Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"ABSTRAKPenumbuhan lapisan tipis Barium Strontium Titanat (Ba1-xSrxTiO3) dengan berbagai doping telah berhasil dilakukan di atas substrat Pt/Si menggunakan metode Chemical Solution Deposition yang disiapkan dengan spin coating. Ada tiga tahap penting dalam pembuatan lapisan tipis dengan metode ini yaitu pembuatan Iarutan, proses spin coating, dan proses annealing. Optimalisasi parameter-parameter yang terkait dengan proses pembuatan lapisan tipis telah dilakukan yang meliputi jenis substrat, jumlah lapisan, kecepatan dan waktu putar pada proses spin coating, suhu dan waktu annealing, heating rare.Optimalisasi parameter penumbuhan lapisan tipis Ba1-xSrxTiO3 di atas substrat yang disiapkan dengan spin coater adalah keoepatan putar saat proses spin coating, 3000 rpm selama 30 detik dengan suhu annealing 800°C selama 3 jam dengan heating rare 2°C/menit. Pada variasi berbagai ion dopan yang diberikan pada BST didapatkan lanthanum merupakan ion dopan yang sangat baik untuk meningkatkan sifat ferroelektrik untuk aplikasi memori karena dengan pemberian 1% mol dopan lanthanum bisa menaikkan polarisasi remanen sekitar 37% dan menurunkan medan koersif sekitar 0,8%.

---

ABSTRACTBarium Srontium Titanate thin films (Ba1-xSrxTiO3) with variation ion dopant have been developed on Pt/Si substrates by using Chemical Solution Deposition method followed by spin coating. There are three steps for deposition of thin films: solvent preparation, spin coating process, and annealing process. Optimalisation of the parameters related to the dcpostion of thin films process have been done by varying the substrates, quantity of layers, angular velocity and time of spin coating process, temperature and time of annealing, and the heating rate.The optitmnn parameters of Ba1-xSrxTiO3; thin film deposition on substrate Pt/Si was found at 3000 rpm angular velocity of spin coating process for 30 second at annealing temperature 800°C for 3 hours with heating rate 2°C/menit. On varying the ion dopant given on BST, lanthanum was found to be the best ion dopant to increase ferroelectric properties for memory application, here 1% mol dopant lanthanum can increase remanen polarization approximately 37% and reduce coersif field approximately 0,8%."

"Penelitian ini bertujuan untuk mensintesa dan mengoptimasi thick film BaFe₁₂O₁₉ fasa tunggal, thick film BaTiO₃ fasa tunggal dan material multilayer BaTiO₃/ BaFe₁₂O₁₉ dengan metode Sol-Gel/Spin Coating. Karakterisasi dilakukan untuk mengetahui sifat ferromagnetik dan ferroelektrik.  Deposisi material multilayer dilakukan pada substrat single crystal Si (100) menggunakan spin coater. Thick film BaFe₁₂O₁₉ fasa tunggal berhasil disintesa dengan parameter optimum jumlah lapisan 9 lapis,  kecepatan putaran 3000 rpm, temperature annealing 1000⁰C selama 3 jam, dan rasio molar Ba: Fe = 1 : 8. Hasil karakterisasi SEM menunjukkan bahwa material multilayer BaFe₁₂O₁₉ memiliki distribusi ukuran dan bentuk partikel yang  homogen, dengan ukuran partikel berkisar antara 100-150 nm dan tebal sekitar 2,9 µm. Hasil uji VSM pada material multilayer BaFe₁₂O₁₉ menunjukkan nilai koersivitas  pada arah parallel dan perpendicular yang hampir sama yaitu 2,5 kOe. Thick film BaTiO₃ fasa tunggal berhasil dideposisikan dengan kondisi proses optimum yaitu, temperatur annealing 800⁰C selama 4 jam dan kecepatan putaran 4000 rpm.  Film BaTiO₃ dengan jumlah lapisan 5 lapis mempunyai ketebalan 2,6-3,2 µm. Material multilayer BaTiO₃/ BaFe₁₂O₁₉ berhasil dideposisikan pada substrat Si dengan metode sol-gel/spin coating serta menunjukkan sifat ferromagnetik dan ferroelektrik. Nilai magnetik Saturasi, Remanen, dan medan koersif pada material multilayer BaTiO₃/ BaFe₁₂O₁₉ yaitu 2,7 memu, 1,3 memu dan 1,7 kOe. Sedangkan kurva histerisis elektrik menunjukkan nilai polarisasi spontan (P_s), polarisasi remanen (P_r) dan medan Coersive (E_c)  berturut-turut 5,4 mC/cm², 6,2 mC/cm² dan 1 kV/cm.

---

In this research, single phase thick film BaFe₁₂O₁₉, BaTiO₃ and BaTiO₃/ BaFe₁₂O₁₉ multilayer had been synthesized by sol gel/spin coating method. Ferroelectric and ferromagnetic properties were observed. Multilayer materials was deposited on single crystal substrate Si (100) using a spin coater. Single phase thick film BaFe₁₂O₁₉  was synthesized with optimum parameters of  9 layers, 3000 rpm rotation speed, 1000⁰C annealing temperature for 3 hours, and molar ratio Ba:Fe = 1: 8. The characteristic SEM images indicate that the multilayer BaFe₁₂O₁₉ material has a homogeneous size and shape distribution of particles, with crystallite size 100-150 nm. The magnetic hysteresis loops for single phase thick film BaFe₁₂O₁₉ showed that perpendicular and in-plane coercivity had the same value of 2,5 kOe. Single phase thick film BaTiO₃ was successfully deposited with optimum process conditions which were annealing temperature at  800⁰C for 4 hours and rotation speed 4000 rpm. The BaTiO₃ film with 5 layers has a thickness of  2.6-3.2 µm. BaTiO₃/ BaFe₁₂O₁₉ multilayer material was successfully deposited on the Si substrate with the sol-gel/spin coating method and showed ferromagnetic and ferroelectric properties. The saturation magnetization (Ms), remanent magnetization (Mr), and coercivity of BaTiO₃/ BaFe₁₂O₁₉ multilayer material are 2.7 memu, 1.3 memu and 1.7 kOe. From ferroelectric hysteresis loop it can be inferred that the values of remanent polarization (Pr), spontaneous polarization (Ps) and coercive field (Ec) are ,4 mC/cm², 6.2 mC/cm² and 1kV/cm, respectively."

"PendahuluanPada Penelitian RUT IX tahun I, telah dilakukan penumbuhan film tipis pyroelektrik PbZro.525Ti0,475O3 (PZT) dengan teknik spin coating dan karakterisasinya mencakup struktur mikro dengan teknik XRD, morfologi permukaan dengan teknik SEM, nilai dielektrikum, kapasitans kapasitor dan banyaknya muatan yang tcrperangkap di antara substrat Si dengan film tipis PZT per satuan luas dengan teknik C-V meter serta nilai konduktivitas bahan dengan teknik I-V meter. Struktur kristal dari bulk dan film tipis PZT telah dipelajari secara mendalam dengan mengolah data XRD yang dilakukan pada Lab. XRD program studi Ilmu Material UI Salemba untuk memperoleh nilai konstanta kisi, Full width Half Maximum (FWHM) kristal dan ukuran butiran (grain size). Nilai polarisasi spontan dari PZT jugs dikaji secara teoritis. Struktur film tipis pyroeletrik yang dikembangkan berbentuk MOS (Metal = alumunim; Oksida = PZT; Semikonduktor = Si) dan kapasitor keping sejajar MOM (Metal = alumunium; Oksida = PZT; Metal = Platinum) dengan luas keping elektrode antara 0,25 mm2 - 1 mm2. 1.2. Permasalahan Pembuatan kapasitor berfungsi sebagai penyimpan muatan. Kapasitor memerlukan bahan ferroelektik dan pyroelektrik sebagai bahan dielektrik. Bahan pyroelektrik PZT yang dikaji dalam penelitian ini sangat sesuai sebagai bahan dielektrik kapasitor memori. Keunggulan pyroelektrik PZT adalah karena memiliki tetapan dielektrik yang cukup tinggi. Bahan ferroeletrik dan pyroelektrik PZT ini dapat terpolarisasi secara spontan dengan membalik arah medan listrik yang dikenakan pada bahan PZT. Masalah yang ada pada bahan ferroelektrik dan pyroelektrik PET adalah masih tingginya tingkat kebocoran arus. Mekanisme kebocoran arus pada bahan ferroelektrik disebabkan oleh kekosongan oksigen. Untuk menghindari masalah ini dilakukan penambahan kadar oksigen pada waktu melakukan proses annealing film tipis. Masalah yang dikaji dalam penelitian ini adalah : 1. mengoptimalisasi parameter penumbuhan film tipis PbZru,s3'Eiu,4703 di atas subtrat Si (100) dan Si(E00)/SiO21TiO2IPt (200) dengan metode Spin Coatiiig. 2. mempelajari karakterisasi film tipis PbZro,52sTia,47503 melalui pengujian struktur permukaan film tipis dengan difraksi sinar-X (XRD) dan SEMIEDAX, uji sifat listrik berupa resistiuilas dan konduktivitas dengan I-V meter, serta uji nilai dielektrikum, kapasitans kapasitor dan banyaknya muatan yang terperangkap di antara substrat Si dengan film tipis PZT per satuan luas dengan teknik C-V meter?"

"Pelapisan zirkonia film pada bahan dasar aluminium alloy dibuat dengan menggunakan metoda sol-gel yang telah dimodifikasi dan teknik spinning coating. Asam asetat digunakan sebagai stabiliser pada pembuatan sal dan asam nitrat digunakan sebagai agen peptitiser dengan perbandingan terhadap alkoxide 2 dan 0,032. Penambahan yttria dilakukan dengan perbandingan berat oksidanya terhadap oksida total dalam sol sebesar 2,5; 5; dan 10%. Kristalisasi mulai terbentuk pada suhu sekitar 420°C dalam bentuk kubik atau tetragonal dan tidak mengalami perubahan phase hingga pembakaran suhu 600 C maupun akibat penambahan yttria dalam sol. Penambahan yttria tidak mempengaruhi suhu terbentuknya kristal (kristalisasi). Karakterisasi mekanis hasil dilakukan dengan uji menggunakan UMIS 2000 Ultramicrohardness Indentation System, kekerasan film tidak digunakan sebagai kekerasan baku sifat bahan karena dijumpai permasalahan pada alat UMIS (kekerasan film maksimum 1,59 GPa, jauh dari data referensi). Dari hasil analisis dengan SEM, diduga deformasi yang terjadi mengikuti proses konservasi volume. Penambahan yttria pada sal tidak memberi perubahan yang cukup berarti pada sifat kekerasan film hasil.

---

Zirkonia thin film coatings on aluminium alloy substrats have been made by modified sol-gel method and spin coating technique. Acetic acid is used as a stabilizer sols (as modifier) and nitric acid as peptitizer in the ratio toalkoxide of 2 and 0.032 respectively. The addition of yttria is in the ratio 2.5, 5 and 10 % weight to total oxide in sols. Crystallization of the fifms began at about 420 C in cubic or tetragonal form and had no changes after firing up to 600°C and addition of yttria in sols. The addition of yttria caused no changes in crystallization temperature. Ultramicro indentation tests were carried out using UMIS 2000 Ultramicrohardness Indentation System. The hardness analysis results can not be used as the properties of film because there was a problem with the UMIS. From SEM images, it is predicled that the stable deformation suggested a volume conserving process. The addition of yttria to sols does not change much on the hardness properties of resulting thin film."

"Fourier transform infrared (FTIR) microspectrometry was used to characterize thin conducting films of poly[2 methoxy-5(2-ethylhexylox)-1,4] phenyelenevinylene (MEH-PPV)....."

"Telah dibuat suatu alat ukur untuk menetukan konstanta dielektrik lapisantipis dengan metode arus konstan. Alat itu, dicoba untuk mengukur lima sampelyaitu substrat corning dideposisi lapisan tipis dengan teknik spin coating dariPIZT 8%, PVZT 8%, PNT8%, dan PGZT 8%. Hasil yang diperoleh daripengukuran mengalami problem sehingga tidak sesuai dengan hasil yangdiharapkan. Oleh karena itu penghitungan konstanta dielektrik dilakukan denganmenggunakan bantuan RCL meter tipe Fluke PM6306. Hasil penghitungankonstanta memakai alat yang dibuat yang diprogram dengan Labview diperolehHasil penghitungan konstanta masing-masing sampel tersebut adalah denganprogram Labview diperoleh K substrat corning = 3,33; K PIZT 8% = 9,97; K PVZT 8% =19,88; K PNZT 8% = 11,60 dan K PGZT 8% = 8,06. Dibandingkan dengan hasilpengukuran memakai RCL meter Fluke PM 6306 diperoleh K substrat corning = 2,061;K PIZT 8% = 20,178; K PVZT 8% = 22,923; K PNZT 8% = 22,211 dan K PGZT 8% = 20,062.Hal ini menunjukkan ada perbedaan yang berarti. Untuk itu perlu dilakukanpenelitian yang lebih lanjut."

"Kebutuhan material perovskite sebagai sel surya mengharuskan banyak penelitian dilakukan untuk mendapatkan energi celah pita yang dapat menghasilkan efisiensi tinggi. Penelitian ini bertujuan untuk menemukan material organic inorganic hybrid perovskites (OIHPs) baru bebas timbal dengan sifat target utama energi celah pita dan sifat identitas keberadaan material berupa volume per atom, energi atomisasi, dan densitas menggunakan metode conditional variational autoencoder (CVAE). Dataset yang dikonstruksi terdiri dari 192 molekul yang didapatkan dari database serta 23 data tambahan yang dihasilkan dari simulasi DFT. Pelatihan dataset dengan model prediktor ANN menghasilkan nilai R2 89% pada energi celah pita dan kurva pembelajaran yang baik. Pengambilan dan validasi data dilakukan dengan simulasi DFT menggunakan XC GGA-PW91 dan menghasilkan perbedaan antara 2% hingga 7%. Studi lebih lanjut dilakukan dengan mendeposisikan film tipis material hasil CVAE dengan metode spin coating berupa CH3NH3CaI3 yang terdiri dari komponen organik garam methylammonium iodida dan komponen anorganik Ca. Material ini mempunyai tipe energi celah pita tak langsung sebesar 3,409 eV dan memiliki error kurang dari 10% terhadap hasil model prediktor, generator, maupun simulasi DFT. Hasil ini menunjukkan potensi CH3NH3CaI3 untuk diaplikasikan menjadi material optoelektronik.

---

High demand for perovskite materials as solar cells requires a lot of research to obtain band gap energy that can produce high efficiency. This research aims to find new lead-free organic inorganic hybrid perovskites (OIHPs) materials with the main target properties of band gap energy and the identity properties of material existence in the form of volume per atom, atomic energy, and density using the conditional variational autoencoder (CVAE) method. The constructed dataset consists of 192 molecules with properties retrieved from database as well as 23 additional data generated from DFT simulations. Training the dataset with the ANN predictor model resulted in an R2 value of 89% in band gap energy and a good learning curve. Results comparation with DFT simulations using the XC GGA-PW91 yielded differences between 2% to 7%. Further studies were carried out by depositing thin films of CVAE material using spin coating method in the form of CH3NH3CaI3 which consists of organic component methylammonium iodide salt and inorganic component Ca. This material has an indirect band gap energy type of 3.409 eV and has an error of less than 10% against the results of predictor models, generators, and DFT simulations. These findings demonstrate the potential of CH3NH3CaI3 for the application as an optoelectronic material, as suggested by the CVAE study and supported by DFT simulation."