Perancangan 196 GHz-fmax Si/Si1-XGex/Si heterojunction bipolar transistor

Studi tentang pengaruh doping tinggi terhadap resistansi basis dan bandgap narroeing pada Si/Si 1-2 Gex/Si heterojunction bipolar transistor

Analisis penskalaan lateral dan vertikal dari rancangan silicon germanium haterojunction bipolar transistor (HBT'S SIGE) =Lateral and vertical scaling analysis of the silicon germanium heterojunction bipolar transistor's design (HBT's SiGe)

Field effect and bipolar power transistor physics

Perancangan heterojunction bipolar transistor silikon germanium untuk memperoleh frekuensi cutoff dan frekuensi osilasi maksimum lebih dari 130 GHz