Implementasi pemodelan energi bandgap (Eg) pada rancangan braded junction HBT Si/Si1-x Gex dengan mole fraction (x) sampai 30%

Studi tentang pengaruh doping tinggi terhadap resistansi basis dan bandgap narroeing pada Si/Si 1-2 Gex/Si heterojunction bipolar transistor

Studi tentang pengaruh doping tinggi terhadap resistansi basis dan bandgap narrowing pada Si/Si1-xGex /Si HBT

Pengaruh mole fraction (X) dan profil germanium terhadap unjuk kerja frekuensi respon dan noise figure ( F n ) pada sige HBT?s

Pengaruh mole fraction (x) dan profit germanium terhadap unjuk kerja frekuensi respon dan noise figure (fn) pada Sige HBT's