Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

"Untuk menghasilkan polikristal AIBIIIC2 vI maka dilakukan penumbuhan bahan semikonduktor ternary compounds seperti A9GaSe2 ini dengan menggunakan tungku sederhana model vertikal dengan temperatur zona tunggal. Dalam penelitian ini tungku tersebut telah mengalami modifikasi dan kalibrasi., sehingga diperoleh suatu tungku vertikal termperatur zona tunggal yang layak digunakan untuk proses penumbuhan polikristal ini. Untuk melihat sifat-sifat dari bahan yang dihasilkan maka dilakukan karakterisasi diantaranya adalah komposisi & struktur kristal . Struktur Polikristal ini dikarakterisasi menggunakan XRD (X Ray Diffraction) dengan metode Rietvield. Hasilnya memperlihatkan bahwa terdapat 3 phase yaitu : AgGaSei struktur Kristal I Center Tetragonal (Chalcopyrite) dengan parameter kisi a= b = 4,4480 A, c = 8,9291 A dan %= 2,0070. Phase 2 : Ag9GaSes. Phase 3 : Ag2Se. Hasil ini juga didukung oleh karakterisasi yang dilakukan dengan XRF dan SEM.

---

To obtain polycrystals AgGaSes of ternary semiconductor compounds of AIBIII VI, the modified simple vertical single zone temperature furnace has been used. The properties of obtained polycrystals were then characterized by XRF, XRD, and SEM for competition and crystal structure. X-ray diffractograms , showed that there were three phases coexisting. The main phase was AgGaSe2 anc lattice parameters a and c of 4,4480 A and 8,9291 A respectively soc/a = 2,0070. The second phase was Ag9GaSes and the rest was Ag2Se."

"Dalam rangka menunjang program pemerintah mengenai penyediaan listrik bagi penduduk yang tidak terjangkau PLN dan mendukung pendirian pabrik sel surya di Indonesia, telah dilakukan penelitian penumbuhan kristal poli CuInSez, Penumbuhan bahan semikonduktor temary compounds AIBmCC"` seperti CuInSe2 dapat dibuat dengan menggunakan tungku sederhana model vertikal dengan temperatur zona tunggal, dimana sebelumya tungku tersebut telah mengalami modifikasi dan kalibrasi. Sebagai hasil dari modifikasi dan kalibrasi tersebut diperoleh suatu tungku vertikal temperatur zona tunggal yang layak digunakan untuk proses penumbuhan kristal poli CulnSe2. Dengan metoda tersebut dapat diperoleh ingot kristal poli CuInSe2 yang cukup bagus.Karakterisasi orientasi struktur kristal telah dilakukan terhadap ingot kristal poli Cu1nSe, ini, dimana ingot diiris menjadi beberapa buah wafer dengan ketebalan 2 mm dan diameter 13 mm. Dari ingot yang diperoleh dengan panjang 35 mm ini diambil 5 buah wafer untuk kepertuan karakterisasi (2 dari bagian atas, 2 dari bagian tengah dan 1 dari bagian bawah). Kelima buah wafer ini masing-masing dikarakterisasi dengan menggunakan - difraktometer sinar-x yang berada di RATAN - Serpong, dimana setelah dilakukan analisa dan perhitungan hasilnya sesuai dengan referensi yang aria. Berdasarkan data pola difraksi sinar-x, puncak-puncak yang muncul untuk CuInSe2 menunjukkan orientasi dari bidang kristal : (112), (103), (211), (105, 313), (204, 220), (116, 312), (305, 323) dan (316, 332). Sedangkan parameter kisi rata-ratanya adalah : a = b = 5,7822 A° ; c = 11,5928 A° dan c = 2,0049, dimana parameter kisi seperti itu adalah chalcopyrite.

---

To support the government program about the electric available for the people in the village is not coverage by PLN and to support the built up of solar cells factory in Indonesia, the research about grow of poly crystals CuInSer were to do. To grow materials of ternary compounds semiconductor AIBut2 I such as CuInSe2, can be made using the simple vertical single zone tempereture furnace which has previously been modified and calibrated. As a result of the above modifications and calibration, a single zone temperatur furnace can be obtained. It can then be used to grow the poly crystal CuInSe2 which this method will results a good ingot of poly crystal CuInSe2.

Characterization of the structural orientation has been made for the CulnSe2 ingot of crystal poly by slicing the ingot into five wafers with 2 mm thickness and 13 mm its diameter From the resulting ingot with 35mm in length, was obtained five wafers for the purpose of characterization (2 from the top portion, 2 from the middle and 1 from the bottom). All of these wafers were characterized using x-ray difiractometer located in BATAN - Serpong. It was found from the calculation and analysis that the result was satisfactory. According to the result of x-ray diffraction data patern, the peaks of CuInSez which founded is an orientation of the crystal fields; (112), (103), (211), (105, 313), (204, 220), (116, 312), (305, 323) and (316, 332). And the lattice parameters of CulnSe2 are : a = b = 5,7822 A° ; c = 11,5928 A° and c = 2,0049, which is the lattice parameter like that is chalcopyrite."

"PendahuluanPada Penelitian RUT IX tahun I, telah dilakukan penumbuhan film tipis pyroelektrik PbZro.525Ti0,475O3 (PZT) dengan teknik spin coating dan karakterisasinya mencakup struktur mikro dengan teknik XRD, morfologi permukaan dengan teknik SEM, nilai dielektrikum, kapasitans kapasitor dan banyaknya muatan yang tcrperangkap di antara substrat Si dengan film tipis PZT per satuan luas dengan teknik C-V meter serta nilai konduktivitas bahan dengan teknik I-V meter. Struktur kristal dari bulk dan film tipis PZT telah dipelajari secara mendalam dengan mengolah data XRD yang dilakukan pada Lab. XRD program studi Ilmu Material UI Salemba untuk memperoleh nilai konstanta kisi, Full width Half Maximum (FWHM) kristal dan ukuran butiran (grain size). Nilai polarisasi spontan dari PZT jugs dikaji secara teoritis. Struktur film tipis pyroeletrik yang dikembangkan berbentuk MOS (Metal = alumunim; Oksida = PZT; Semikonduktor = Si) dan kapasitor keping sejajar MOM (Metal = alumunium; Oksida = PZT; Metal = Platinum) dengan luas keping elektrode antara 0,25 mm2 - 1 mm2. 1.2. Permasalahan Pembuatan kapasitor berfungsi sebagai penyimpan muatan. Kapasitor memerlukan bahan ferroelektik dan pyroelektrik sebagai bahan dielektrik. Bahan pyroelektrik PZT yang dikaji dalam penelitian ini sangat sesuai sebagai bahan dielektrik kapasitor memori. Keunggulan pyroelektrik PZT adalah karena memiliki tetapan dielektrik yang cukup tinggi. Bahan ferroeletrik dan pyroelektrik PZT ini dapat terpolarisasi secara spontan dengan membalik arah medan listrik yang dikenakan pada bahan PZT. Masalah yang ada pada bahan ferroelektrik dan pyroelektrik PET adalah masih tingginya tingkat kebocoran arus. Mekanisme kebocoran arus pada bahan ferroelektrik disebabkan oleh kekosongan oksigen. Untuk menghindari masalah ini dilakukan penambahan kadar oksigen pada waktu melakukan proses annealing film tipis. Masalah yang dikaji dalam penelitian ini adalah : 1. mengoptimalisasi parameter penumbuhan film tipis PbZru,s3'Eiu,4703 di atas subtrat Si (100) dan Si(E00)/SiO21TiO2IPt (200) dengan metode Spin Coatiiig. 2. mempelajari karakterisasi film tipis PbZro,52sTia,47503 melalui pengujian struktur permukaan film tipis dengan difraksi sinar-X (XRD) dan SEMIEDAX, uji sifat listrik berupa resistiuilas dan konduktivitas dengan I-V meter, serta uji nilai dielektrikum, kapasitans kapasitor dan banyaknya muatan yang terperangkap di antara substrat Si dengan film tipis PZT per satuan luas dengan teknik C-V meter?"

"Peningkatan emisi CO2 dari pembakaran bahan bakar fosil dan peranannya di dalam efek rumah kaca telah menarik perhatian untuk pengembangan teknologi konversi gas tersebut menjadi senyawa kimia yang lebih bermanfaat. Pada penelitian ini, akan disintesis propilen karbonat secara elektrokimia dari CO2 serta dilakukan elektrodeposisi katalis paduan logam (alloy) Cu-Ag. Metode yang digunakan untuk melakukan elektrodeposisi adalah metode chronoamperometry. Proses elektrodeposisi dilakukan pada potensial -0,640 V selama 10 detik. Deposit Cu-Ag pada permukaan lempeng yang terbentuk dikarakterisasi menggunakan SEM-EDS. Dari hasil karakterisasi dengan menggunakan SEM-EDS terlihat bahwa deposit Cu-Ag diwakili Cu yang berbentuk bulat dan Ag yang berbentuk dendrit. Hasil elektrodeposisi Cu-Ag pada lempeng Au diaplikasikan sebagai katalis untuk mengkonversi CO2 dalam cairan ionik [BMIM][PF6] melalui proses reduksi disertai penambahan propilen oksida untuk membentuk propilen karbonat. Produk yang dihasilkan kemudian di karakterisasi menggunakan Fourier Transform Infra Red (FTIR) dan Gas Chromatography-Mass Spectrometer (GC-MS).

---

The increase in CO2 emissions from the burning of fossil fuels and its role in the greenhouse effect has drawn attention to the gas conversion development technology becomes more useful chemical compounds. In this research, propylene carbonate will be synthesized electrochemically from CO2 and catalyst metal alloy electrodeposition Cu-Ag. The method used to perform electrodeposition is chronoamperometry. Electrodeposition process is carried out at a potential of -0.640 V for 10 seconds. Cu-Ag deposits on the surface of the pelates which formed characterized using SEM-EDS. From the results of characterization using SEM-EDS, it appears that Cu-Ag deposits which is representated by round Cu and Ag in the form of dendrites. Results of Cu-Ag electrodeposition on Au pelate was applied as a catalyst to convert CO2 in ionic liquid [BMIM][PF6] through a reduction process with the addition of propylene oxide to form propylene carbonate. The resulting product was then characterized using Fourier Transform Infra Red (FTIR) and Gas Chromatography-Mass Spectrometer (GC-MS)."

"Dalam tesis ini dilaporkan hasil studi sintesis paduan MnBi melalui rute mechanical alloying (MA) dan karakterisasinya untuk mengetahui kehandalan proses mechanical alloying (MA) sebagai salah satu metode alternatif untuk menghasilkan paduan MnBi. Pada tahap pertama studi, dua buah sampel dengan komposisi utama masing-masing Bi80Mn20 (at.%) dan BiMn (at.%) dipilih sebagai material yang menjalani proses pembentukan fasa melalui rute mechanical alloying. Tiga jenis alat pembentukan paduan masing-masing menggunakan metode Planetary Ball Mill (PBM) beroperasi pada temperatur kamar, Planetary Ball Mill beroperasi pada temperatur rendah, dan High Energy Milling (HEM). Dari tahapan pertama studi ini ditunjukkan bahwa HEM sebagai metode yang paling efektif dibandingkan dua metode lainnya. Pada tahap kedua, material dengan komposisi BiMn (at.%) menjalani proses pemaduan dengan menggunakan HEM dan dilanjutkan dengan pemberian perlakuan panas untuk menghasilkan fasa stabilnya (MnBi). Hasil karakterisasi menunjukkan bahwa fasa dominan adalah Bi24Mn2O40 sementara fasa MnBi masih sebagai fasa minor. Dapat disimpulkan bahwa fasa MnBi belum dapat terbentuk secara menyeluruh dan diperlukan kondisi yang bebas oksigen selama proses perlakuan panas.

---

In this thesis, results on synthesis studies of MnBi alloys prepared through mechanical alloying routes and their characterization are reported. The study was conducted in order to find out the reliability of mechanical alloying process as an alternative method for producing MnBi alloys. In the first stage of study, two main samples with compositions respectively Bi80Mn20 (at.%) and BiMn (at.%) were selected as materials to be processed for phases formation by a mechanical alloying processing. Three types of mechanical alloying tools respectively, room temperature operated Planetary Ball Mill (PBM), low temperatures operated Planetary Ball Mill, and High Energy Milling (HEM) were employed for preparation of the alloys. From the first stage of study, it is shown that HEM is the most effective method compared with that of the others. In the second stage of study, material with a composition of BiMn (at.%) was synthesized through the application of HEM and successively followed by heat treatments to yield its stable phase (MnBi). However, identification studies to the alloy indicated that Bi24Mn2O40 being the major phase and MnBi existed as the minor phase. It can be concluded that MnBi phase as the major phase for the system was not achieved and an inert condition during successive heat treatment is required."

"Pembuatan polikristal Copper Galium Diselenide (CuGaSe2) telah dilakukan dengan menggunakan tungku horizontal zona temperatur tunggal. Unsur-unsur penyusun dicampur, dilelehkan dan selanjutnya didinginkan sehingga menghasilkan polikristal. Kristal yang dihasilkan dikarakterisasi meliputi identifikasi struktur menggunakan XRD (X Ray Diffraction), analisis reaksi kimia selama penumbuhan menggunakan DTA (Differensial Thermal Analysis) dan komposisi unsur menggunakan SEM (Scanning Electron Microscopy).Kristal yang dihasilkan secara visual cukup baik dan tidak menempel pada dinding ampoule. Struktur kristal sampel adalah chalcopyrite. Berdasarkan pengukuran diperoleh nilai parameter kisi ingot a=b, secara berurutan untuk ingot bagian atas, tengah dan bawah adalah 5,613 A; 5,612 A dan 5,615 A; dan nilai c adalah 11,014 A; 10,992 A dan 11,013 A."

"ABSTRAKAplikasi penggunaan tunnel-diode tidak hanya pada bidang gelombang mikro, tetapi juga berkembang dalam bidang lainnya seperti pada bidang multi state memory, Analog to Digital Converter. Untuk berbagai keperluan tersebut dibutuhkan tunnel-diode yang berbeda dalam spesifikasi dan materialnya.Dalam tesis ini bertujuan untuk melakukan penumbuhan lapisan tunnel-diode menggunakan bahan Indium Phospat. Penumbuhan lapisan ini merupakan dasar dari fabrikasi komponen mikroelektronika. Proses penumbuhan lapisan dilakukan dengan metode Epitaksi Fasa Cair yaitu metode penumbuhan lapisan kristalin dengan orientasi tertentu melalui fasa cair berupa larutan jenuh pada substrat kristal tunggal. Penumbuhan lapisan dilakukan menggunakan bahan Indium Phospat (InP) sebagai sumber dan Indium Seng (InZn) sebagai doping sehingga akan terbentuk lapisan kristal tunggal tipe-p diatas susbtrat InP tipe-n. Hasil penumbuhan menunjukkan bahwa penumbuhan lapisan tunnel-diode berhasil dilakukan.

---

Tunnel-diode not only at microwave application but have been developed at other field such as multi state memory, Analog to Digital Converter. For this reason need tunnel-diode with different specification and material.

In this thesis, growing a crystal layer on InP substrate using Liquid Phase Epitaxial method was made. Liquid Phase Epitaxial is the growth of an oriented crystalline layer of material from a saturated or supersaturated liquid solution onto a single crystal substrate. The growth can be used source material InP and doping material InZn until single crystal layer can be formed p-type InP onto n-type InP. The thickness of the layer grown can be measured using thickness measurement. "

"Artikel ini mendeskripsikan penumbuhan nanostruktur ZnO di atas beberapa lembar graphene dengan menggunakan metode hdrotermal dan disertai dengan analisa struktur kristal nano dan sifat optik dari ZnO tersebut. Proses penumbuhan nanostruktur ZnO ini dilakukan secara langsung di atas beberapa lembar grafin tanpa menggunakan seed atau buffer layer dengan metode yang sangat mudah, yaitu metode hidrotermal. Keunggulan metode hidrotermal ini adalah biaya produksi yang rendah dan prosesnya menggunakan temperatur rendah (<100°C), sehingga cocok digunakan untuk memproduksi piranti optoelektronik yang transparan dan fleksibel."