Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Lapisan tipis merupakan salah satu produk rekayasa material modern. Keburuhan penggunaan lapisan tipis meluas ke berbagai bidang,terutama bidang elektronik. Cerium Oksida sebagai salah satu material logam tanah jarang memiliki peluang pengembangan yang cukup menjanjikan untuk aplikasi lapisan. tipis di Indonesia. Teknologi yang digunakan untuk menghasilkan lapisan tipis yang cukup berkualitas adalah teknik sputtering. Teknologi ini relatif mudah dan murah. Penelitian ini berusaha menemukan penga~h durasi waktu pemrosesan terhadap struktur mikro dari lapisan tipis Ce02 Lapisan tipis diperoleh dengan proses deposisi sputtering diatas substrat kaca dengan variabel waktu 1,75 jam, 2 jam dan 3 jam. Suhu substrat 30f1'C. Kemudinn setelah proses deposisi selesai, sampel diberi perlakuan panas 30/fC selama 1 jam untuk memudahkan pengamatan struktur mikronya. Karakterisasi struktur mikro dila/mkon dengan pengujian SEM dan XRD, pengujian EDAXS dilakukan untuk memastikan unsur elemen yang menyusun lapisan tipis. Hasil pengujian dari setiap sampel dibandingkan dari segi krista/initas dan morfologi permukaannya. Dari perbandingan hasil XRD d,an standar JCPDS diperoleh kesesuaian parameter kisi, indeks miller, kemudian komposisi dari variasi ' orientasi kristal yang ada dihitung dari luas daerah dibawah puncak. Hasil penelittan menunjukkan bahwa penurunan variasi orientasi krisJal dan penghalusan butir muncul seirin;i dengan bertambahnya durasi waktu deposisi/pemrosesan. Kristal yang terbentuk adalah polikristalin, kubik dan kompleks (FCC-Iwmp/eks/ non-bravais). Kristalinitas terbaik diperoleh pada sampel 3 jam pada orientas i(200). Selama proses penwnbuhan, terjadi rekristalfsasi dan evolusi bidang kristal."

"Penelitian ini bertujuan untuk merancang dan membangun sistem pelapisan logam menggunakan metode plasma sputtering, salah satu metode deposisi uap fisik (PVD) yang memanfaatkan ionisasi gas argon untuk membombardir target logam, sehingga atom-atom logam terlepas dan mengendap pada substrat yang akan dilapisi. Sistem yang dirancang terdiri dari ruang vakum, sumber tegangan tinggi, dan sistem pengaturan gas. Ruang vakum diperlukan untuk menjaga kestabilan plasma dan meminimalkan kontaminasi. Sumber tegangan tinggi digunakan untuk menghasilkan plasma dengan energi yang cukup untuk proses sputtering, dan pengaturan gas argon dilakukan untuk memastikan konsentrasi yang optimal selama proses berlangsung.

Hasil penelitian menunjukkan bahwa sistem pelapisan dengan metode plasma sputtering telah berhasil dibangun. Dalam waktu 7,5 menit, tabung vakum dapat mencapai tekanan terendah sebesar 1887 mikron. Plasma mulai tampak pada tabung vakum saat tekanan 37500 mikron dengan tegangan sebesar 12500 Volt. Dengan tegangan 2500 Volt, plasma mulai tampak pada tekanan 19827 mikron. Glow discharge plasma dapat terjadi pada tekanan 4082 mikron. Meskipun endapan tembaga hasil sputtering tidak ditemukan pada substrat, endapan ditemukan pada besi anoda. Nilai hambatan pada kaca preparat sebelum dan sesudah sputtering adalah OL (overload), sedangkan nilai hambatan pada besi anoda berubah dari 0,3 Ohm menjadi 1,8 Ohm, menunjukkan adanya endapan pada besi anoda.

---

This research aims to design and build a metal coating system using the plasma sputtering method, a physical vapor deposition (PVD) technique that utilizes argon ionization to bombard the metal target, causing metal atoms to be released and deposited on the substrate to be coated. The designed system consists of a vacuum chamber, a high voltage source, and a gas control system. The vacuum chamber is necessary to maintain plasma stability and minimize contamination. The high voltage source is used to generate plasma with sufficient energy for the sputtering process, and the argon gas control ensures optimal concentration during the process. The research results indicate that the metal coating system using the plasma sputtering method has been successfully built. Within 7.5 minutes, the vacuum chamber achieved a minimum pressure of 1887 microns. Plasma appeared in the vacuum chamber at a pressure of 37500 microns with a voltage of 12500 Volts. At a voltage of 2500 Volts, plasma appeared at a pressure of 19827 microns. Glow discharge plasma occurred at a pressure of 4082 microns. Although copper deposition from sputtering was not found on the substrate, deposition was found on the iron anode. The resistance values on the glass slide before and after sputtering were 0L (overload), while the resistance value on the iron anode changed from 0.3 Ohms to 1.8 Ohms, indicating deposition on the iron anode."

"Pelapisan permukaan pelet UO2 dengan zirkonium diborida menggunakan metoda sputtering. Pengembangan teknologi bahan bakar nuklir bertujuan untuk meningkatkan efisiensi pengoperasian Pembangkit Listrik Tenaga Nuklir (PLTN). Salah satu solusi yang diajukan adalah penggunaan bahan bakar dengan fraksi bakar (burn up) tinggi. Hal ini menyebabkan terjadinya peningkatan gas hasil fisi dan reaktivitas teras reaktor nuklir. Untuk mengendalikan kelebihan reaktivitas teras reaktor digunakan bahan bakar terintegrasi penyerap mampu bakar. Sehubungan dengan hal tersebut telah dibuat pelet UO2 berlapis tipis penyerap mampu bakar. Tujuan penelitian adalah untuk mendapatkan karakter lapisan zirkonium diborida pada permukaan pelet UO2 yaitu mikrostruktur, struktur kristal dan komposisi kimia. Pelapisan permukaan pelet UO2 dilakukan dengan bahan pelapis ZrB2 menggunakan metoda sputtering. Hasil penelitian menunjukkan bahwa mikrostruktur pelet UO2 + 0,4% Cr2O3 berupa butir-butir campuran ekuiaksial dan acicular dengan diameter 2,44 mm, sedangkan pelet UO2 + 0,3% Nb2O5 mempunyai struktur butir berupa ekuiaksial dan batang pipih dengan diameter 2,47 mm. Lapisan zirkonium diborida pada permukaan pelet UO2 + 0,4% Cr2O3 dan pelet UO2 + 0,3% Nb2O5 serupa yaitu tipis dan kompak dengan ketebalan 2,71 mm dan 2,82 mm. Identifikasi terhadap pola difraksi sinar-X pada pelet UO2 + 0,4% Cr2O3 dan pelet UO2 + 0,3% Nb2O5 menunjukkan adanya fasa UO2 dengan struktur kristal kubus dan fasa ZrB2 dengan struktur kristal heksagonal. Sementara itu, konsentrasi zirconium dalam lapisan pelet UO2 + 0,4% Cr2O3 dan pelet UO2 + 0,3%Nb2O5 diperoleh masing-masing sebesar 1,82 mg dan 1,90 mg. Adanya unsur zirkonium membuktikan bahwa lapisan ZrB2 terbentuk pada permukaan pelet UO2."

"S-CGDE merupakan salah satu teknologi elektrolisis plasma yang banyak digunakan dalam mendegradasi limbah cair. Penelitian ini dilakukan untuk meningkatkan efektivitas s-CGDE dengan memodifikasi reaktor menjadi multi anode-CGDE (m-CGDE). Limbah yang digunakan adalah limbah LAS sintetik dengan konsentrasi awal 100 ppm dalam larutan elektrolit KOH 0,02 M, suhu operasi dijaga 30?60 oC, anoda berjenis tungsten diameter 1,6 mm, dan katoda SS-304 diameter 5 mm. Variasi yang dilakukan adalah tegangan listrik 600 dan 700 V, kecepatan pengaduk 0, 250, 500, 750, dan 1000 rpm, serta jumlah anoda 1, 2, dan 3 anoda. Pengujian yang dilakukan yakni pengukuran konsentrasi LAS menggunakan metode MBAS, pengukuran konsentrasi H2O2 sebagai indicator produksi radikal OH menggunakan titrasi iodometri, dan pengukuran konsentrasi asam oksalat menggunakan metode titrasi permanganometri. Variabel proses yang menghasilkan persentase degradasi limbah LAS paling besar hingga 99,97% yakni tegangan listrik 700 V, kecepatan pengaduk 500 rpm, dan menggunakan 3 anoda (m-CGDE) dengan energi yang dibutuhkan untuk mendegradasi limbah LAS sebesar 1264,2 kJ/mmol.

---

Single anode Contact Glow Discharge Electrolysis (s-CGDE) is one of plasma electrolysis technology which is commonly used for waste water degradation. The aim of this research is to increase the effectiveness of s-CGDE through m-CGDE. Waste is synthetic LAS with initial concentration 100 ppm in electrolyte solution KOH 0,02 M, range temperature in 30-60 oC, using wolfram anode 1,6 mm, and SS-304 cathode 5 mm. Variation including voltage on 600 and 700 V, stirrer speed on 0, 250, 500, 750, and 1000 rpm, number of anode 1, 2, and 3. Some of tests in this research are using MBAS method to measure LAS concentration, iodometric titration to measure H2O2 concentration as an indicator of OH radical, and permanganometric titration to measure oxalic acid concentration. Process variables which can reach 99,97% degradation of LAS are voltage on 700 V, stirrer speed 500 rpm, and using 3 anodes, and energy needs is 1264,2 kJ/mmol during 30 minutes."