energi bebas Landau - Devonshire (LD) dan persamaan Landau - Kalathikov (LK) untuk memperlihatkan hasil minimum dan maximum dari arus pembalikan polarisasi. Dengan menggunakan pendekatan respon medan listrik yang bersifat sinusoidal akan diperlihatkan pula loop histerisis dengan memvariasikan frekuensi dan amplitudo dari medan listrik yang diberikan.

---

Switching phenomenon in BST Thin film will be considered by approaching of Bulk ferroelectric material. Static and dynamic approach will be formulated by combination of Landau - Devinshire (LD) and Landau - Kalathikov (LK) equation for determined maximum and minimum of switching current. Hysterisis loop was developed using sinusoidal electrical field response by variation in frequency and amplitude of electrical field."