Hasil Pencarian  ::  Simpan CSV :: Kembali

""Providing a clear theoretical understanding of MEMS and NEMS, Solid-State Physics, Fluidics, and Analytical Techniques in Micro- and Nanotechnology covers all aspects of solid state physics behind nanotechnology and science. After exploring the rise of Si, MEMS, and NEMS in a historical context, the text discusses crystallography, quantum mechanics, the band theory of solids, and the silicon single crystal. It concludes with coverage of photonics, the quantum hall effect, and superconductivity. The text offers end-of-chapter problems, worked examples throughout, extensive references, and PowerPoint slides for download, along with a solutions manual for qualifying instructors"--"In Solid State Physics, Fluidics and Analytical Techniques in Micro- and Nanotechnology we lay the foundations for a qualitative and quantitative theoretical understanding of micro-and nano-electromechanical systems, i.e., MEMS and NEMS. In integrated circuits (ICs), MEMS and NEMS, silicon (Si) is still the substrate and construction material of choice"--"

"Untuk menyeimbangkan beban kerja suatu Iintas perakitan dengan mengelompokan elemen-elemen kerja kedalam tiap stasiun kerja, metode-metode yang ada pada saat ini tidak dapat digunakan untuk kondisi-kondisi seperti, digunakannya Predetemined Time System untuk menghitung waktu normal tiap elemen kerja yang bersifat sementara, tidak pastinya waktu dari suatu elemen kerja sampai elemen kerja ini ditempatkan kedalam stasiun kerja, dan adanya waktu normal sementara elemen kerja yang Iebih besar dari waktu siklus produk. Dengan menggunakan prinsip-prinsip dasar pengelompokan elemen kerja dan penggunaan stasiun kerja paralel, dikembangkan suatu metode penyeimbangan Iintas perakitan yang dapat digunakan pada kondisi-kondisi diatas. Metode ini mengelompokan elemen-elemen kerja yang masih mempunyai waktu sementara kedalam stasiun kerja menjadi tugas stasiun sehingga dapat dipastikan waktu standardnya. Dengan metode ini juga dimungkinkan terdapatnya stasiun kerja paralel yang mempunyai waktu siklus stasiun kerja mempakan kelipatan dari waktu siklus produk."

"Single-electron transistor (SET) dengan sidewall deplelion gate disimulasikan pada skripsi ini. Divais ini bekerja dengan memanfaatkan fenomena single electron yang berkembang sangat pesat belakangan ini. Divais ini memiliki kelebihan yaitu ukuran yang kecil, cepat serta daya yang terpakai yang lebih kecil Struktur SET dengan sidewall depletion gate memiliki kelebihan dalam pengendalian divais dibandingkan dengan struktur yang lain. Selain itu divais ini telah mampu dlfabrikasi meskipun operasionalnya masih dalam temperatur yang sangat rendah. Pada skripsi ini simulasi SET dengan sidewall depletion gate menggunakan model SDRG 4.01 telah dapat dilakukan. Dari simulasi diperoleh bahwa pengendalian fenomena tunneling dapat dilakukan dengan pengaturan tegangan catu karena sesuai dengan persyaratan terjadinya tunnel |Vds|>e/2Cv, dan juga pengaturan jarak antara sidewall gate yang mempengaruhi kapasitansi pulau dengan hubungan C: SiO2 X W cli X S sg Tox " Ceg = - T. Arus yang mengalir pada OX SET dapat berupa fungsi periodik dari tegangan control gare yang disebut Coulomb Oscillalion yang dapat diatur dengan pengaturan tegangan catu yang berkibat bergesernya grafik IsET~ V eg ke atas atau ke bawah. Posisi puncak Coulomb Oscillation ditentukan oleh tegangan sidewall gate dengan pergeseran puncak osilasi pada sumbu Vcg (AV cg) akibat perubahan Vsg adalah AVcg = 2Csg : Ccg x AV sg. Penggunaan tunnel junction dengan resistansi junction yang jauh berbeda akan mengakibatkan timbulnya fenomena Coulomb staircase. Aplikasi yang kini tengah dikembangkan untuk SET ini adalah rangkaian gerbang-gerbang logika."

"Divais SET dapat digunakan untuk banyak aplikasi seperti single electron switching, single photon detector, single electron detector, quantum bit memory, dll. Untuk aplikasi seperti quantum bit memory, diperlukan dua buah quantum dot (QD) yang disusun secara paralel. Pada thesis ini, dua buah SET yang disusun secara paralel disimulasikan dengan software SIMON 2.0 untuk mendapatkan parameter-parameter yang diperlukan guna mengontrol perpindahan elektron antar QD. Dari hasil simulasi, didapatkan bahwa dua buah SET yang disusun secara paralel bertindak sebagai dua buah SET yang independen pada saat junction capacitance antar QD bernilai di atas 5×10–18 F. Perpindahan elektron antar QD terjadi apabila terdapat perbedaan potensial pada dua QD yang melebihi suatu nilai minimum. Nilai minimum tersebut dipengaruhi oleh resistansi dan kapasitansi junction capacitance. Semakin besar resistansi, nilai minimum perbedaan potensial yang diperlukan akan semakin membesar sedangkan apabila kapasitansi semakin besar, nilai minimum perbedaan potensial yang diperlukan akan semakin mengecil.

---

SET devices can be used in many applications, such as single electron switching, single photon detector, single electron detector, quantum bit memory, etc. For applications such as quantum bit memory, two quantum dots (QDs) in parallel position are required. In this thesis, two SETs in parallel configuration are simulated with SIMON 2.0 software in order to obtain parameters which are needed to control the interdot electron movement. From the results of the simulation, it is obtained that two SETs in parallel configuration will act as two independent SETs when the interdot junction capacitance is above 5×10–18 F. The interdot electron movement occurs when a potential difference exist between the two QDs. The same potential difference must surpass the required minimum value which is influenced by the interdot resistance and capacitance. The bigger the resistance, the required minimum value of potential difference will be increased while the bigger the capacitance, the required minimum value of potential difference will be decreased."

"This book highlights the complex issues, tasks and skills that must be mastered by an IP designer, in order to design an optimized and robust digital circuit to solve a problem. The techniques and methodologies described can serve as a bridge between specifications that are known to the designer and RTL code that is final outcome, reducing significantly the time it takes to convert initial ideas and concepts into right-first-time silicon. Coverage focuses on real problems rather than theoretical concepts, with an emphasis on design techniques across various aspects of chip-design. "

"A complete overhaul of the highly successful 1995 book MMIC design, this text promises much to graduate students and engineers in high frequency electronics. The author team combines academic research and applications input from industry. Prominence is given in all chapters to practical applications of the components and technologies covered, whilst there are entirely new chapters on transceivers, multilayer techniques, CPW millimetre-wave ICs and integrated antennas."