Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Studi karakterisasi optis lapisan tipis amorf silikon karbon hasil metode deposisi glowdischarge dilakukan dengan menggunakan spektroskopi ultra violet-visible (uv-vis). Indeks bias n dihitung dengan formula Swanepoel menggunakan spektrum transmitansi kemudian dilanjutkan dengan simulasi numerik. Densitas lapisan tipis a-SiC:H cenderung berkurang dengan bertambahnya komposisi karbon. Peningkatan lebar gap optis dengan bertambahnya komposisi karbon memperlihatkan peningkatan transparansi lapisan tipis a-SiC:H. Baik bagian riil maupun imajiner fungsi dielektrik memperlihatkan harga yang cenderung berkurang dengan peningkatan komposisi karbon.

---

Optical Properties of a-SiC:H Films Deposited by Glowdischarge Methods. The optical properties of amorphous silicon carbon films deposited by glowdischarge method have been studied using ultra violet-visible (uv-vis) spectroscopy. The refractive index was calculated by Swanepoel?s formula using transmission data then followed by numerical simulation. The films density tends to decrease with increasing carbon content. The widening of the optical gap by increasing carbon content indicates the enhancement of film?s transparence. Both real and imaginary parts of the dielectric constant show variation in magnitude as the carbon content increase."

"Pengaruh perlakuan anil termal terhadap besaran optis lapisan tipis amorf silikon karbon yang dideposisi menggunakan target silikon dalam campuran gas argon, metan dan hidrogen dipelajari dengan menggunakan spektroskopi ultra violet-visible (uv-vis). Baik n maupun α, demikianpula bagian riil dan imajiner fungsi dielektrik cukup bervariasi terhadap peningkatan temperatur anil sampai 500 °C, dengan perubahan terbesar terjadi pada temperatur anil 300 °C. Lapisan tipis cenderung meningkat densitasnya dengan peningkatan temperatur anil sampai 500 °C. Gap optis memperlihatkan sedikit peningkatan dengan pemberian perlakuan anil sedangkan disorder jaringan amorf berkurang. Pemberian perlakuan anil menghasilkan pengaturan kembali jaringan amorf yang disebabkan terjadinya pemutusan ikatan hidrogen (Si-H dan C-H).

---

The Effect of Thermal Annealing on the Optical Properties of a-SiC:H Films Produced by DC Sputtering Methods: I. Silicon Target Case. The effects of thermal annealing treatment on the optical properties of amorphous silicon carbon films deposited by silicon target in an argon, methane and hydrogen gas mixture have been studied using ultra violet-visible (uv-vis) spectroscopy. Both n and α, and consequently the real and imaginary parts of the dielectric constant, show a considerable variation with subsequent annealing up to annealing temperature 500 °C, with the most rapid changes occurring for temperature 300 °C. The films tend denser as the annealing temperature increased up to 500 °C. The optical gap improved slightly upon annealing, where as the disorder of the amorphous network reduced. The annealing treatment produces reorganization of the amorphous network since thermal annealing results in dissociation of hydrogenated bonds (Si-H and C-H)."

"Studi tentang pengaruh anil termal terhadap besaran optis dan disorder lapisan tipis amorf silikon karbon terhidrogenasi (a-SiC:H) telah dilakukan. Lapisan tipis dihasilkan dengan teknik deposisi sputtering menggunakan target grafit dan wafer silikon yang dilakukan dalam campuran gas argon dan hidrogen, kemudian dikarakterisasi dengan spektroskopi uv-vis (ultra violet-visible) sebelum dan setelah diberikan perlakuan anil termal. Indeks bias n dan koefisien absorpsi α diperoleh dari hasil pengukuran transmitansi. Gap optis memperlihatkan sedikit variasi terhadap temperatur anil, yakni meningkat dengan bertambahnya temperatur anil sampai 500 °C. Kenaikan temperatur anil menyebabkan densitas lapisan tipis berkurang dan demikianpula disorder jaringan amorfnya. Hasil eksperimen akan didiskusikan dalam hubungannya dengan kondisi deposisi dan hasil eksperimen lain.

---

The Effect of Thermal Annealing on the Optical Properties of a-SiC:H Films Produced by DC Sputtering Methods: I. Graphite Target Case. A study of the annealing effect on optical properties and disorder of hydrogenated amorphous silicon carbon (a-SiC:H) films was undertaken. The films were prepared by sputtering technique using graphite target and silicon wafer in argon and hydrogen gas mixture, and then characterized by uv-vis (ultra violet-visible) spectroscopy before and after annealing. Index of refraction n and absorption coefficient α of films have been determined from measurements of transmittance. The optical gap show small variation with annealing temperature, increasing with increasing annealing temperature up to 500 °C. An increase of annealing temperature leads to reduced film density and the amorphous network disorder. The experimental results are discussed in terms of deposition condition and compared to other experimental results."

"Defek dangling bond dari lapisan tipis amorf silikon karbon (a-SiC:H) hasil deposisi metode dc sputtering telah dipelajari dengan spektroskopi ESR (electron spin resonance). Densitas spin berkurang tidak terlalu besar dengan peningkatan fl ow rate gas metan. Pengaruh kehadiran karbon dan hidrogen terhadap harga-g menunjukkan bahwa sampai fl ow rate gas metan 8 sccm, sinyal ESR didominasi oleh karakteristik defek a-Si:H, sedangkan untuk fl ow rate gas metan lebih besar dari 8 sccm, harga-g berkurang mendekati harga-g dari a-C:H. Hasil analisis inframerah menunjukkan semakin banyak karbon dan hidrogen yang membentuk ikatan Si-H, Si-C dan C-H dengan bertambahnya fl ow rate gas metan. Relasi hasil yang diperoleh dari inframerah dengan densitas defek dan harga-g akan dipelajari.

---

The dangling bond defect density in sputtered amorphous silicon carbon alloys have been studied by electron spin resonance (ESR). The results show that the spin density decreased slightly with increasing methane fl ow rate (CH4). The infl uence of carbon and hydrogen incorporation on g-value revealed that for CH4 fl ow rate up to 8 sccm, the ESR signal is dominated by defects characteristic of a-Si:H fi lms and for CH4 fl ow rate higher than 8 sccm the g-value decreased towards those usually found in a-C:H fi lms. Infrared (IR) results suggest that as CH4 fl ow rate increases more carbon and hydrogen is incorporated into the fi lms to form Si-H, Si-C and C-H bonds. A direct relation between the IR results and the defect density and g-value is observed."

"Densitas keadaan elektron a-Si_1-xC_x, and a-Si_1-xH_y telah dihitung untuk seluruh konsentrasi karbon dan beberapa konsentrasi hidrogen (0≤y≤0.5). Struktur atom dimodelkan dengan struktur acak kontinu yang menghubungkan atom Si, C dan H. Keadaan elektron diperoleh dengan menyelesaikan Hamiltonian tight binding kisi Bethe dengan pendekatan medan efektif. Metode Gomez-Santos dan Verges digunakan untuk memperoleh perata-rataan DOS yang memperhitungkan ketidakteraturan diagonal dan off diagonal serta ketidakteraturan parameter SRO (short range order). Model struktur yang digunakan berdasarkan konfigurasi tetrahedral dari atom Si dan C serta konfigurasi trigonal dari atom C. Kehadiran hidrogen menyebabkan pergeseran ujung atas pita valensi ke energi yang lebih rendah sehingga mengakibatkan pelebaran gap pada a-Si_1-xH_y, a-C_1-yH_y(C-sp³) dan a-C_1-yH_y (C-sp²). Pergeseran ujung atas pita valensi ke energi yang lebih rendah juga terjadi dengan kenaikan konsentrasi karbon pada a-Si_1-x, Cx(C-sp³). Pergeseran ujung atas pita valensi yang berbeda terjadi pada a-Si_1-x Cx (C-sp²) yang bergeser ke energi yang lebih tinggi. Selain itu ujung bawah pita konduksi juga bergeser ke energi yang lebih tinggi. Kenaikan lebar gap yang lebih tinggi terjadi untuk konfigurasi karbon berikatan tetrahedral sp³ dibandingkan konfigurasi karbon berikatan trigonal sp2. Kehadiran hydrogen dan karbon secara bersamaan pada aSi_1-xC_x:H_y(C-sp³) dan a-Si C_1-xC_x (C-sp²) meningkatkan lebar gap. Peningkatan fraksi karbon dalam bentuk grafit meningkatkan lebar gap a-Si_1-x C_x (C-sp² dan C-sp³) sampai konsentrasi karbon x=0.6. "